包含(3,3,0)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物制造技术

本发明专利技术公开了一种包含(3,3,0)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，包含有下列重量百分比为5%～35%的通式Ⅰ的化合物、10%-60%的通式Ⅱ的化合物、5%-35%的通式Ⅲ的化合物、5%-30%的通式Ⅳ的化合物、5%-30%的通式Ⅴ的化合物，及在此基础上的0～0.2%的旋光性化合物。它具有高电荷保持率、低功耗、低旋转粘度、响应时间快的特点，用于有源矩阵电光学元件和液晶显示器中，可用于制造快速响应的TFT-LCD。

【技术实现步骤摘要】
,3,0)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物的制作方法
本专利技术涉及一种液晶混合物，尤其是指一种包含新型(3，3，O)双环辛烷类单体的正介电液晶组合物。
技术介绍
液晶显示元件根据显示方式分为下列模式:扭曲向列相(TN)模式、超扭曲向列相(STN)模式、共面模式(IPS)、垂直配向(VA)模式。无论何种显示模式均需要液晶组合物具有化学、物理性质稳定，粘度低，具有合适的Λ ε、合适的拆射率Λ η，并且与其他液晶化合物的相溶性要好。随着九十年代初TFT技术的成熟，彩色液晶平板显示器迅速发展，不到10年的时间，TFT-1XD迅速成长为主流显示器，TFT-1XD的优点有很多，主要优点有:使用特性好，可以低压应用，低功耗，轻薄能够平板化，显示质量好，具有高彩色保真度，高亮度，高对比度，高响应速度的优点，显示方式可以有直视型、投影型、透视式和反射式等多种显示方式。TFT-LCD无辐射、无闪烁，对使用者的健康无损害，特别是TFT-LCD电子书刊的出现，将把人类带入无纸办公、无纸印刷时代，引发人类学习、传播和记栽文明方式的革命。TFT-LCD还具有适用范围宽的优点，从-20 V到50 V的温度范围内都可以正常使用，经过温度加固处理的TFT-1XD低温工作温度可达到零下80°C。液晶材料作为液晶显示器重要的光电子材料之一，对改善液晶显示器的性能发挥重要的作用，液晶组合物本身应具有高电荷保持率、高电阻率、低离子浓度、低功耗、低旋转粘度。作为液晶材料，需要具有良好的化学和热稳定性以及对电场和电磁辐射的稳定性。而作为薄膜晶体管技术(TFT -LCD)用液晶材料，除需要具有如上稳定性外，还应具有较宽的向列相温度范围、合适的双折射率各向异性、非常高的电阻率、良好的抗紫外线性能、高电荷保持率以及低蒸汽压等性能。任何的显示用液晶组合物都要求有较宽的液晶态温度，较高的稳定性，比较适合的粘度，对电场有较快的响应速度。但是目前为止还没有任何单一的液晶材料单独用在液晶显示器中，而不用开发其它性能特性的组合物就能够满足性能要求。因此，不断开发新的性能优异的液晶材料对液晶显示发展具有重要的意义。在液晶分子中引入一个二氟亚甲氧基桥(-CF2O-)后，会使它的向列相温度范围很大程度的扩大，同时旋转粘度Y !也有所降低。另外由于二氟亚甲氧基桥(-CF2O-)的偶极矩的贡献，端基氟原子的偶极矩也有一定程度的提高，从而使液晶分子的介电各向异性Λ ε有所增加。德国默克和日本智索公司已经公开了一些具有不同取代基的具有二氟亚甲氧基桥(-CF2O-)的液晶化合物(CN1717468A，CN101143808A，CN101157862A 等)，并用于液晶组合物中。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供一种正介电液晶混合物，它具有高电荷保持率、低功耗、低旋转粘度、响应时间快的特点，适用于有源矩阵电光学元件和液晶显示器中，可用于制造快速响应的TFT-1XD。为解决上述技术问题本专利技术所采取的技术方案是:一种，3，O)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，包括有下列重量百分比为I 40%的通式I的化合物、重量百分比为I 70%的通式II的化合物、重量百分比为I 40%的通式III的化合物、重量百分比为O 40%的通式IV的化合物、重量百分比为O 40%通式V的化合物，权利要求1. 一种，3，O)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，其特征在于包括有下列重量百分比为I 40%的通式I的化合物、重量百分比为I 70%的通式II的化合物、重量百分比为I 40%的通式III的化合物、重量百分比为O 40%的通式IV的化合物、重量百分比为O 40%通式V的化合物，2.根据权利要求I所述的，3，O)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，其特征在于液晶混合物中在通式I、通式II、通式III、通式IV、通式V的化合物的重量百分比之和为100%的基础上再加入O O. 2%的旋光性化合物。3.