用于晶体生长的热屏蔽内层制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于晶体生长的热屏蔽内层，涉及晶体生长炉，所述热屏蔽内层由一组组件叠砌而成，所述组件包括圆弧形基体，该圆弧形基体两侧分别带有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方为第一空体，所述第二凸起后方为第二空体；所述第一凸起与相邻组件第二空体相吻合，所述第二凸起与相邻组件第一空体相吻合。与现有的相比，本实用新型专利技术保护的用于晶体生长的热屏蔽内层无缝隙，热损失小，温场稳定。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体生长炉，特别涉及一种用于晶体生长的热屏蔽内层。
技术介绍
现有的用于晶体生长的热屏蔽内层由图1所示的组件砌成，这样形成的热屏蔽内层组件之间缝隙直通，从而造成热损失大，温场不稳定，而影响产品质量。
技术实现思路
本技术的目的就在于提供一种用于晶体生长的热屏蔽内层，该用于晶体生长的热屏蔽内层无缝隙，热损失小，温场稳定。本技术的技术方案是:一种用于晶体生长的热屏蔽内层，所述热屏蔽内层由一组组件叠砌而成，所述组件包括圆弧形基体，该圆弧形基体两侧分别带有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方为第一空体，所述第二凸起后方为第二空体；所述第一凸起与相邻组件第二空体相吻合，所述第二凸起与相邻组件第一空体相吻合。作为优选，所述组件材料为氧化锆。与现有技术相比，本技术的有益效果在于:采用本技术保护的热屏蔽内层，由于第一凸起与相邻组件第二空体相吻合，第二凸起与相邻组件第一空体相吻合，因此热屏蔽内层无缝隙，热损失小，温场稳定。而氧化锆用于热屏蔽内层具有很好的热屏蔽效果O附图说明图1为本技术的
技术介绍
示意图；图2为本技术的组件I结构示意图；图3为本技术的整体结构示意图。具体实施方式下面将结合附图对本技术作进一步说明。如图3所示的用于晶体生长的热屏蔽内层，该热屏蔽内层由一组组件I叠砌而成。如图2所示，组件I包括圆弧形基体2，该圆弧形基体2两侧分别带有第一凸起3和第二凸起5，第一凸起3前方为第一空体4，第二凸起5后方为第二空体6。组件I第一凸起3与相邻组件I第二空体6相吻合，第二凸起5与相邻组件I第一空体4相吻合。叠砌时，将组件I第一凸起3嵌入相邻组件I第二空体6，第二凸起5嵌入相邻组件I第一空体4。叠砌成的热屏蔽内层组件I之间无缝隙，热损失小，温场稳定。组件I材料采用氧化锆。氧化锆具有熔点高、硬度大。氧化锆热导率低(ΙΟΟΟ ，2.091/(111*1())，线膨胀系数大(25 15001: 9.4X 10_6/°C )，高温结构强度高，在氧化气氛中使用稳定性好，用于热屏蔽内层具有很好的热屏蔽效果。上述实施方式仅作为本技术的说明而非限制，本技术保护范围还应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的转换、转化、变化或替代，以及在本领域普通技术人员 所具备的知识范围内，还可以在不脱离本本技术宗旨的前提下作出各种变化。权利要求1.一种用于晶体生长的热屏蔽内层，其特征在于:所述热屏蔽内层由一组组件叠砌而成，所述组件包括圆弧形基体，该圆弧形基体两侧分别带有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方为第一空体，所述第二凸起后方为第二空体；所述第一凸起与相邻组件第二空体相吻合，所述第二凸起与相邻组件第一空体相吻合。2.根据权利要求1所述的用于晶体生长的热屏蔽内层，其特征在于:所述组件材料为氧化锆 。专利摘要本技术公开了一种用于晶体生长的热屏蔽内层，涉及晶体生长炉，所述热屏蔽内层由一组组件叠砌而成，所述组件包括圆弧形基体，该圆弧形基体两侧分别带有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方为第一空体，所述第二凸起后方为第二空体；所述第一凸起与相邻组件第二空体相吻合，所述第二凸起与相邻组件第一空体相吻合。与现有的相比，本技术保护的用于晶体生长的热屏蔽内层无缝隙，热损失小，温场稳定。文档编号C30B35/00GK203096237SQ201320005720公开日2013年7月31日 申请日期2013年1月7日 优先权日2013年1月7日专利技术者谢华祥 申请人:成都市倍通高温材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于晶体生长的热屏蔽内层，其特征在于：所述热屏蔽内层由一组组件叠砌而成，所述组件包括圆弧形基体，该圆弧形基体两侧分别带有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方为第一空体，所述第二凸起后方为第二空体；所述第一凸起与相邻组件第二空体相吻合，所述第二凸起与相邻组件第一空体相吻合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢华祥，
申请(专利权)人：成都市倍通高温材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：