本发明专利技术公开了一种S波段多零点低插损微型腔体滤波器，包括适用于表面贴装的50欧姆阻抗输入/输出端口、采用分布参数圆柱形腔体耦合结构实现的四个并联谐振单元、交叉耦合电容、输入和输出电感，上述结构均采用多层低温共烧陶瓷工艺技术实现。本发明专利技术具有通带选择性好、插入损耗低、体积小、重量轻、可靠性高、电性能好、相位频率特性线性度高、温度稳定性好、电性能批量一致性好、成本低、可大批量生产等优点，特别适用于雷达、通信、箭载、机载、弹载、宇宙飞船、单兵移动通信终端等无线通信手持和便携终端产品中，以及对体积、重量、电性能及可靠性等有苛刻要求的场合和相应频段系统中。?
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种滤波器，特别是一种S波段多零点低插损微型腔体滤波器。
技术介绍
随着微波毫米波通信、雷达等系统的发展，尤其是移动手持式无线通信终端、单兵卫星移动通信终端、军用与民用多模多路通信系统终端、机载、弹载、宇航通信系统中微波毫米波通信模块的不断小型化，带通滤波器作为相应波段接收和发射支路中的关键电子部件，多零点低插损微型腔体滤波器是其一个重要的发展方向。描述这种部件性能的主要技术指标有:通带工作频率范围、阻带频率范围、通带输入/输出电压驻波比、通带插入损耗、阻带衰减、形状因子、插入相移和时延频率特性、温度稳定性、体积、重量、可靠性等。用常规方法设计的滤波器，如发夹型滤波器结构、谐振腔滤波器结构和同轴线滤波器结构等均存在体积和插入损耗较大的缺点，对于要求苛刻的应用场合往往无法使用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定、相位频率特性线性变化的S波段多零点低插损微型腔体滤波器。实现本专利技术目的的技术方案是:一种S波段多零点低插损微型腔体滤波器，包括表面贴装的50欧姆阻抗输入端口、输入电感、由第一电感和第一电容并联而成的第一级并联谐振单元、第一耦合电感、由第二电感和第二电容并联而成的第二级并联谐振单元、第二耦合电感、由第三电感和第三电容并联而成的第三级并联谐振单元、第三耦合电感、由第四电感和第四电容并联而成的第四级并联谐振单元、交叉耦合电容、输出电感、表面贴装的50欧姆阻抗输出端口和接地端；输入端口与输入电感连接，输出端口与输出电感连接，该输出电感与输入电感之间并联第一级 并联谐振单元、第二级并联谐振单元、第三级并联谐振单元和第四级并联谐振单元，在第一级并联谐振单元与第二级并联谐振单元之间串联第一耦合电感；第二级并联谐振单元与第三级并联谐振单元之间串联第二耦合电感；第三级并联谐振单元与第四级并联谐振单元之间串联第三耦合电感；交叉耦合电容的一端与输入电感、第一级并联谐振单元、第一耦合电感的公共端相连接，另一端与输出电感、第四级并联谐振单元、第三耦合电感的公共端相连接；所述的第一级并联谐振单元、第二级并联谐振单元、第三级并联谐振单元和第四级并联谐振单元的另一端分别接地。本专利技术与现有技术相比，由于本专利技术采用低损耗低温共烧陶瓷材料和三维立体集成以及圆柱形腔体实现并联谐振单元和电磁耦合电路，所带来的显著优点是:(1)通带内损耗低；(2)Q值高；(3)体积小、重量轻、可靠性高；(4)电性能优异，相位频率特性线性变化；(5)电性能温度稳定性高；(6)电路实现结构简单；(7)电性能一致性好，可实现大批量生产；(8)成本低；(9)使用安装方便，可以使用全自动贴片机安装和焊接；(10)特别适用于火箭、机载、弹载、宇宙飞船、单兵移动通信终端等无线通信手持终端中，以及对体积、重量、性能、可靠性有苛刻要求的通信系统中。附图说明图1是本专利技术S波段多零点低插损微型腔体滤波器的电原理图。图2是本专利技术S波段多零点低插损微型腔体滤波器的外形及内部结构示意图。图3是本专利技术S波段多零点低插损微型腔体滤波器主要性能仿真结果曲线。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术作进一步详细描述。结合图1，本发 明是一种S波段多零点低插损微型腔体滤波器，包括表面贴装的50欧姆阻抗输入端口 P1、输入电感Lin、由第一电感LI和第一电容Cl并联而成的第一级并联谐振单元L1C1、第一耦合电感L12、由第二电感L2和第二电容C2并联而成的第二级并联谐振单元L2C2、第二耦合电感L23、由第三电感L3和第三电容C3并联而成的第三级并联谐振单元L3C3、第三耦合电感L34、由第四电感L4和第四电容C4并联而成的第四级并联谐振单元L4C4、交叉耦合电容C14、输出电感Lout、表面贴装的50欧姆阻抗输出端口 P2和接地端；输入端口 Pl与输入电感Lin连接，输出端口 P2与输出电感Lout连接，该输出电感Lout与输入电感Lin之间并联第一级并联谐振单元L1C1、第二级并联谐振单元L2C2、第三级并联谐振单元L3C3和第四级并联谐振单元L4C4，在第一级并联谐振单元LlCl与第二级并联谐振单元L2C2之间串联第一耦合电感L12 ;第二级并联谐振单元L2C2与第三级并联谐振单元L3C3之间串联第二耦合电感L23 ;第三级并联谐振单元L3C3与第四级并联谐振单元L4C4之间串联第三耦合电感L34 ;交叉耦合电容C14的一端与输入电感Lin、第一级并联谐振单元L1C1、第一耦合电感L12的公共端相连接，另一端与输出电感Lout、第四级并联谐振单元L4C4、第三耦合电感L34的公共端相连接；所述的第一级并联谐振单元L1C1、第二级并联谐振单元L2C2、第三级并联谐振单元L3C3和第四级并联谐振单元L4C4的另一端分别接地。