激光切割用辅助片制造技术

本发明专利技术提供一种即使在使用了短波长的激光的切割工序中也不会被全部切割、且不会使作业性降低的激光切割用辅助片。本发明专利技术的激光切割用辅助片的特征在于，是含有由聚烯烃膜构成的基材和所述基材的一面上所具有的粘接层的激光切割用辅助片，300～400nm的波长区域下的全光线透过率为50％以上，300～400nm的波长区域下的雾度为70％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在利用激光的照射使半导体晶片、光器件晶片等基板单片化来制造半导体芯片、光器件等时，用于固定该半导体晶片、光器件晶片等基板所优选使用的激光切割用辅助片。
技术介绍
在半导体晶片、光器件晶片等基板中，例如对于半导体晶片，会在表面形成了电路后进行如下工序:对半导体晶片的背面侧实施磨削加工，调节半导体晶片的厚度的背面磨削工序；以及，使半导体晶片单片化至预定的芯片尺寸的切割工序。另外，继背面磨削工序之后，有时还会对背面实施蚀刻处理.抛光处理等加工处理、如向背面蒸镀金属膜这样在高温下进行的处理。在上述的切割工序中，通常进行将切割用辅助片固定于半导体晶片的操作(专利文献I)。通过在上述工序中使用该切割用辅助片，从而可以防止半导体芯片发生破片(碎片)、芯片发生飞散的情况，并且还可以防止半导体晶片的破损。上述切割用辅助片通常具有在由塑料膜等构成的基材层上涂布丙烯酸系粘接剂等并进行干燥、从而层叠厚度约I 50 μ m的粘接层的结构。半导体晶片的切割通常使用旋转圆刀(刮刀)来进行，近年来提出了使用激光的切割(激光切割)。通 过激光切割，有时即使利用刀具切割仍难以切断的工件也可被切断，因而受到关注。提出了多种用于这种激光切割的激光切割片(专利文献2 3)。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开平2-187478号公报专利文献2:日本特开2002-343747号公报专利文献3:日本特开2005-236082号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题近年来，对这样的半导体芯片、光器件芯片等提出了小型化.薄型化的要求，为了应对该要求，也需要使半导体晶片、光器件晶片等的基板薄型化。如果使上述半导体晶片、光器件晶片等的基板薄型化则通常强度会降低，为了保证强度已开始使用具有高于以往的硬度的基板、例如，已开始使用蓝宝石基板、在铜上蒸镀银的基板等。这些基板如上所述具有高硬度，因此对于一直以来所使用的激光而言在切割上述基板的能力方面将存在不足。因此，近年来为了应对上述问题，已开始使用300 400nm左右的短波长的激光。上述短波长激光的能量密度高切割能力优异，但例如如果是半导体晶片，则在切割工序中不只是半导体晶片而且会将切割辅助胶带全切割，产生半导体芯片的回收的作业性降低的问题。本专利技术的一个方面是提供即使在使用了短波长的激光的切割工序中也不会被全切割、且不会使作业性降低的激光切割用辅助片。用于解决课题的方法本专利技术人发现通过使用聚烯烃膜作为基材，并且以具备特定的光学特性的方式来构成，从而可以得到具备上述性能的激光切割用辅助片，进而完成了本专利技术。S卩，本专利技术的激光切割用辅助片的特征在于，是含有基材和在基材的一面所具有的粘接层的激光切割用辅助片，基材含有聚烯烃膜，300 400nm的波长区域下的全光线透过率为50%以上，300 400nm的波长区域下的雾度为70%以上。另外，本专利技术的激光切割用辅助片的特征在于，优选基材含有单层或多层的聚丙烯膜或聚乙烯膜，或者含有多层的聚丙烯膜及聚乙烯膜。专利技术的效果根据上述发 明，激光切割用辅助片是含有基材和在所述基材的一面所具有的粘接层的激光切割用辅助片，基材含有聚烯烃膜，300 400nm的波长区域下的全光线透过率为50%以上，300 400nm的波长区域下的雾度为70%以上，因此在使用了短波长的激光的切割工序中不会被全切割、且不存在使作业性降低的情况。具体实施例方式本专利技术的激光切割用辅助片的特征在于，是含有基材和在所述基材的一面所具有的粘接层的激光切割用辅助片，基材含有聚烯烃膜，300 400nm的波长区域下的全光线透过率为50%以上，300 400nm的波长区域下的雾度为70%以上。