本实用新型专利技术提供了一种像素电路、有机发光显示面板及显示装置，通过设置驱动晶体管、第一存储电容、采集单元、写入单元、发光单元；其中，采集单元用于在第一扫描信号的控制下，采集所述驱动晶体管的阈值电压并将所述阈值电压存储至所述第一存储电容中；所述写入单元，用于在第二扫描信号的控制下，存储所述数据电压输入端输入的数据电压；所述发光单元用于在发光控制信号的控制下，由数据电压和可控低电压输入端输入的电压驱动发光，从而可使有机发光器件不受驱动晶体管的临限电压漂移的影响，可有效提高有机发光显示面板的影像均匀性，可减缓有机发光器件的衰减速度，确保有机发光显示面板亮度的均匀性和恒定性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种像素电路、有机发光显示面板及显示装置。
技术介绍
由于多媒体社会的急速进步，半导体元件及显示装置的技术也随之具有飞跃性的进步。就显示器而言，由于主动式矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic LightEmitting Diode1AMOLED)显示器具有无视角限制、低制造成本、高应答速度(约为液晶的百倍以上)、省电、自发光、可用于可携式机器的直流驱动、工作温度范围大以及重量轻且可随硬件设备小型化及薄型化等等优点以符合多媒体时代显示器的特性要求。因此，主动式矩阵有机发光二极管显示器具有极大的发展潜力，可望成为下一代的新型平面显示器，从而取代液晶显示器(Liquid Crystal Display, IXD)。目前主动式矩阵有机发光二极管显示面板主要有两种制作方式，其一是利用低温多晶硅(LTPS)的薄膜晶体管(TFT)工艺技术来制作，而另一则是利用非晶硅(α -Si)的薄膜晶体管(TFT)工艺技术来制作。其中，由于低温多晶硅的薄膜晶体管工艺技术需要比较多道的掩模制造工艺而导致成本上升。因此，目前低温多晶硅的薄膜晶体管工艺技术主要应用在中小尺寸的面板上，而非晶硅的薄膜晶体管工艺技术则主要应用在大尺寸的面板上。一般来说，采用低温多晶硅的薄膜晶体管工艺技术所制作出来的主动式矩阵有机发光二极管显示面板，其像素电路中的薄膜晶体管的型态可以为P型或N型，但无论是选择P型还是N型薄膜晶体管来实现有机发光二极管像素电路，流经有机发光二极管的电流不仅会随着有机发光二极管的导通电压(VolecLth)经长时间应力的变化而改变，而且还会随着用以驱动有机发光二极管的薄 膜晶体管的临限电压漂移(Vth shift)而有所不同。如此一来，将会连带影响到有机发光二极管显示器的亮度均匀性与亮度恒定性。
技术实现思路
本技术提供了一种像素电路、有机发光显示面板及显示装置。可有效提高有机发光显示面板的影像均匀性，可减缓有机发光器件的衰减速度，确保有机发光显示面板亮度的均匀性和恒定性。本技术实施例提供的技术方案如下:本技术实施例提供了一种像素电路，包括:驱动晶体管、第一存储电容、采集单元、写入单元、发光单元；其中，所述驱动晶体管的源极连接电源电压输入端；所述第一存储电容的第一端连接所述驱动晶体管的栅极；所述采集单元，分别与第一扫描信号输入端、可控低电压输入端、驱动晶体管、第一存储电容的第一端、写入单元以及发光单元连接，用于在第一扫描信号的控制下，采集所述驱动晶体管的阈值电压并将所述阈值电压存储至所述第一存储电容中；所述写入单元，分别与第二扫描信号输入端、数据电压输入端、可控低电压输入端、第一存储电容的第二端以及采集单元连接，用于在第二扫描信号的控制下，存储所述数据电压输入端输入的数据电压；所述发光单元，分别与发光控制信号输入端、驱动晶体管的漏极以及采集单元连接，用于在发光控制信号的控制下，由所述数据电压和所述可控低电压输入端输入的电压驱动发光。优选的,所述采集单元包括:第二晶体管、第四晶体管以及第五晶体管；所述第二晶体管的源极与所述驱动晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的栅极与所述第一扫描信号输入端连接，所述第二晶体管的漏极与所述驱动晶体管的栅极连接；所述第四晶体管的源极与所述第一存储电容的第二端连接，所述第四晶体管的栅极与所述第一扫描信号输入端连接，所述第四晶体管的漏极与所述可控低电压输入端连接;所述第五晶体管的栅极与所述第一扫描信号输入端连接，所述第五晶体管的漏极与所述可控低电压输入端连接。