结合图2，本专利技术S波段多零点低插损微型腔体滤波器，表面贴装的50欧姆阻抗输入端口 P1、输入电感Lin、第一级并联谐振单元L1C1、第一耦合电感L12、第二级并联谐振单元L2C2、第二耦合电感L23、第三级并联谐振单元L3C3、第三耦合电感L34、第四级并联谐振单元L4C4、交叉耦合电容C14、输出电感Lout、表面贴装的50欧姆阻抗输出端口 P2和接地端均采用多层低温共烧陶瓷工艺实现，其中输入电感Lin、输出电感Lout均采用分布参数的带状线实现，第一级并联谐振单元LlCl的电感L1、第二级并联谐振单元L2C2的电感L2、第三级并联谐振单元L3C3的电感L3、第四级并联谐振单元L4C4的电感L4均采用分布参数圆柱形腔体结构实现，第一级并联谐振单元LlCl的电容Cl、第二级并联谐振单元L2C2的电容C2、第三级并联谐振单元L3C3的电容C3、第四级并联谐振单元L4C4的电容C4、交叉耦合电容C14均采用介质平板电容实现；第一耦合电感L12采用第一并联谐振单元LlCl和第二并联谐振单元L2C2之间空间耦合和分布参数电感实现；第二耦合电感L23采用第二并联谐振单元L2C2和第三并联谐振单元L3C3之间空间耦合和分布参数电感实现；第三耦合电感L34采用第三并联谐振单元L3C3和第四并联谐振单元L4C4之间空间耦合和分布参数电感实现。本专利技术S波段多零点低插损微型腔体滤波器，第一级并联谐振单元L1C1、第二级并联谐振单元L2C2、第三级并联谐振单元L3C3、第四级并联谐振单元L4C4均采用分布参数圆柱形腔体耦合结构实现，其中第一级并联谐振单元LlCl的电感LI的一端、第二级并联谐振单元L2C2的电感L2的一端、第三级并联谐振单元L3C3的电感L3的一端、第四级并联谐振单元L4C4的电感L4的一端分别接地，另一端分别与对应的第一级并联谐振单元LlCl的电容Cl的一端、第二级并联谐振单元L2C2的电容C2的一端、第三级并联谐振单元L3C3的电容C3的一端、第四级并联谐振单元L4C4的电容C4的一端相连，第一级并联谐振单元LlCl的电容Cl的另一端、第二级并联谐振单元L2C2的电容C2的另一端、第三级并联谐振单元L3C3的电容C3的另一端、第四级并联谐振单元L4C4的电容C4的另一端分别接地。本专利技术S波段多零点低插损微型腔体滤波器，其工作原理简述如下:输入的宽频带微波信号经输本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种S波段多零点低插损微型腔体滤波器，其特征在于：包括表面贴装的50欧姆阻抗输入端口（P1）、输入电感（Lin）、由第一电感（L1）和第一电容（C1）并联而成的第一级并联谐振单元（L1、C1）、第一耦合电感（L12）、由第二电感（L2）和第二电容（C2）并联而成的第二级并联谐振单元（L2、C2）、第二耦合电感（L23）、由第三电感（L3）和第三电容（C3）并联而成的第三级并联谐振单元（L3、C3）、第三耦合电感（L34）、由第四电感（L4）和第四电容（C4）并联而成的第四级并联谐振单元（L4、C4）、交叉耦合电容（C14）、输出电感（Lout）、表面贴装的50欧姆阻抗输出端口（P2）和接地端；输入端口（P1）与输入电感（Lin）连接，输出端口（P2）与输出电感（Lout）连接，该输出电感（Lout）与输入电感（Lin）之间并联第一级并联谐振单元（L1、C1）、第二级并联谐振单元（L2、C2）、第三级并联谐振单元（L3、C3）和第四级并联谐振单元（L4、C4），在第一级并联谐振单元（L1、C1）与第二级并联谐振单元（L2、C2）之间串联第一耦合电感（L12）；第二级并联谐振单元（L2、C2）与第三级并联谐振单元（L3、C3）之间串联第二耦合电感（L23）；第三级并联谐振单元（L3、C3）与第四级并联谐振单元（L4、C4）之间串联第三耦合电感（L34）；交叉耦合电容（C14）的一端与输入电感（Lin）、第一级并联谐振单元（L1、C1）、第一耦合电感（L12）的公共端相连接，另一端与输出电感（Lout）、第四级并联谐振单元（L4、C4）、第三耦合电感（L34）的公共端相连接；所述的第一级并联谐振单元（L1、C1）、第二级并联谐振单元（L2、C2）、第三级并联谐振单元（L3、C3）和第四级并联谐振单元（L4、C4）的另一端分别接地。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戴永胜，杨静霞，罗鸣，施淑媛，朱勤辉，张林，李雁，冯辰辰，顾家，陈湘治，方思慧，陈龙，朱丹，邓良，
申请(专利权)人：江苏奕扬电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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