基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片制造技术

技术编号:9059842 阅读:124 留言:0更新日期:2013-08-21 23:04
本发明专利技术的一种基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,其特征在于,所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导,所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔。本发明专利技术的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响,同时引入狭缝光波导结构,使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间,其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度,光与物质相互作用更强,使检测灵敏度更高,检测难度进一步降低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,其特征在于,所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导,所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王卓然袁国慧高亮
申请(专利权)人:成都谱视科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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