本发明专利技术涉及一种图像传感器圆片级封装方法及其结构。包括以下步骤：提供一包含若干芯片的图像传感器晶片(1)，与一透明基板(5)键合；之后对图像传感器晶片(1)进行背减薄；在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极(4)对应的位置打孔，形成若干第一通孔；然后喷涂绝缘层(8)并固化；在第一通孔内的绝缘层上继续形成横截面为倒梯形的第二通孔至暴露出所述焊盘电极(4)；所述第一通孔与第二通孔同轴；接着依次溅射金属种子层(10)、电镀形成金属互联层(11)；接着依次制备第二钝化层(12)和焊料凸点(13)。本发明专利技术整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种图像传感器的硅通孔(TSV)圆片级封装工艺。属于图像传感器封装制造领域。
技术介绍
一般而言，图像传感器是一种半导体模块，是用以将一光学图像转换成电子信号，并且存储图像信号和将其传输至一显示装置。随着信息技术的发展，图像传感模块越来越广泛地应用到了数字移动产品中，尤其是蜂窝手机，其市场也保持增长了多年。然而，随着半导体行业微型化、多功能的趋势和市场上的持续竞争，新一代的移动产品对图像传感模块有着更高的要求，例如小外形和低成本。传统的图像传感模块封装，例如板上芯片技术(Chip On Board, COB)和覆晶柔性电路板技术(Chip On Flexible，C0F)，由于封装方法的限制很难满足这些要求。圆片级封装技术(WaferLevel Packaging, WLP)为满足这种要求提供了很好的解决途径。WLP技术是指在芯片未被切割的情况下在晶片级完成整个封装工序，如塑封、引线焊接和封装测试等，切割后得到封装好的最终产品，被认为是下一代的芯片尺寸封装技术(ChipSize Packaging, CSP)。应用到图像传感器封装领域,WLP技术具有小尺寸、高性能和低成本的优势。在该技术中，为了从图像传`感器正面的焊盘引到背面实现电连接，几种结构被开发了出来，如T型连接和TSV (Through silicon Via)。图1是显不Tessera制造该图像传感器封装的WLCSP(Wafer Level Chip SizePackaging)截面构造图。参考图1，经由一预订的制程，在晶片101的正面上形成多个图像传感器组件例如图像传感单元102和一焊盘电极103。将该晶片以树脂105粘合到透明基板104上。刻蚀晶片101形成凹槽106，随后灌胶、在背面键合基板114，从背面开槽、后沉积金属连线、形成T型连接109，并制作外部电极110。最后沿切割线115处切割该晶片，得到多个封装好的芯片。此后，透过一预设的制程，便可组成一图像装置模块，例如摄像机。然而，上述圆片级封装后的结构后续经过切割步骤分成多个封装集成电路元件后，T型连接的一段暴露在外界，易受湿气穿透，从而遭受到腐蚀及剥离等可靠性问题发生。因此，这种形式的封装往往无法通过高温/高湿度测试等可靠性测试而失效。同时，在上述的制造方法中，由于该T-型连接109的连接面积很小，很可能发生龟裂，同样易造成连接接头的可靠性问题。WLP的另一种实现方式是TSV技术。由于采用垂直互连，TSV技术可以大幅度地缩短电互连长度，从而减小了信号延迟，提高了电性能。同时，TSV技术可以轻易地实现三维堆叠封装，因此被作为高性能三维高密度封装的主要技术手段。由于可以实现正面电极的背面引出，且具有高密度、小体积的特点，近年来被应用到了图像传感器的封装领域。目前加工硅通孔互连结构的主要工艺方法为:利用Bosch反应离子刻蚀-感应耦合等离子体方法在晶圆表面刻蚀盲孔；用化学气相沉积氧化物或氮化物钝化在硅表面形成绝缘层；金属化硅通孔，采用铜电镀的方法填充硅通孔，用化学机械抛光移除多余的铜电镀层；背面磨削晶圆，暴露出铜导体层，完成通孔结构。然而，如上所述，这种技术使用了诸如RIE、CVD和CMP等工艺，使得成本高昂，因而只使用在高端产品，不适合低端产品应用。同时，基板与铜结构之间只有一层很薄的绝缘层，使得TSV互连形成了很高的电容，有时甚至超过了标准引线互连方式的电容值。工艺中使用了等离子干法刻蚀的方法，整个器件暴露在离子的轰击之下，容易造成器件的失效，尤其是对离子轰击敏感的器件，如GaAs图像传感器。鉴于此，有必要提供一种图像传感器圆片级封装方法及其结构以解决上述问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种图像传感器圆片级封装方法及其结构，用于解决现有技术中T型连接可靠性差、常规TSV方法成本高、电容值大以及对器件的辐照损伤的问题。