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高性能调频发射器制造技术

技术编号:9051753 阅读:128 留言:0更新日期:2013-08-15 19:31
本实用新型专利技术公开了一种高性能调频发射器。它包括9V直流电源、拾音电路、振荡频率调整电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路及发射电路,其特征在于:所述的振荡频率调整电路由电位器RP和变容二极管D1组成,电位器RP的一端接电路正极VCC,电位器RP的活动端接变容二极管D1的负极和耦合电容C1的另一端,电位器RP的另一端和变容二极管D1的正极接电路地GND。本实用新型专利技术采用单只NPN型晶体管,利用变容二极管调节高频振荡电路的振荡频率,?从而将声音信号调制成为调频波。因电路只使用一只NPN型晶体管,电路受前后级的牵扯和干扰少,使得振荡电路的频率比较稳定,适合用于无线耳机等高保真度信号传输,适用于课堂教学、文体娱乐等领域。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高性能调频发射器,它包括9V直流电源、拾音电路、振荡频率调节电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路及发射电路,其特征在于:所述的拾音电路由驻极体话筒MIC、电阻R1、耦合电容C1组成,驻极体话筒MIC的输出端D接电阻R1的一端和耦合电容C1的一端,驻极体话筒MIC的金属外壳端S与电路地GND相连,电阻R1的另一端接电路正极VCC;所述的振荡频率调节电路由电位器RP和变容二极管D1组成,电位器RP的一端接电路正极VCC,电位器RP的活动端接变容二极管D1的负极和耦合电容C1的另一端,电位器RP的另一端和变容二极管D1的正极接电路地GND;所述的晶体管偏置电路由NPN型晶体管VT1、电阻R2、电容C2和电阻R3组成,NPN型晶体管VT1的基极接电阻R2的一端、电容C2的一端和电阻R3的一端,电阻R2的另一端接电路正极VCC,电容C2的另一端和电阻R3的另一端接电路地GND;所述的高频振荡电路及发射电路由NPN型晶体管VT1、电容C3、高频振荡线圈L1~L2、负反馈电容C4、负反馈电阻R4、耦合电容C5及发射天线ANT组成,NPN型晶体管VT1的集电极接电容C3的一端和电容C4的一端,电容C3的另一端接变容二极管D1的负极,电容C4的另一端接NPN型晶体管VT1的发射极和负反馈电阻R4的一端,负反馈电阻R4的另一端接电路地GND,NPN型晶体管VT1的集电极接高频振荡线圈L1的一端,高频振荡线圈L1的另一端接高频振荡线圈L2的一端和耦合电容C5的一端,高频振荡线圈L2的另一端接电路正极VCC,耦合电容C5的另一端接发射天线ANT;所述的9V直流电源正极与电路正极VCC相连,9V直流电源负极与电路地GND相连。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:姜秀坤
申请(专利权)人:姜秀坤
类型:实用新型
国别省市:

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