量子产率测定装置(1)，通过将激发光(L1)照射在用于容纳试料(S)的试料管(2)的试料容纳部(3)，检测自试料(S)及试料容纳部(3)的至少一方所放出的被测定光(L2)，来测定试料(S)的量子产率。量子产率测定装置(1)具有：暗箱(5)，其在内部配置有试料容纳部(3)；光产生部，其具有连接于暗箱(5)的光出射部(7)，并产生激发光(L1)；光检测部，其具有连接于暗箱(5)的光入射部(11)，并检测被测定光(L2)；积分球(14)，其具有使激发光(L1)入射的光入射开口(15)、及使被测定光(L2)出射的光出射开口(16)，且配置于暗箱(5)内；及移动机构(30)，以成为试料容纳部(3)位于积分球(14)内的第1状态、及试料容纳部(3)位于积分球(14)外的第2状态的各自的状态的方式，使积分球(14)在暗箱(5)内移动，在第1状态，使光入射开口(15)与光出射部(7)相对，并使光出射开口(16)与光入射部(11)相对。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种利用积分球测定发光材料等的量子产率的量子产率测定装置。
技术介绍
作为现有的量子产率测定装置，已知的技术是将激发光照射于发光材料等试料，使自试料所放出的荧光在积分球内多重反射并检测，由此测定试料的量子产率(「自发光材料所放出的荧光的光子数」相对于「发光材料所吸收的激发光的光子数」的比例)(参照例如专利文献I 3)。在如此的技术中，若试料对于荧光成份具有光吸收性，则当荧光在积分球内多重反射时，有时荧光的一部分会被试料吸收(该现象以下称为「再吸收」)。在如此的情形下，所检测的荧光的光子数较真实值(即，自发光材料实际所放出的荧光的光子数)还低。因此，有人提案另外利用荧光光度计在不产生再吸收的状态下测定自试料所放出的荧光的强度，基于此来修正先前的荧光的光子数并求出量子产率的方法(参照例如非专利文献I)。先行技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-086031号公报专利文献2:日 本特开2009-074866号公报专利文献3:日本特开2010-151632号公报非专利文献非专利文献1:CHRISTIAN WURTH、另 7 名，「Evaluation of a CommercialIntegrating Sphere Setup for the Determination of Absolute PhotoluminescenceQuantum Yields of Dilute Dye SolutionsJ, APPLIED SPECTROSCOPY,(美国)，第 64 卷，第 7 期，2010, ρ.733-74
技术实现思路
专利技术所要解决的问题如上所述，为了利用积分球正确地测定试料的量子产率，除了有必要使用具备积分球的装置外，另有必要使用荧光光度计等，而需要繁杂的作业。因此，本专利技术的目的在于提供一种可正确且有效率地测定试料的量子产率的量子产率测定装置。解决问题的技术手段本专利技术的一观点的量子产率测定装置，通过将激发光照射在用于容纳试料的试料管的试料容纳部，检测自试料及试料容纳部的至少一方所放出的被测定光，来测定试料的量子产率，其具备:暗箱，在内部配置试料容纳部；光产生部，具有连接于暗箱的光出射部，并产生激发光；光检测部，具有连接于暗箱的光入射部，并检测被测定光；积分球，具有使激发光入射的光入射开口、及使被测定光出射的光出射开口，且配置于暗箱内；及移动机构，以成为试料容纳部位于积分球内的第I状态、及试料容纳部位于积分球外的第2状态的各自的状态的方式，使积分球在暗箱内移动，在第I状态下，使光入射开口与光出射部相对，并使光出射开口与光入射部相对。在该量子产率测定装置中，以成为试料管的试料容纳部位于积分球内的第I状态、及试料管的试料容纳部位于积分球外的第2状态的各自的状态的方式，由移动机构使积分球在暗箱内移动。由此，可在第2状态下直接(无在积分球内的多重反射)检测荧光的光谱(荧光成份(以下相同))，并基于第2状态下所检测的荧光的光谱来修正在第I状态下所检测的荧光的光谱。因此，通过该量子产率测定装置，可正确且有效率地测定试料的量子产率。此处，移动机构可具有固定有积分球的载物台、固定于载物台的螺帽、螺合于螺帽的进给丝杠、及使进给丝杠旋转的驱动源。