本发明专利技术可提供具有优异导电性及粘接性，同时防止沉降或渗出的导电性的稳定性优异的导电性粘接剂。该导电性粘接剂包含：(A)主链骨架为选自由聚氧化烯系聚合物、饱和烃系聚合物及(甲基)丙烯酸酯系聚合物所组成的组中的1种以上且具有交联性硅基的有机聚合物；(B)银粉，其以指定的混合比例含有比表面积为0.5m2/g以上且不足2m2/g，振实密度为2.5～6.0g/cm3的第一银粉(b1)，与比表面积为2m2/g以上7m2/g以下，振实密度为1.0～3.0g/cm3的第二银粉(b2)；及，(C)选自由经特定的表面处理剂疏水化处理后的疏水性二氧化硅及亲水性二氧化硅所组成的组中的1种以上的二氧化硅。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及导电性粘接剂，特别涉及导电性及粘接性优异的导电性粘接剂。
技术介绍
以往，作为具有交联性硅基的有机聚合物的导电性填料，利用银粉等金属粉末或碳黑(专利文献I)。近年来，在半导体元件等电子构件的接合或石英振动元件或压电元件的粘接中，使用导电性粘接剂，但在这些用途中，体积电阻率必须小于10X10_3Q _，要求电阻值更低的材料。作为含有银粉的导电性粘接剂，专利文献2公开了含有通过银箔的粉碎而得的平均粒径45 ii m以上1000 u m所成的薄片状银箔的粉碎粉与树枝状50 y m的银粉的导电性弹性粘接剂。另外，专利文献3公开了含有将银箔粉碎而得的平均粒径45 ii m 100 ii m的皱巴巴状银粉的表观密度0.01g/cm3 0.lg/cm3的膨松银粉，其作为具有反应性硅基的高分子化合物系的导电性粘接剂中所用的银粉。然而，专利文献2及3记载的导电性粘接剂中，银粉的粒径都大，而且有电阻值高或不稳定等问题。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特公平4-56064号公报专利文献2:日本特开平3-217476号公报专利文献3: 日本特开平5-81923号公报
技术实现思路
专利技术所欲解决的问题本专利技术的目的在于提供具有优异导电性及粘接性，同时可防止沉降或渗出的、导电性的稳定性优异的导电性粘接剂。解绝问题的方法为了解决上述问题，本专利技术人等进行专心致力的研究，结果发现在具有交联性硅基而且主链骨架为选自由聚氧化烯系聚合物、饱和烃系聚合物及(甲基)丙烯酸酯系聚合物所组成的组中的I种以上的有机聚合物中，并用具有指定的比表面积及振实密度的第一及第二银粉，而且使用选自由经特定的表面处理剂疏水化处理后的疏水性二氧化硅及亲水性二氧化硅所组成的组中的I种以上的二氧化硅，可实现上述目的。即，本专利技术的导电性粘接剂含有(A):主链骨架为选自由聚氧化烯系聚合物、饱和烃系聚合物及(甲基)丙烯酸酯系聚合物所组成的组中的I种以上且具有交联性硅基的有机聚合物，(B)含有第一银粉(bl)与第二银粉(b2)的银粉，以及(C)选自由经表面处理剂疏水化处理后的疏水性二氧化硅及亲水性二氧化硅所组成的组中的I种以上的二氧化硅的导电性粘接剂，其特征在于:上述第一银粉(bl)的比表面积为0.5m2/g以上且不足2m2/g，振实密度为2.5 6.0g/cm3,上述第二银粉(b2)的比表面积为2m2/g以上7m2/g以下,振实密度为1.0 3.0g/cm3，上述(bl)与上述(b2)的混合比例以质量比计为1/10 10/1，上述(B)银粉为全部含量的65质量％以上85质量％以下，上述表面处理剂是选自由二甲基二氯硅烷、六甲基二硅氮烷、(甲基)丙烯酰基硅烷、辛基硅烷及氨基硅烷所组成的组中的I种以上。在本专利技术的导电性粘接剂中，若考虑粘接性，则上述(甲基)丙烯酸酯系聚合物的Tg优选为10 180°C。本专利技术的导电性粘接剂适合用于半导体元件、芯片构件、分立元件或这些的组合的接合。另外，本专利技术的导电性粘接剂适合用于石英振动元件或压电元件的粘接。本专利技术的电路的特征在于，使用本专利技术的导电性粘接剂来接合半导体元件、芯片构件、分立元件或这些的组合。专利技术的效果根据本专利技术，可得到导电性及粘接性优异，而且可防止沉降或渗出的导电性的稳定性优异的导电性粘接剂 。