本专利技术所采取的技术方案是提供一种图像传感器圆片级封装方法，该方法包括以下步骤:I)提供一包含若干芯片的图像传感器晶片，与一透明基板键合；所述芯片包括形成于其正面的图像传感单元以及分布于图像传感单元周围的若干焊盘电极；2)之后对图像传感器晶片进行背减薄；3)之后在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极对应的位置打孔，形成若干横截面为倒梯形的第一通孔，孔深为穿透背减薄之后的整个图像传感器晶片；4)在步骤3)之后获得的结构上喷涂绝缘层并固化； 5)在第一通孔内的绝缘层上继续形成横截面为倒梯形的第二通孔至暴露出所述焊盘电极；所述第一通孔与第二通孔同轴；6)接着依次溅射金属种子层、电镀形成金属互联层；7)接着依次制备第二钝化层和焊料凸点。优选地，所述图像传感器晶片的材料为砷化镓GaAs。优选地，步骤I)中图像传感器晶片与一透明基板使用BCB作为粘结剂键合。优选地，步骤I)中的透明基板为玻璃基板。优选地，步骤2)中对图像传感器晶片进行背减薄包括先使用机械研磨减薄，接着采用化学机械抛光减薄的步骤。优选地，所述绝缘层的材料为环氧树脂。优选地，所述步骤6)中溅射金属种子层包括依次溅射黏附层和种子层的步骤。优选地，所述步骤7)中制备钝化层利用旋涂环氧树脂的方法制作。优选地，所述步骤7)中焊料凸点包括以下步骤:首先在制备好第二钝化层后获得的结构上旋涂一层光刻胶，光刻；使用反应离子刻蚀对第二钝化层进行开口，刻蚀完成后使用丙酮去胶，溅射金属薄膜作为焊料凸点的UBM层；使用电镀法在UBM层上制备焊料凸点。优选地，所述第一通孔的间距为150um。本专利技术还提供一种上述的方法制备的图像传感器圆片级封装结构。本专利技术的实际效果是在制作的硅通孔结构的基础上实现了图像传感器的圆片级封装，该图像传感器封装模块具有较小的体积和较高的封装可靠性。激光在环氧树脂上制作的通孔结构具有较小的电容值和较小的信号延迟，同时实现了较高的互连密度。整个制作工艺对器件无辐照损伤，且与IC工艺过程兼容，具有低成本优势。附图说明图1是显示现有技术中图像传感器的WLCSP封装结构的截面构造图。图2至图11显示的是本专利技术图像 传感器封装工序截面示意图，其是本专利技术的一较佳实施例。元件标号说明图像传感器晶片I图像传感单元2第一钝化层3焊盘电极4透明基板5BCB 粘结剂6第一通孔7绝缘层8第二通孔9金属互联层10去除种子层之后的金属互联层11第二钝化层12焊料凸点13晶片101图像传感单元102电极焊盘103透明基板104树脂105凹槽106T 型连接109外部电极110金属连线111背面基板114切割线11具体实施例方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图2至图11。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。本专利技术的具体工艺步骤为:A.晶片键合与背减薄(a)在图像传感本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)提供一包含若干芯片的图像传感器晶片(1)，与一透明基板(5)键合；所述芯片包括形成于其正面的图像传感单元(2)以及分布于图像传感单元周围的若干焊盘电极(4)；2)之后对图像传感器晶片(1)进行背减薄；3)之后在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极(4)对应的位置打孔，形成若干横截面为倒梯形的第一通孔，孔深为穿透背减薄之后的整个图像传感器晶片；4)在步骤3)之后获得的结构上喷涂绝缘层(8)并固化；5)在第一通孔内的绝缘层上继续形成横截面为倒梯形的第二通孔至暴露出所述焊盘电极(4)；所述第一通孔与第二通孔同轴；6)接着依次溅射金属种子层(10)、电镀形成金属互联层(11)；7)接着依次制备第二钝化层(12)和焊料凸点(13)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶交托，罗乐，徐高卫，王双福，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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