上电复位电路制造技术

技术编号:9025230 阅读:174 留言:0更新日期:2013-08-09 04:53
一种上电复位电路,包括复位信号产生电路,该复位信号产生电路包括:启动电阻电路,电容C0,PMOS管Mp0、Mp1、Mp2,NMOS管Mn0、Mn1、Mn2;Mp0的第一金属极、启动电阻电路、电容C0、Mn2的栅极分别接入电源VDD,Mp0的第二金属极与Mp1的第一金属极连接,Mp1的第二金属极与Mp2的第一金属极连接,Mp2的第二金属极与Mn1的第一金属极连接,启动电阻电路的另一端、电容C0的另一端、Mp2的栅极、Mn1的栅极与Mn0的栅极和第一金属极相互连接,Mn0的第二金属极与Mn2的第一金属极连接,Mp0的栅极、Mp1的栅极、Mn1的第二金属极、Mn2的第二金属极接地。根据本实用新型专利技术,无论是电源VDD上电速度快还是慢,都可以有效地输出复位信号,使芯片复位,提高了上电复位的可靠性。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种上电复位电路,其特征在于,包括复位信号产生电路,所述复位信号产生电路包括:启动电阻电路,电容C0,PMOS管Mp0,PMOS管Mp1,PMOS管Mp2,NMOS管Mn0,NMOS管Mn1,NMOS管Mn2;PMOS管Mp0的第一金属极、启动电阻电路、电容C0、NMOS管Mn2的栅极分别接入电源VDD,PMOS管Mp0的第二金属极与PMOS管Mp1的第一金属极连接,PMOS管Mp1的第二金属极与PMOS管Mp2的第一金属极连接,PMOS管Mp2的第二金属极与NMOS管Mn1的第一金属极连接,启动电阻电路的另一端、电容C0的另一端、PMOS管Mp2的栅极、NMOS管Mn1的栅极与NMOS管Mn0的栅极和第一金属极相互连接,NMOS管Mn0的第二金属极与NMOS管Mn2的第一金属极连接,PMOS管Mp0的栅极、PMOS管Mp1的栅极、NMOS管Mn1的第二金属极、NMOS管Mn2的第二金属极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈春平
申请(专利权)人:珠海市杰理科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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