一种防窃电装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种防窃电装置，该装置就是针对这类公开的窃电采取技术措施，在供电端打乱正弦交流电的特征属性，再送到输电线路上，到用电端再采用反向技术措施，恢复被打乱正弦交流电的特征属性。这样，对于在输电途中窃电的非法用户，其盗窃的电能是非正常的交流电，无法正常使用，甚至会导致部分家用电器损坏，这样就失去了盗电的动力，慢慢地就不去盗电了；而对于合法用户，由于在用电端已采用反向技术措施，恢复了正弦交流电的特征属性，所以使用起来与使用普通市电一样，没有任何差别。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种防窃电装置。
技术介绍
无人值守的用电设施，如通信基站等，其用电一般就近取自公共电网，经过电能计量装置、开关及安保装置、输电电线(或电缆)等输送到用电设施，如通信基站等，如图1示:高压市电通过变压器变压产生目前使用的220VAC (单相)电压，或者三相的380VAC，通过输电电线从供电端传送到用电端。从图1中可以看出，从供电端到用电端的输电电线(或电缆)是裸露在户外的，这将成为非法用户下手的目标。非法用户通常是在这段供电线路上私自拉线，直接盗电。
技术实现思路
本技术提供一种防窃电装置，以解决无法防止非法用户在供电端和合法用户的用电端之间的输电电线上私自拉线直接盗电的技术问题。为了解决以上技术问题本技术的技术方案是:一种防窃电装置，包括供电端和用电端以及将供电端与用电端的输电电线；在所述的供电端设置有将交流电波波形分开成正半周相位波形和负半周相位波形的分相器，在所述的用电端设置有将交流电波波形的正半周相位波形和负半周相位波形结合恢复成完整交流电波的合相器，所述的输电电线分别将正半周相位波形和负半周相位波形的交流电波波形从所述的分相器传送到合相器。进一步的，上 述的防窃电装置中:所述的输电电线包括正半周相位波形传输线、负半周相位波形传输线和零线传输线；所述的分相器包括二极管Dl和二极管D2 ;所述的二极管Dl的阳极接电源输入端，二极管Dl的阴极接正半周相位波形传输线；所述的二极管D2的阴极接电源输入端，二极管D2的阳极接负半周相位波形传输线；所述的合相器包括单向可控硅SCRl和单向可控硅SCR2 ;所述的单向可控硅SCRl的阳极接正半周相位波形传输线，单向可控硅SCRl的阴极接输出端，并单向可控硅SCR2的阳极接输出端，单向可控硅SCR2的阴极接负半周相位波形传输线；所述的单向可控硅SCRl和单向可控硅SCR2的栅极分别接控制电路，所述的控制电路在正半周时控制单向可控硅SCR2导通，在负半周时，控制和单向可控娃SCRl导通。进一步的，上述的防窃电装置中:所述的控制电路包括相位过零检测电路、微处理器和光耦隔离触发电路；所述的过零检测电路包括正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路；所述的光耦隔离触发电路包括触发单向可控硅SCRl的第一光耦隔离触发电路和触发单向可控硅SCR2的第二光耦隔离触发电路；所述的正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路的输出分别接所述的微处理器，所述的第一光耦隔离触发电路和第二光耦隔离触发电路的控制端分别接微处理器输出进一步的，上述的防窃电装置中:所述的正半周相位波形过零检测电路包括光耦U4、限流电阻R3、击穿二极管ZDl ;所述的光耦U4的输入发光二极管的阳极通过所述的限流电阻R3接正半周相位波形传输线，所述的击穿二极管的负极接所述的光耦U4的输入发光二极管的阳极，所述的击穿二极管的正极接所述的光耦U4的输入发光二极管的阴极并零线传输线；所述的光耦U4的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地；所述的负半周相位波形过零检测电路包括光耦U5、限流电阻R4、击穿二极管ZD2，所述的光耦U5的输入发光二极管的阴极通过所述的限流电阻R4接负半周相位波形传输线，所述的击穿二极管ZD2的正极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阴极，所述的击穿二极管的负极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阳极并接零线传输线；所述的光耦U5的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地。