另外，根据本专利技术，还可得到挤出性优异的导电性粘接剂。本专利技术的导电性粘接剂通过在基材上涂布或印刷及使其固化而具有高的导电性，可用于代替焊料。本专利技术的导电性粘接剂可实现体积电阻率不足IOX 10_3Q cm的低电阻值，特别适合用于半导体元件、芯片构件、分立元件等电子构件的接合、或石英振动元件或压电元件的粘接。另外，本专利技术的导电性粘接剂由于主链骨架为选自由聚氧化烯系聚合物、饱和烃系聚合物、及(甲基)丙烯酸酯系聚合物所组成的组中的I种以上，故玻璃化转变温度比较低，所得的固化物的耐寒性优异，同时不含有低分子环状硅氧烷，为无硅氧烷型，实现可防止接点障碍的极大效果。另外，本专利技术的导电性粘接剂可在无溶剂、无铅下使用，实现环境优异的效果。再者，本专利技术的导电性粘接剂由于是弹性粘接剂，因而可实现热震荡等的耐久性优异的效果。具体实施例方式以下说明本专利技术的实施方式，但是它们只是示例，只要不脱离本专利技术的技术思想，当然可以进行各种的变形。本专利技术的导电性粘接剂含有(A)具有交联性硅基的有机聚合物、(B)银粉及选自由经特定的表面处理剂疏水化处理后的疏水性二氧化硅及亲水性二氧化硅所组成的组中的I种以上的二氧化硅的导电性粘接剂。作为本专利技术的导电性粘接剂所用的(A)有机聚合物，使用具有交联性硅基且主链骨架为选自由聚氧化烯系聚合物、饱和烃系聚合物、及(甲基)丙烯酸酯系聚合物所组成的组中的I种以上的有机聚合物。上述(A)有机聚合物的交联性硅基是具有键合于硅原子的羟基或水解性基团，可通过形成硅氧烷键而交联的基团。作为代表例，可举出下述通式(I)所示的基团。权利要求1.一种导电性粘接剂，其特征在于，其包含 (A)主链骨架为选自由聚氧化烯系聚合物、饱和烃系聚合物及(甲基)丙烯酸酯系聚合物所组成的组中的I种以上，且具有交联性硅基的有机聚合物， (B)含有第一银粉(bl)与第二银粉(b2)的银粉，及 (C)选自由经表面处理剂疏水化处理后的疏水性二氧化硅及亲水性二氧化硅所组成的组中的I种以上的二氧化硅， 所述第一银粉(bl)的比表面积为0. 5m2/g以上且不足2m2/g，振实密度为2. 5 6. Og/cm3， 所述第二银粉(b2)的比表面积为2m2/g以上7m2/g以下，振实密度为I. 0 3. Og/cm3, 所述(bl)与所述(b2)的混合比例以质量比计为1/10 10/1， 所述(B)银粉为全部含量的65质量％以上且85质量％以下， 所述表面处理剂是选自由二甲基二氯硅烷、六甲基二硅氮烷、(甲基)丙烯酰基硅烷、辛基硅烷及氨基硅烷所组成的组中的I种以上。2.如权利要求I所述的导电性粘接剂，其用于半导体元件、芯片构件、分立元件或这些的组合的接合。3.如权利要求I所述的导电性粘接剂，其用于石英振动元件或压电元件的粘接。4.一种电路，其使用权利要求I所述的导电性粘接剂接合半导体元件、芯片构件、分立元件或这些的组合而成。全文摘要本专利技术可提供具有优异导电性及粘接性，同时防止沉降或渗出的导电性的稳定性优异的导电性粘接剂。该导电性粘接剂包含(A)主链骨架为选自由聚氧化烯系聚合物、饱和烃系聚合物及(甲基)丙烯酸酯系聚合物所组成的组中的1种以上且具有交联性硅基的有机聚合物；(B)银粉，其以指定的混合比例含有比表面积为0.5m2/g以上且不足2m2/g，振实密度为2.5～6.0g/cm3的第一银粉(b1)，与比表面积为2m2/g以上7m2/g以下，振实密度为1.0～3.0g/cm3的第二银粉(b2)；及，(C)选自由经特定的表面处理剂疏水化处理后的疏水性二氧化硅及亲水性二氧化硅所组成的组中的1种以上的二氧化硅。文档编号C09J123/00GK103237863SQ20118005707公开日2013年8月7日 申请日期2011年12月19日 优先权日2010年12月20日专利技术者冈部祐辅, 斋藤敦 申请人:施敏打硬株式会社本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈部祐辅，斋藤敦，
申请(专利权)人：施敏打硬株式会社，
类型：
国别省市：
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