一种有机小分子半导体材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低能级有机小分子半导体材料及其制备方法。式Ⅰ中，R1、R2和Ra均选自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一种，所述烷基为碳原子数为1～16的直链或支链烷基，所述芳香基为苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮杂环基或含硅杂环基。本发明专利技术提供的式Ⅰ所示化合物中，不同取代的基团可以使得材料的荧光发射波长向红光或蓝光方向移动，扩展应用范围；本发明专利技术提供的化合物可用作有机半导体光电材料，因此为有机半导体光电材料提供了一种新的体系。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，有机电子器件以其易加工、低成本、高适应性吸引了全世界学术界和产业界的目光。有机半导体器件如有机太阳能电池(OPV)、有机发光二极管(OLED )、有机电致变色(OEC)及有机薄膜晶体管(OTFT)等已经在许多领域开发应用。在所有这些有机光电领域，有机光电材料是关键。设计合成具有工艺简单、成本较低、材料性能稳定和长寿命以达到商业化目的的有机半导体材料将会具有很广的应用前景。π共轭噻吩是一类有良好光电性能的有机材料，尤其令人感兴趣是某些非经典噻吩并噻吩展示了有机导体材料的性能，使得这一领域的研究不仅具有理论价值，而且具有潜在的应用前景。1967年，Cava等最先对噻吩并噻吩体系进行了研究，他们报道了反应活性很高、不稳定的1，3-二取代噻吩并噻吩存在的证据。1991年Ishii和Nakayama等通过连接上噻吩基团,Cava等连接上氰基等吸电子基团得到了较稳定的衍生物。但是，噻吩并噻吩及其简单衍生物仅限于以上少量有关合成的报道，事实上，以噻吩并噻吩为核，可以制备一系列有机半导体光电材料，但是相关衍生物及其制备方法却未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种低能级有机小分子半导体材料及其制备方法。本专利技术所提提供的低能级有机小分子半导体材料的结构式如式I所示，权利要求1.式I所示化合物，2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于:所述噻吩基为苯并噻吩基或二苯并噻吩基； 所述含氮杂环 基为吡咯、咔唑、噻唑、噻二唑、吡啶或哌啶； 所述含硅杂环基为噻咯或苯并噻咯。3.式I所示化合物的制备方法，包括如下步骤: (1)式II所示甘氨酸化合物与式III所示乙炔化合物经酰化反应得到式IV所示化合物；4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于:步骤(I)中，式II所示甘氨酸化合物与式III所示乙炔化 合物的摩尔比为1:1 1.5 ; 步骤(3)中，式V所示吡咯化合物与式VI所示乙炔化合物的摩尔比为1:1 1.5。5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于:步骤(2)中，式IV所示化合物与P2X5的摩尔比为1:1.5 2.5 ; 步骤(5)中，式VDI所示化合物与P2Y5的摩尔比为1:1.5 2.5。6.根据权利要求3-5中任一项所述的方法，其特征在于:步骤(I)、步骤(2)、步骤(3)、步骤(4)和步骤(5)中所述反应均在惰性气氛下进行。7.根据权利要求3-6中任一项所述的方法，其特征在于:步骤(4)中，所述脱氨反应在间氯过氧苯甲酸的作用下进行。全文摘要本专利技术公开了一种低能级有机小分子半导体材料及其制备方法。式Ⅰ中，R1、R2和Ra均选自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一种，所述烷基为碳原子数为1～16的直链或支链烷基，所述芳香基为苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮杂环基或含硅杂环基。本专利技术提供的式Ⅰ所示化合物中，不同取代的基团可以使得材料的荧光发射波长向红光或蓝光方向移动，扩展应用范围；本专利技术提供的化合物可用作有机半导体光电材料，因此为有机半导体光电材料提供了一种新的体系。文档编号H01L51/30GK103242343SQ201310179640公开日2013年8月14日 申请日期2013年5月15日 优先权日2013年5月15日专利技术者孟鸿, 张小涛, 苑晓 申请人:北京博如德工程技术研究有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
式Ⅰ所示化合物，式Ⅰ式Ⅰ中，R1、R2和Ra均选自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一种，所述烷基为碳原子数为1～16的直链或支链烷基，所述芳香基为苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮杂环基或含硅杂环基；X、Y均选自O、N、S和Se中任一种；n为1～7之间的自然数。FDA00003193304500011.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孟鸿，张小涛，苑晓，
申请(专利权)人：北京博如德工程技术研究有限公司，
类型：发明
国别省市：