半导体部件的表面保护用粘合带制造技术

一种表面保护用粘合带，为了提供在半导体部件的制造工序中向被粘物(部件)的转印异物少的表面保护用粘合带，在至少由基材薄膜、粘合剂层、剥离衬垫构成的粘合带中，在基材薄膜的一个面具有粘合剂层，在该粘合剂层上形成有使用不含脱模层的未处理塑料薄膜而得的剥离衬垫。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体部件的表面保护用粘合带，尤其涉及为了在生产使用固态摄像装置的影像传感器时保护该影像传感器的受光部一侧而使用的、能够减少向被粘物(影像传感器的受光部一侧)的转印异物的表面保护用的粘合带。
技术介绍
如专利文献I 3所示，已知有:在生产电气、电子部件、半导体部件时，在生产工序中以部件的固定、保护为目的的粘合带。作为这种粘合带，有在基材薄膜上设有再剥离性的丙稀酸系粘合剂层的粘合带、设有在加热工序时具有闻耐热性的有机娃系粘合剂层的粘合带。该粘合带在规定的处理工序结束后被剥离，但此时产生从粘合剂层向部件的转印异物。另外，在移动电话等搭载的小型照相机中，CCD型、CMOS型的影像传感器(固体摄像装置)受到广泛使用。该小型照相机通常由摄像元件、红外截止滤波器(infrared cutfilter)、光学透镜、透镜保持件等各构成要素组装而成。关于这种照相机，作为伴随其高分辨率化的要求之一，可列举出减少由附着于摄像元件的灰尘等附着造成的噪音。因此，与上述电气、电子部件、半导体部件同样，采用如下的手法:为了防止影像传感器表面的划痕、灰尘的附着，在影像传感器的受光部一侧贴合粘合带，从而避免安装和制造工序中的划痕、作为灰尘的转印异物的附着。该转印异物存在时，对该影像传感器的摄像造成直接影响的可能性高。认为该转印异物的产生原因主要是来源于粘合剂，使用将去除了低分子量成分的聚合物用于粘合剂层的表面保护粘合带、为了提闻在焊接等加热工序中的耐热性而在粘合剂层中混合有各种添加剂的 表面保护粘合带，谋求来源于粘合剂层的转印异物的减少。然而，在带剥离衬垫的粘合带的情况下，作为常用的剥离衬垫的脱模层使用的脱模层(例如，有机硅系脱模层、氟硅氧烷系脱模层等)的脱模剂向粘合剂层转印，该转印脱模剂向被粘物再转印，因而有时作为被粘物表面的异物被检测到。因此，进行了进一步防止向粘合剂层的转印的脱模剂的研究，但目前的状况仍未消除脱模剂转印的担心。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-201899号公报专利文献2:日本特开2006-332419号公报专利文献3:日本特开2006-077072号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于，提供在半导体部件的制造工序中向被粘物(部件)的转印异物少的表面保护用粘合带。用于解决问题的方案本专利技术人等为了达成上述目的而进行了深入研究，结果得到:1.一种表面保护用粘合带，其为至少由基材薄膜、粘合剂层、剥离衬垫构成的粘合带，在基材薄膜的一个面具有粘合剂层，在该粘合剂层上层叠有由不设有脱模层的未处理塑料薄膜构成的剥离衬垫。2.根据I所述的表面保护用粘合带，其中，剥离衬垫为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯。3.根据I或2所述的表面保护用粘合带，其中，该粘合剂层为加成反应型有机硅系粘合剂层。4.根据I 3中的任一项所述的表面保护用粘合带，其特征在于，剥离衬垫从该粘合剂层面的剥离力为lN/50mm以下、优选为0.5N/50mm以下。5.根据I 4中的任一项所述的表面保护用粘合带，其中，常温下的初始粘合力为0.05N/20mm以下，260°C回流后的初始粘合力为0.50N/20mm以下。专利技术的效果关于本专利技术的半导体表面保护用粘合带，其为至少由基材薄膜、粘合剂层、剥离衬垫构成的粘合带，在基材薄膜的一个面具有粘合剂层，在该粘合剂层上形成有使用不含脱模层的未处理塑料薄膜的剥离衬垫。由于该剥离衬垫不含脱模层，不产生脱模剂向粘合剂层面的转印，即，能够防止向被粘物的再转印，结果能够减少向被粘物的转印异物。