一种WOLED及显示设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种白光有机发光二极管WOLED及显示设备，包括相对设置的阵列基板和彩色滤光基板包括：所述阵列基板包括阳极阵列以及定义像素区域的像素定义层；覆盖所述像素定义层和阳极电极的有机发光层；覆盖所述有机发光层的阴极层；所述有机发光层与所述像素定义层之间设置有金属反射层。能够较好地避免现有技术中存在的WOLED漏光现象，提高显示设备的图像显示质量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

WOLED and display device

The utility model discloses a white organic light emitting diode WOLED and a display device, which comprises an array substrate and a color filter substrate arranged oppositely including the array substrate includes an anode array and a pixel defining layer defining a pixel region; the organic light emitting layer covering the pixel defining layer and the anode electrode; the cathode layer covers the organic the light emitting layer; the organic light emitting layer and the pixel defining layer is arranged between the metal reflective layer. WOLED can avoid the leakage phenomenon existing in the prior art, improve the image quality of display devices.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其是涉及一种白光有机发光二极管(W0LED，White Organic Light Emitting Diode)以及一种显不设备。
技术介绍
随着平面显示器技术的蓬勃发展，有机发光二极管(OLED，Organic LightEmitting Diode)与传统的液晶显示器(IXD,Liquid Crystal Display)相比，除了更轻薄夕卜，更具有自发光、低功率消耗、不需背光源、无视角限制及高反应速率等优良特性，已成为下一代平面显示器技术的主流。为实现OLED显示器的全彩化，一种方式是通过白色有机发光二极管(W0LED，White Organic Light Emitting Diode)和彩色滤光层(CF, Color Filter)叠加来实现。其中，WOLED和CF层叠加过程不需要精准的掩膜工艺，就可以实现OLED显示器的高分辨率。如图1所示，现有技术中在分别形成包含薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)阵列基板的WOLED发光层和包含有边缘保护层PDL的彩色滤光层之后，将形成的TFT阵列基板和CF层进行对准，压合，从而形成WOLED显示装置。现有技术中，在进行TFT阵列基板和CF层贴合处理时，CF层和WOLED发光层之间会存在一定数值的缝隙，并且由于WOLED发光层具有自发光的光源特性，如图1所示，有机发光单元发出的光，在侧向到达彩膜基板的过程中，该缝隙会使得制作的WOLED显示器侧向漏光，从而造成产品混色，进而影响显示装置的质量。
技术实现思路
本技术实施例提供了 WOLED及显示设备，能够较好地避免现有技术中存在的WOLED漏光现象，提闻显不设备的图像显不质量。一种有白光有机发光二极管W0LED，包括相对设置的阵列基板和彩色滤光基板，包括:所述阵列基板包括阳极阵列以及定义像素区域的像素定义层；覆盖所述像素定义层和阳极电极的有机发光层；覆盖所述有机发光层的阴极层；所述有机发光层与所述像素定义层之间设置有金属反射层。—种显不设备,包含上述白光有机发光二极管WOLED。采用上述技术方案，包括相对设置的阵列基板和彩色滤光基板，包括:所述阵列基板包括阳极阵列以及定义像素区域的像素定义层；覆盖所述像素定义层和阳极电极的有机发光层；覆盖所述有机发光层的阴极层；所述有机发光层与所述像素定义层之间设置有金属反射层，形成的阵列基板和彩色滤光基板进行贴合，形成W0LED，由于在阵列基板上增加了反射金属薄膜，在 进行贴合时，阵列基板和彩膜基板之间虽然仍旧存在空隙，但是WOLED发光层自身发射出的光源，会被金属反射层反射回来，因此能够较好地避免现有技术中存在的WOLED显示器漏光现象，提高显示装置的图像显示质量。