根据权利要求2所述的，3，O)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，其特征在于液晶混合物中所述通式I的化合物的重量百分比为5% 35%，所述通式II的化合物的重量百分比为10%-60%，通式III的化合物的重量百分比为5%-35%，通式IV的化合物的重量百分比为5%-30%，通式V的化合物的重量百分比为5%-30%。4.根据权利要求I 3任一项所述的，3，O)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，其特征在于所述通式I的化合物为下列化合物的一种或多种5.根据权利要求I 3任一项所述的，3，O)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，其特征在于所述通式II的化合物为下列化合物的一种或多种6.根据权利要求I 3任一项所述的，3，O)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，其特征在于所述通式III的化合物为下列化合物的一种或多种7.根据权利要求I 3任一项所述的，3，O)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，其特征在于所述通式IV的化合物为下列化合物的一种或多种8.根据权利要求I 3任一项所述的，3，O)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，其特征在于所述通式V的化合物为下列化合物的一种或多种9.根据权利要求I 3任一项所述的，3，O)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，其特征在于所述通式I的化合物为下列化合物的一种或多种全文摘要本专利技术公开了一种,3,0)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，包含有下列重量百分比为5%～35%的通式Ⅰ的化合物、10%-60%的通式Ⅱ的化合物、5%-35%的通式Ⅲ的化合物、5%-30%的通式Ⅳ的化合物、5%-30%的通式Ⅴ的化合物，及在此基础上的0～0.2%的旋光性化合物。它具有高电荷保持率、低功耗、低旋转粘度、响应时间快的特点，用于有源矩阵电光学元件和液晶显示器中，可用于制造快速响应的TFT-LCD。文档编号C09K19/46GK103254908SQ201310165508公开日2013年8月21日 申请日期2013年5月7日 优先权日2013年5月7日专利技术者华瑞茂, 夏治国, 丰景义, 韩耀华 申请人:石家庄诚志永华显示材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含(3,3,0)双环辛烷类单体的正介电液晶混合物，其特征在于：包括有下列重量百分比为1～40%的通式Ⅰ的化合物、重量百分比为1～70%的通式Ⅱ的化合物、重量百分比为1～40%的通式Ⅲ的化合物、重量百分比为0～40%的通式Ⅳ的化合物、重量百分比为0～40%通式Ⅴ的化合物，其中，R1、R2、R7、X4、X7、R8分别为下列基团的其中一种：H、Cl、F、CN、OCN、OCF3、CF3、CHF2、CH2F、OCHF2、SCN、NCS、SF5、1～15个碳原子的烷基、1～15个碳原子的烷氧基、2～15个碳原子的烯基、2～15个碳原子的烯氧基，或者1～15个碳原子的烷基、1～15个碳原子的烷氧基、2～15个碳原子的烯基、2～15个碳原子的烯氧基中的一个或多个?CH2?被?CH=CH?、?C≡C?、?COO?、?OOC?、环丁烷、环戊烷、?O?或?S?替代且替代后以氧原子不直接相连的形式所形成的基团，或者1～15个碳原子的烷基、1～15个碳原子的烷氧基、2～15个碳原子的烯基、2～15个碳原子的烯氧基中的一个或多个氢被氟或氯取代后的基团；X1、X2、X3、X5、X6分别为H原子或氟原子；R3、R4、R5、R6分别为下列基团的其中一种：H原子、1～10个碳原子的烷基、1～10个碳原子的烷氧基、2～10个碳原子的链烯基、3～8个碳原子链烯氧基，或者1～10个碳原子的烷基、1～10个碳原子的烷氧基、2～10个碳原子的链烯基、3～8个碳原子的链烯氧基中的任意H原子被氟原子取代后的基团；Z1、Z2、Z3分别为单键或者分别为下列基团的其中一种：?CH2?、?CH2?CH2?、?(CH2)3?、?(CH2)4?、?CH=CH?、?C≡C?、?COO?、?OOC?、?CF2O?、?OCH2?、?CH2O?、?OCF2?、?CF2CH2?、?CH2CF2?、?C2F4?、?CF＝CF?；A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8、A9、A10、A11分别为单键或分别为下列基团的其中一种：a、b、d、e、f、g、h、i分别为0、1、2、3，c为1或2，并且a+b+c≤5。FDA00003154152900011.jpg,FDA00003154152900021.jpg...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：华瑞茂，夏治国，丰景义，韩耀华，
申请(专利权)人：石家庄诚志永华显示材料有限公司，
类型：发明
国别省市：