优选的，所述写入单元包括:第三晶体管和第二存储电容；所述第三晶体管的源极分别与所述第一存储电容的第二端、第二存储电容的第一端、第四薄膜晶体管的源极连接，所述第三晶体管的栅极与所述第二扫描信号输入端连接，所述第三晶体管的漏极与所述数据电压输入端连接；所述第二存储电容的第二端与所述可控低电压输入端连接。优选的，所述发光单元包括:第六晶体管以及有机发光二极管；所述第六晶体管的源极分别与所述驱动晶体管的漏极、第二晶体管的源极连接，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号输入端连接，所述第六晶体管的漏极分别与所述第五晶体管的源极、有机发光二极管的阳极连接；所述有机发光二极管的阴极接地。优选的 ，所述驱动晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管均为P型晶体管。优选的，所述可控低电压输入端接地。本技术实施例还提供了一种有机发光显示面板，该有机发光显示面板具体可以包括上述本技术实施例提供的像素电路。本技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置具体可以包括上述本技术实施例提供的有机发光显示面板。从以上所述可以看出，本技术提供的像素电路、有机发光显示面板及显示装置，通过设置驱动晶体管、第一存储电容、采集单元、写入单元、发光单元；其中，采集单元用于在第一扫描信号的控制下，采集所述驱动晶体管的阈值电压并将所述阈值电压存储至所述第一存储电容中；所述写入单元，用于在第二扫描信号的控制下，存储所述数据电压输入端输入的数据电压；所述发光单元用于在发光控制信号的控制下，由数据电压和可控低电压输入端输入的电压驱动发光，从而可使有机发光器件不受驱动晶体管的临限电压漂移的影响，可有效提高有机发光显示面板的影像均匀性，可减缓有机发光器件的衰减速度，确保有机发光显示面板亮度的均匀性和恒定性。附图说明图1为本技术实施例提供的像素电路结构示意图一；图2为本技术实施例提供的像素电路结构示意图二 ；图3为本技术实施例提供的像素电路驱动方法流程示意图；图4为本技术实施例提供的像素电路驱动信号时序图；图5为本技术实施例提供的像素电路结构示意图三。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者·“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。本技术实施例提供了一种像素电路，如附图1所示，该像素电路具体可以包括:驱动晶体管Tl、第一存储电容Cl、采集单元11、写入单元12、发光单元13 ;其中，驱动晶体管Tl的源极连接电源电压Vdd输入端；第一存储电容Cl的第一端连接驱动晶体管Tl的栅极；米集单兀11，分别与第一扫描信号Scanl输入端、可控低电压Vref输入端、驱动晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种像素电路，其特征在于，包括：驱动晶体管、第一存储电容、采集单元、写入单元、发光单元；其中，所述驱动晶体管的源极连接电源电压输入端；所述第一存储电容的第一端连接所述驱动晶体管的栅极；所述采集单元，分别与第一扫描信号输入端、可控低电压输入端、驱动晶体管、第一存储电容的第一端、写入单元以及发光单元连接，用于在第一扫描信号的控制下，采集所述驱动晶体管的阈值电压并将所述阈值电压存储至所述第一存储电容中；所述写入单元，分别与第二扫描信号输入端、数据电压输入端、可控低电压输入端、第一存储电容的第二端以及采集单元连接，用于在第二扫描信号的控制下，存储所述数据电压输入端输入的数据电压；所述发光单元，分别与发光控制信号输入端、驱动晶体管的漏极以及采集单元连接，用于在发光控制信号的控制下，由所述数据电压和所述可控低电压输入端输入的电压驱动发光。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：尹静文，吴仲远，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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