一种减少硅通孔电镀铜后晶圆表面过电镀的方法技术

本发明专利技术涉及一种减少硅通孔电镀铜后晶圆表面过电镀的方法，属于晶圆级电镀铜填孔技术领域。其在晶圆表面依次做完垂直硅通孔刻蚀、绝缘层、铜扩散阻挡层和铜种子层之后，于电镀填充铜工艺之前，在晶圆表面和垂直硅通孔孔口处再做一层特殊层，所述特殊层材质为金属Ta、V、Ti、Al、Fe或非金属TiN、TaN、AlN。所述特殊层在垂直硅通孔孔口处的高度不大于在晶圆表层的绝缘层、铜扩散阻挡层和铜种子层三者厚度之和。本发明专利技术工艺简单，可有效阻挡表层的铜沉积，减轻CMP负担，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种减少硅通孔电镀铜后表面过电镀的晶圆，包括晶圆（5），晶圆（5）表面上刻蚀有一垂直硅通孔（4），在晶圆（5）表面上由内至外依次设置有绝缘层（3）、扩散阻挡层（2）和铜种子层（1）；其特征是：在铜种子层（1）外还设置有一特殊层（6）；所述特殊层（6）的厚度为4?200nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于大全，伍恒，程万，
申请(专利权)人：江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：