尤其是在粘合剂层为加成反应型有机硅系粘合剂层时，可以调整有机硅橡胶成分与有机硅树脂成分的配混比率而控制粘`合力，在设为比由其它树脂形成的粘合剂更低的粘合力时，尤其是相对于剥离衬垫，粘合力也降低，因此剥离衬垫自身不设有剥离剂层，进而不会产生脱模剂向粘合剂层面的转印。进而，剥离衬垫从该粘合剂层面的剥离力设为lN/50mm以下、优选设为0.50N/50mm以下，或者将常温下的初始粘合力设为0.05N/20mm以下，即，降低粘合剂层的粘合力，从而不需要对剥离衬垫设置剥离剂层。具体实施例方式本专利技术的表面保护用粘合带的剥离衬垫是由未实施利用作为剥离衬垫的脱模层而公知的脱模剂(例如，有机硅系脱模剂、氟硅氧烷系脱模剂等)的处理、也未实施用于赋予剥离性的任何处理的、表面为未处理状态的塑料薄膜形成的剥离衬垫。作为这种剥离衬垫，例如可以使用聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃系树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯系树脂等的薄膜。而且，在这些薄膜中，特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯。剥离衬垫的厚度可以在不损害操作性等的范围内适宜选择，通常为10 200 μ m左右、优选为20 100 μ m左右。作为本专利技术的表面保护用粘合带的基材薄膜，只要是通常用于粘合带的基材即可，例如可列举出:由聚乙烯等聚烯烃系树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯系树脂、氯乙烯系树脂、醋酸乙烯酯系树脂、聚酰亚胺系树脂、氟系树脂、赛璐玢等塑料形成的塑料薄膜；牛皮纸、日本纸等纸；由马尼拉麻、纸浆、人造丝、乙酸纤维(acetatefiber)、聚酯纤维、聚乙烯醇纤维、聚酰胺纤维、聚烯烃纤维等天然纤维、半合成纤维或合成纤维的纤维状物质等形成的单独或混纺等的纺织物、无纺布等布；由天然橡胶、丁基橡胶等形成的橡胶片；通过由聚氨酯、聚氯丁烯橡胶等形成的发泡体得到的发泡体片；铝箔、铜箔等金属箔；它们的复合体等。在这些基材薄膜中，对于无加热工序、或在相对低温(160°C以下)下的加热工序中的使用，优选使用聚乙烯制薄膜、聚酯制薄膜(聚对苯二甲酸乙二醇酯制薄膜等)等塑料薄膜，对于在200°C以下的加热工序中的使用，优选使用聚酯制薄膜(聚萘二甲酸乙二醇酯制薄膜等)，对于在200°C以上的加热工序中的使用，优选使用聚酰亚胺系树脂等，可以根据所使用的工序适当使用基材。此外，基材为透明、半透明、不透明均可。为了提高粘合剂的锚固力，也可以对基材进行表面处理，作为表面处理，可列举出电晕放电处理、溅射处理、低压UV处理、等离子体处理、碱金属蚀刻处理等表面处理。在这些表面处理法中，耐热性好、能够以物理方式使表面粗糙化而增加形成粘接层的表面积的溅射处理是良好的。基材的厚度可以在不损害操作性等的范围内适当选择，通常为10 500 μ m左右、优选为20 100 μ m左右。本专利技术的表面保护用粘合带的粘合剂层可以通过在基材薄膜的一个面涂布之后干燥、交联、固化而得到。粘合剂层的厚度优选为I 30 μ m、更优选为3 30 μ m、进一步优选为5 20 μ m是理想的。不足I μπι时，在高温气氛中从传感器剥离。另外，超过30 μ m时，剥离时无法剥离。上述粘合剂层所使用的粘合剂基础聚合物只要是通常用于粘合带的粘合剂即可，例如可列举出橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂、有机硅系粘合剂等。特别优选再剥离性优异的丙稀酸系粘合剂、有机娃系粘合剂。例如，作为有机娃系粘合剂，只要对加热工序具有耐热性即可，例如，可以使用日本特开2003-193226号公报中记载的甲苯不溶性物质为35%以上的有机硅系粘合剂等。另外，也可以是耐热性优异的丙烯酸系粘合剂。对于本专利技术的粘合剂 层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：福原淳仁，有满幸生，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：
国别省市：