以下，以半导体晶片的加工作业为例，对各构成要素的实施方式进行说明。需要说明的是，本专利技术的“全光线透过率”是指JIS K7375:2008中规定的全光线透过率。另外，“雾度”是指利用下述的计算式计算出的值。雾度(％ )=(扩散光透光率/全光线透过率)X 100另外，“300 400nm的波长区域下的全光线透过率”是指，在300 400nm的波长区域下内，每隔Inm的间隔测定全光线透过率而得的值的平均值。另外，“300 400nm的波长区域下的雾度”是指，在300 400nm的波长区域下中，每隔Inm间隔测定雾度而得的值的平均值。对于本专利技术的激光切割用辅助片而言，300 400nm的波长区域下的全光线透过率为50%以上。通过使上述波长区域下的全光线透过率为50%以上，从而可以防止短波长的激光在该激光切割用辅助片上停留，可以防止该激光切割用辅助片发生破断。300 400nm的波长区域下的全光线透过率优选为70%以上，更优选为80%以上。另外,对于本专利技术的激光切割用辅助片而言,300 400nm的波长区域下的雾度为70%以上。通过使雾度为70%以上，从而可以在短波长的激光被照射至该激光切割用辅助片时使光分散，可以防止该激光切割用辅助片发生破断。雾度优选为75%以上，更优选为80%以上。需要说明的是，本专利技术所规定的300 400nm的波长区域下的全光线透过率及雾度是指使光从本专利技术的激光切割用辅助片的粘接层侧入射时的值，但是也可以在使光从基材侧入射时满足上述的值。基材含有聚烯烃膜。聚烯烃膜相对于波长为300 400nm左右的短波长激光其透光率较高，因此通过使用该聚烯烃膜作为激光切割用辅助片，从而可以防止因短波长激光的照射而被全切割的情况。作为聚烯烃膜，可以列举出:聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丙烯-丁烯共聚物等的膜。其中优选使用量产性优异且激光加工性低的聚乙烯膜、聚丙烯膜，特别优选使用聚乙烯膜。该聚烯烃膜中，为了满足本申请专利技术所规定的全光线透过率、雾度而可以含有颜料。作为这样的颜料，可以列举出:由苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚氨酯树脂、苯并胍胺树脂、尼龙树脂、硅酮树脂、丙烯酸树脂等构成的有机树脂粒子，二氧化硅、硫酸钡、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钛、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氧化锆、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼等无机粒子等。作为基材所使用的聚烯烃膜既可以是由一张上述这样的膜构成的聚烯烃膜(单层)，也可以是将多张同一种类或不同种类(例如聚丙烯膜和聚乙烯膜)的聚烯烃膜贴合而得的层叠结构(多层)。作为基材的厚度(在基材为层叠结构的情况下，指总厚度)，优选为30 300 μ m,更优选为50 150 μ m。通过设为30 μ m以上，从而可以适当防止利用短波长激光进行的全切割。另外，通过设为300 μ m以下，从而可以维持扩展性(全部方向的均匀拉伸性)，另外，可以防止给本专利技术中规定的光学特性带来影响的情况。只要基材的厚度在30 300 μ m的范围内，就会比较容易地满足本专利技术所规定的全光线透过率及雾度。作为粘接层，可以使用丙烯酸系压敏粘接剂、橡胶系压敏粘接剂等压敏粘接剂，热熔粘接剂等粘接剂，可热压接的热塑性树脂膜等。另外，从工序中(切割等)的被粘物的固定方面优异、并且在工序结束后易于从切割用辅助片将被粘物剥离的方面出发，优选在常温下具有压敏粘接性、·且粘接力会因加热或电离放射线照射等所引起的交联固化而降低的粘接剂。另外，在粘接层中，为了满足本专利技术所规定的全光线透过率及雾度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸山光则，阿部信行，
申请(专利权)人：木本股份有限公司，
类型：
国别省市：