由此，可使积分球在暗箱内圆滑地移动。此时，自进给丝杠的轴线方向来看时，可将螺帽固定于载物台上自光入射开口至光出射开口的第I区域及第2区域中的、自光入射开口至光出射开口距离较短的第I区域。由此，在试料管的试料容纳部位于积分球内的第I状态下，可使光入射开口与光出射部，另夕卜，光出射开口与光入射部分别精度良好地相对。另外，移动机构可进而具有固定于载物台的套筒、及插通于套筒的引导轴。由此，可使积分球在暗箱内更圆滑地移动。此时，在积分球以可自由装卸的方式安装有用于支撑其它试料的试料台；且自引导轴的轴线方向来看时，套筒可以隔着光入射开口或光出射开口而与进给丝杠相对的方式固定于第2区域。由此，在引导轴隔着光入射开口而与进给丝杠相对时从光入射开口的相反侧，或，引导轴隔着光出射开口而与进给丝杠相对时，从光出射开口的相反侧，分别容易接近积分球，而可容易地对积分球装卸试料台。 另外，也可进而具备检测第I状态下的积分球的第I位置、及第2状态下的积分球的第2位置的各自的位置的位置检测器；且移动机构也可在通过位置检测器检测第I位置或第2位置后使积分球停止。由此，可切实地分别再现试料管的试料容纳部位于积分球内的第I状态、及试料管的试料容纳部位于积分球外的第2状态。另外，也可在光出射开口设置有集中被测定光的第I光圈构件，在光入射部设置有集中被测定光的第2光圈构件。如此，通过设置二阶段的光圈构件，可使被测定光以适当的角度入射至光检测部，抑制在光检测部内产生杂光。再者，通过在积分球的光出射开口设置第I光圈构件，可防止异物经由光出射开口侵入积分球内。专利技术的效果根据本专利技术，可正确且有效率地测定试料的量子产率。附图说明图1是本专利技术的一实施方式的量子产率测定装置的平面图。图2是图1的暗箱的内部及其周边部分的放大图。图3是沿着图2的II1-1II线的剖面图。图4是激发光照射其它试料的状态时的剖面图。图5是沿着图2的V-V线的剖面图。图6是用于说明使用图1的量子产率测定装置来测定量子产率的方法的图。图7是用于说明使用图1的量子产率测定装置来测定量子产率的方法的图。图8是用于说明使用图1的量子产率测定装置来测定量子产率的方法的图。图9是用于说明使用图1的量子产率测定装置来测定量子产率的方法的图表。具体实施例方式以下，参照图式详细说明本专利技术的优选实施方式。另，在各图中相同或相当部分附上同一符号，并省略重复的说明。图1是本专利技术的一实施方式的量子产率测定装置的平面图；图2是图1的暗箱的内部及其周边部分的放大图。如图1及图2所示，量子产率测定装置I通过将激发光LI照射在用于容纳试料S的试料管2的试料容纳部3，检测自试料S及试料容纳部3的至少一方所放出的被测定光L2，来测定试料S的量子产率(发光量子产率、荧光量子产率、磷光量子产率等)的装置。试料S为将用于例如有机EL(有机电激发光)等的发光组件的发光材料等溶于特定的溶剂的试料。试料管2例如由合成石英构成；试料容纳部3例如为四棱柱状的容器。 量子产率测定装置I具备在内部配置试料容纳部3的暗箱5。暗箱5为由金属构成的长方体状的箱体，遮断来自外部的光的侵入。在暗箱5的内表面5a，施有利用吸收激发光LI及被测定光L2的材料的涂饰等。在暗箱5的一边的侧壁，连接有光产生部6的光出射部7。光产生部6为由例如氙气灯及分光器等所构成的激发光源，产生激发光LI。激发光LI通过设置于光出射部7的透镜8而准直，并入射至暗箱5内。在暗箱5的后壁，连接有光检测部9的光入射部11。光检测部9为由例如分光器或CXD (电荷耦合装置)传感器等所构成的多通道检测器，并检测被测定光L2。被测定光L2,被设置于光入射部11的光圈构件(第2光圈构件)12的光圈即开口 12a来集中，并经由狭缝13入射至光检测部9内。在暗箱5内配置有积分球14。积分球14在其内表面14a上涂布有硫酸钡等的高扩散反射剂，或由PTFE(铁氟龙)或Spectralon等材料而形成。在积分球14形成有使激发光LI入射的光入射本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：井口和也，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：
国别省市：
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