半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法，其能够防止利用激光修调被熔断的导电性熔丝因在镀覆工序中的镀覆电极而重新接合，并且防止镀覆液等进入熔丝熔断部。由多层配线构造形成的半导体基板（1）在修调元件形成区域（70）具有利用激光修调将导电性熔丝（10）熔断而形成的熔丝熔断槽（10a）。在半导体基板（1）上形成覆盖修调元素形成区域（70）的第二保护层（11）之后，在由最上层金属配线构成的外部引出焊盘电极（7）上形成镀覆电极（12）。之后，在镀覆电极（12）上形成具有开口且覆盖在包含第二保护层（11）上的半导体基板（1）上的第三保护层（13）。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置具有由用于调整电路特性的导电性熔丝形成的修调元件形成区域，在该制造方法中，准备经过多个工序的所述半导体基板，该多个工序包括：在半导体基板的表面隔着多个绝缘膜将多晶硅配线及多个金属配线构成为多层配线构造的工序；在所述修调元件形成区域的所述多层配线构造的一部分形成一根或者多根导电性熔丝的工序；形成第一保护层的工序，该第一保护层在由所述多层配线构造中的最上层金属配线构成的外部引出焊盘电极表面的一部分及所述修调元件形成区域的一部分具有开口；从所述修调元件形成区域的所述第一保护层的开口部熔断所述导电性熔丝的激光修调工序；该制造方法还包括：形成覆盖在所述激光修调工序结束后的所述修调元件形成区域上的第二保护层的工序；在所述第二保护层形成后，在所述半导体基板的所述第一保护层的开口部所露出的所述外部引出焊盘电极的表面，通过无电解镀覆法形成镀覆电极的工序；在所述半导体基板上形成使所述镀覆电极的一部分露出且由阻焊剂形成第三保护层的工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黑瀬英司，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：