进一步的，上述的防窃电装置中:所述的第一光耦隔离触发电路包括光耦U1、限流电阻Rl ;所述的光耦Ul输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；所述的光耦Ul的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器输出，所述的光耦Ul的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻Rl接正半周相位波形传输线，另一端接所述的单向可控硅SCRl的栅极；所述的第二光耦隔离触发电路包括光耦U2、限流电阻R2 ;所述的光耦U2输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；所述的光耦U2的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器输出，所述的光耦U2的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻R2接合相器输出端，经负载接零线传输线；另一端接所述的单向可控硅SCR2的栅极。进一步的，上述的防窃电装置中:在所述的光耦Ul的光敏二端开关元件两端和光耦U2的光敏二端开关元件两端设置有由微处理器控制的继电器，其常闭触点接在所述的光耦Ul的光敏二端开关元件两端和光耦U2的光敏二端开关元件两端。进一步的，上述的防窃电装置中:还包括与控制中心的通信端口，所述的微处理器通过所述的通信端口与 控制中心相连，控制中心通过通信端口对合法用户的防窃电装置进行授权，利用微处理器使所述的第一、二光耦隔离触发电路轮流输出触发脉冲，使SCR1、SCR2轮流导通。本技术通过改变电波的波形特征使没有恢复的电波信号不适合于绝大部分家用电器使用，使非法用户失去窃电动力，从而减少电力被窃的机会。以下将结合附图和实施例，对本技术进行较为详细的说明。附图说明图1是供配电系统示意图；图2是本技术实施例1防窃电装置原理图；图3是本技术实施例1采用的正半周相位波形过零检测电路原理图；图4是本技术实施例1采用的负半周相位波形过零检测电路原理图；图5是本技术实施例1的光耦触发电路原理图；图6是本技术实施例1的微处理器及外围接口电路原理图；图7是本技术实施例2防窃电装置原理具体实施方式如图2所示:本实施例是一种防窃电装置，包括供电端和用电端以及将供电端与用电端的输电电线(或电缆)；在供电端设置有将交流电波波形分开成正半周相位波形和负半周相位波形的分相器，在用电端设置有将交流电波波形的正半周相位波形和负半周相位波形结合生成完整交流电波的合相器，输电电线分别将正半周相位波形和负半周相位波形的交流电波波形从所述的分相器传送到合相器。本实施例中为单相交流电输出系统，输电电线包括正半周相位波形传输线、负半周相位波形传输线和零线传输线三根线，比目前没有防窃电装置的传输方式多一根导线；其中，正半周相位波形传输线和负半周相位波形传输线上所传输的电流是原相线的一半；分相器包括二极管Dl和D2，二极管Dl的阳极接电源输入端，二极管Dl的阴极接正半周相位波形传输线；二极管D2的阴极接电源输入端，二极管D2的阳极接负半周相位波形传输线.合相器包括单向可控硅SCRl和单向可控硅SCR2 ;单向可控硅SCRl的阳极接正半周相位波形传输线，单向可控硅SCRl的阴极接输出端，并单向可控硅SCR2的阳极接输出端，单向可控硅SCR2的阴极接负半周相位波形传输线；单向可控硅SCRl和单向可控硅SCR2的栅极分别接控制电路，控制电路在正半周时控制单向可控硅SCRl导通，在负半周时，控制单向可控硅SCR2导通。本实施例中的控制电路如图3、4、5所示，控制电路包括相位过零检测电路、微处理器和光耦隔离触发电路；微处理器及外围电路如图6所示，微处理器的各引脚可以自己定义为输入和输出，但通信端口 TXD、RXD是固定的。在微处理的TXD、RXD与外部的通信端口 TX、RX相连接，这样，控制中心可以通过通信端口对合法用户的防窃电装置进行授权，第一、二光耦隔离触发电路轮流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防窃电装置，包括供电端和用电端以及将供电端与用电端相连接的输电电线；其特征在于：在所述的供电端设置有将交流电波波形分开成正半周相位波形和负半周相位波形的分相器，在所述的用电端设置有将交流电波波形的正半周相位波形和负半周相位波形结合恢复成完整交流电波的合相器，所述的输电电线分别将正半周相位波形和负半周相位波形的交流电波波形从所述的分相器传送到合相器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马新国，
申请(专利权)人：马新国，
类型：实用新型
国别省市：