一种行波管阴极加钼套结构及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种行波管阴极加钼套结构，它包括阴极和钼套，所述钼套包裹在阴极发射面的边缘，钼套端面与阴极发射面处于同一平面，所述阴极发射面与钼套外圆柱面相垂直。该行波管阴极结构的制作方法是：将阴极去铜处理后放入钼套内；然后将阴极和钼套焊接固定在一起；对焊接后的阴极和钼套进行浸盐；对浸盐后的阴极和钼套的二次加工位置进行整体加工，加工出阴极发射面；并保证加工后的钼套端面与阴极发射面处于同一平面，阴极发射面与钼套外圆柱面相垂直。采用该阴极结构，由于阴极的发射面边缘有钼套紧密包裹，边缘接近理想状态，不会出现小倒角、小缺口等瑕疵，能够消除或抑制阴极边缘发射，提高了阴极质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波电真空器件行波管，具体地讲是一种行波管阴极加钥套结构及制作方法。
技术介绍
行波管具有频带宽、增益高、动态范围大和噪声低的特点，已成为雷达、电子对抗、中继通信、卫星通信、电视直播卫星、导航、遥感、遥控、遥测等电子设备的重要微波电子器件。现代行波管通常都采用皮尔斯电子枪，用来使来自阴极的电子成形为适于与微波电路产生互作用的电子注。阴极发射面在实际加工过程中边缘与理论模型有差异，不是理想状态，存在边缘发射问题，在常用波段中，阴极边缘发射的影响不明显。随着行波管工作频率的提高，由于微波器件尺寸与工作波长的“共度性”，慢波电路的尺寸会越来越小，电子通道也越来越小。当工作频率到了太赫兹时，阴极边缘发射带来的影响就不能忽视了，消除或抑制阴极边缘发射对发展太赫兹行波管有重要意义。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，针对原有的阴极结构，对其阴极发射面边缘进行处理，提供一种阴极加钥套结构及制作方法，以达到消除或抑制阴极边缘发射的目的，提高太赫兹行波管的流通率。实现本专利技术的技术方案是:一种行波管阴极加钥套结构，其特征是:它包括阴极和钥套，所述钥套包裹在阴极发射面的边缘，所述钥套端面与阴极发射面处于同一平面，所述阴极发射面与钥套外圆柱面相垂直。所述阴极外圆与钥套内、外圆同轴。所述阴极的外圆公差带为O +0.005mm,所述钥套的内、外圆公差带为O +0.005mm。所述阴极发射面与钥套外圆柱面的垂直度公差O 0.005_。所述阴极通过钎焊焊接与钥套固定在一起。上述的阴极加钥套结构的制作方法，该方法包括如下步骤: (1)将阴极头去铜处理后放入钥套内； (2)将阴极头和钥套进行焊接固定在一起； (3)将焊接后的阴极头和钥套进行浸盐； (4)对浸盐后的阴极头和钥套的二次加工位置进行加工，加工出阴极发射面，二次加工后的阴极发射面与钥套端面处于同一平面，与钥套外圆柱面相垂直。上述步骤(4)中二次加工后的阴极外圆与钥套内圆、外圆同轴。上述步骤(2)中在阴极头和钥套的相连接下缘位置放置钥钌焊料进行钎焊焊接。本专利技术的有益效果是:所述阴极结构可消除由于装配等原因对阴极发射面与钥套外圆柱面的垂直度的影响， 保证后期电子光学系统的装配中阴极发射面与电子通道同心；阴极发射面不会产生小倒角、小缺口等瑕疵，也不会因为后期的零、部件装配对阴极发射面产生不良影响，保证了装配过程中阴极与电子通道同心，并能够消除或抑制阴极边缘发射，提高阴极质量。经过测试，流通率>80%。其测试数据如下表:权利要求1.一种行波管阴极加钥套结构，其特征是:它包括阴极和钥套，所述钥套包裹在阴极发射面的边缘，所述钥套端面与阴极发射面处于同一平面，所述阴极发射面与钥套外圆柱面相垂直。2.如权利要求1所述的阴极加钥套结构，其特征是:所述阴极外圆与钥套内、外圆同轴。3.如权利要求1所述的阴极加钥套结构，其特征是:所述阴极的外圆公差带为O +0.005mm,所述钥套的内、夕卜圆公差带为O +0.005mm。4.如权利要求1所述的阴极加钥套结构，其特征是:所述阴极发射面与钥套外圆柱面的垂直度公差O 0.005mm。5.如权利要求1 4任一权利要求所述的阴极加钥套结构，其特征是:所述阴极通过钎焊焊接与钥套固定在一起。6.一种权利要求1所述的阴极加钥套结构的制作方法，其特征是:该方法包括如下步骤: (1)将阴极头去铜处理后放入钥套内； (2)将阴极头和钥套进行焊接固定在一起； (3)将焊接后的阴极头和钥套进行浸盐； (4)对浸盐后的阴极头和钥套的二次加工位置进行加工，加工出阴极发射面，二次加工后的阴极发射面与钥套端面处于同一平面，与钥套外圆柱面相垂直。7.如权利要求6所述的阴极结构的制作方法，其特征是:步骤(4)中二次加工后的阴极外圆与钥套内圆、夕卜圆同轴。8.如权利要求6所述的阴极结构的制作方法，其特征是:步骤(2)中在阴极头和钥套的相连接下缘位置放置钥钌焊料进行钎焊 焊接。全文摘要本专利技术公开了一种行波管阴极加钼套结构，它包括阴极和钼套，所述钼套包裹在阴极发射面的边缘，钼套端面与阴极发射面处于同一平面，所述阴极发射面与钼套外圆柱面相垂直。该行波管阴极结构的制作方法是将阴极去铜处理后放入钼套内；然后将阴极和钼套焊接固定在一起；对焊接后的阴极和钼套进行浸盐；对浸盐后的阴极和钼套的二次加工位置进行整体加工，加工出阴极发射面；并保证加工后的钼套端面与阴极发射面处于同一平面，阴极发射面与钼套外圆柱面相垂直。采用该阴极结构，由于阴极的发射面边缘有钼套紧密包裹，边缘接近理想状态，不会出现小倒角、小缺口等瑕疵，能够消除或抑制阴极边缘发射，提高了阴极质量。文档编号H01J23/04GK103236388SQ20131013283公开日2013年8月7日 申请日期2013年4月16日 优先权日2013年4月16日专利技术者李国 , 肖剑锋, 李新义, 夏晓明, 黄春林, 明涛 申请人:成都国光电气股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种行波管阴极加钼套结构，其特征是：它包括阴极和钼套，所述钼套包裹在阴极发射面的边缘，所述钼套端面与阴极发射面处于同一平面，所述阴极发射面与钼套外圆柱面相垂直。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李国，肖剑锋，李新义，夏晓明，黄春林，明涛，
申请(专利权)人：成都国光电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：