附图说明图1为现有技术中，提出的通过WOLED和CF压合形成的WOLED显示装置剖面图；图2a为本技术实施例中，提出的WOLED显示装置结构组成示意图；图2b 图2d为本技术实施例中，提出的形成的包含阳极阵列的阵列基板的结构组成示意图；图3a为本技术实施例中，提出的制造WOLED显示装置方法流程图；图3b为本技术实施例中，提出的阵列基板形成过程示意图；图3c为本技术实施例中，提出的沉积反射金属薄膜的阵列基板结构组成示意图；图3d为本技术实施例中，提出的形成反射金属层的阵列基板结构组成示意图；图3e为本技术实施例中，提出的像素定义层图案组成示意图；图3f为本技术实施例中，提出的蒸镀阴极后的阵列基板结构组成示意图；图4为本技术实施例中，提出的WOLED显示装置结构组成示意图；图5为本技术实施例中，提出的增加金属反射层的WOLED显示装置工作原理示意图。具体实施方式针对现有技术中存在的WOLED显示器存在漏光现象，使得显示装置的图像显示质量较差的问题，本技术实施例这里提出的技术方案，通过在阵列基板上沉积反射金属薄膜，使得阵列基板和彩膜基板贴合处理之后，即使存在空隙，沉积的反射金属薄膜也能够将TOLED发光层发射的光源反射回来，较好地避免了现有技术中存在的WOLED显示器侧向漏光现象引起的混色问题，较好地提高了 WOLED显示器的显示质量。下面将结合各个附图对本技术实施例技术方案的主要实现原理具体实施方式及其对应能够达到的有益效果进行详细地阐述。本技术实施例这里提出一种WOLED显示装置，如图2a所示，包括相对设置的阵列基板601和彩色滤光基板602，包括:所述阵列基板601包括阳极阵列以及定义像素区域的像素定义层304，覆盖所述像素定义层304和阳极电极的有机发光层306，覆盖所述有机发光层306的阴极层307，所述有机发光层306与所述像素定义层304之间设置有金属反射层305。具体地，有机发光层306设置有有机发光单元(图中并未示出)，所述有机发光单元可以是白光发光单元。具体地，所述像素定义层304可以但不限于是亚克力系材料或有机树脂材料。具体地,所述金属反射层305可以是光反射率大于80%、厚度为80nm-500nm的金属膜层。较佳地，所述金属反射层305为金属铝膜层或金属银膜层。具体实施中，包括阳极阵列的阵列基板还包括:在基板上301上沉积的TFT膜层302，以及TFT膜层302上沉积的像素电极层303。其中，TFT膜层302中，包含形成的TFT区域。在TFT区域，形成有源区、栅电极、源电极以及漏电极(图2a中未示出)。具体地，在TFT膜层302中，TFT区域包含形成的栅极、有源区、源极区以及漏极区。可以采用化学汽相沉积法在有源区上沉积厚度为100nnTl50nm的栅绝缘层，栅绝缘层的材料可以但不限于是二氧化硅或者氮化硅等。在形成栅绝缘层之后，通过沉积工艺和构图工艺在形成栅绝缘层的基板上形成栅极。其中栅极位于有源区的栅绝缘层上。形成栅极之后，进行掺杂工艺处理，以使有源区形成源极区、有源层、漏极区。在TFT膜层302上，通过沉积工艺形成像素电极膜层303，然后基于构图工艺，在像素电极膜层303上形成阳极，从而形成包含阳极阵列的阵列基板。较佳地，下面结合具体附图来阐述本包含阳极阵列基板的结构组成:如图2b所示，TFT膜层302包括在基板301上沉积的多晶硅层(图中未示出)，对所述多晶硅层根据所需图形进行光刻、刻蚀工艺处理，形成有源区3021和像素电极区3022。如图2c所示，通过沉积工艺和构图工艺处理，在有源区3021上形成栅绝缘层3023。其中栅绝缘层可以是氮化硅或二氧化硅。如图2d所示，基于构图工艺处理，在所述基板上形成栅极3024，形成的栅极位于所述有源区3021上的栅绝缘层3023上。对形成的有源区和像素电极区进行掺杂工艺处理，以使有源区形成源极区、有源层、漏极区，所述像素电极区形成像素电极层。其中，所述栅极、有源层、源极区和漏极区构成TFT区域，且有源层位于源漏极区之间。形成包含阳极阵列的阵列基板。相应地，本技术实施这里还提出一种显示设备，该显示设备包括本技术实施例上述提出的WOLED。本技术实施例这里提出一种制造WOLED的方法，如图3a所示，具体工艺流程如下述:步骤21，基于构图工艺在基板上形成包含阳极阵列的阵列基板，以及基于构图工艺形成彩色滤光基板。需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光有机发光二极管WOLED，包括相对设置的阵列基板和彩色滤光基板，其特征在于，包括：所述阵列基板包括阳极阵列以及定义像素区域的像素定义层；覆盖所述像素定义层和阳极电极的有机发光层；覆盖所述有机发光层的阴极层；所述有机发光层与所述像素定义层之间设置有金属反射层。

【技术特征摘要】
1.一种白光有机发光二极管WOLED，包括相对设置的阵列基板和彩色滤光基板，其特征在于，包括: 所述阵列基板包括阳极阵列以及定义像素区域的像素定义层； 覆盖所述像素定义层和阳极电极的有机发光层； 覆盖所述有机发光层的阴极层； 所述有机发光层与所述像素定义层之间设置有金属反射层。2.如权力要求I所述的WOLED，其特征在于，所述有机发光层设置有有机发光单元，所述有机发光单元为白光发...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊志勇，赵本刚，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：