一种晶体三极管特性参数测试系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种晶体三极管特性参数测试系统，包括微控制器模块、与微控制器模块相接的串口通信电路模块和与串口通信电路模块相接的上位计算机，以及电源模块、受控电压源和阶梯波恒流源；微控制器模块的输入端接有A/D转换电路模块和键盘电路模块，A/D转换电路模块的输入端接有基极电压检测电路模块和集电极电压检测电路模块，微控制器模块的输出端接有D/A转换电路模块、液晶显示电路模块、电压切换继电器电路模块和检测切换继电器电路模块，受控电压源和阶梯波恒流源均与D/A转换电路模块相接。本实用新型专利技术结构简单，设计合理，体积小，便于携带和使用，测试效率高，测试精度高，工作可靠性高，实现成本低，便于大众普及使用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

A test system for characteristic parameters of transistor

The utility model discloses a transistor characteristic parameter testing system, including micro controller module, serial communication module and the microcontroller module is connected and connected with the serial communication module of the host computer, and a power supply module, controlled voltage source and ladder wave constant current source; the input end is connected with the micro controller module A/D conversion circuit module and keyboard module circuit, A/D conversion circuit module connected to the input of the base voltage detection circuit module and the collector voltage detection circuit module, the output end is connected with the micro controller module D/A conversion circuit module, circuit module, voltage relay switching circuit module and a detection switch relay circuit module of liquid crystal display, controlled voltage source and ladder wave of constant current source with D/A conversion circuit module. The utility model has the advantages of simple structure, reasonable design, small size, convenient carrying and use, high testing efficiency, high test precision, high working reliability, low cost and convenient popularization.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及智能检测
，尤其是涉及一种晶体三极管特性参数测试系统。
技术介绍
在模拟电子线路测试或电子产品维修时，需要对晶体三极管的放大系数、反向击穿电压和反向饱和电流，以及晶体三极管的输入输出特性曲线等多种参数进行测量。目前，传统的晶体三极管特性参数、放大倍数等的测试主要采用晶体管特性图示仪或万用表。晶体管特性图示仪可以显示三极管的输入、输出特性曲线，估读直流、交流放大倍数等,但价格昂贵且不便携带，性价比不高，不便于普及使用；而简单的万用表，只能测量晶体三极管的直流放大倍数，并且误差较大，不能显示晶体三极管的特性曲线。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种晶体三极管特性参数测试系统，其结构简单，设计合理，体积小，便于携带和使用，测试效率高，测试精度高，工作可靠性高，实现成本低，便于大众普及使用。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是:一种晶体三极管特性参数测试系统，其特征在于:包括微控制器模块、与所述微控制器模块相接的串口通信电路模块和与所述串口通信电路模块相接的上位计算机，以及用于为系统中各用电模块供电的电源模块、用于为被测试晶体三极管提供集电极电压的受控电压源和用于为被测试晶体三极管提供基极电流的阶梯波恒流源；所述微控制器模块的输入端接有A/D转换电路模块和用于输入控制参数的键盘电路模块，所述A/D转换电路模块的输入端接有用于对被测试晶体三极管的基极电压进行检测的基极电压检测电路模块和用于对被测试晶体三极管的集电极电压进行检测的集电极电压检测电路模块，所述微控制器模块的输出端接有D/A转换电路模块、液晶显示电路模块、用于实现受控电压源输出电压正负切换的电压切换继电器电路模块和用于实现NPN型晶体三极管与PNP型晶体三极管基极电压检测切换的检测切换继电器电路模块，所述受控电压源和阶梯波恒流源均与所述D/A转换电路模块的输出端相接，所述电压切换继电器电路模块和检测切换继电器电路模块均与所述微控制器模块的输出端相接，所述受控电压源与所述电压切换继电器电路模块相接，所述基极电压检测电路模块与所述检测切换继电器电路模块相接。上述的一种晶体三极管特性参数测试系统，其特征在于:所述受控电压源与被测试晶体三极管之间接有过压保护电路模块，所述阶梯波恒流源与被测试晶体三极管之间接有过流保护电路模块。上述的一种晶体三极管特性参数测试系统，其特征在于:所述微控制器模块为单片机MSP430F155，所述A/D转换电路模块和D/A转换电路模块均集成在所述单片机MSP430F155 内部。上述的一种晶体三极管特性参数测试系统，其特征在于:所述基极电压检测电路模块由第一芯片0P07-1和第二芯片0P07-2，以及电阻Rl、R2、R3和R4构成；所述检测切换继电器电路模块由继电器SRD-S-112D和三极管Q7构成；所述第一芯片0P07-1的引脚5与所述被测试晶体三极管的基极b相接，所述第一芯片0P07-1的引脚4和引脚12以及电阻Rl的一端和电阻R2的一端均与所述电源模块的+15V电压输出端相接，所述电阻Rl的另一端接地，所述第一芯片0P07-1的引脚2、电阻R2的另一端和电阻R3的一端均与所述继电器SRD-S-112D的引脚5相接，所述第二芯片0P07-2的引脚5和电阻R4的一端均与所述电阻R3的另一端相接，所述第二芯片0P07-2的引脚4接地，所述第二芯片0P07-2的引脚12与所述电源模块的+15V电压输出端相接，所述第一芯片0P07-1的引脚3和第二芯片0P07-2的引脚3均与所述电源模块的-15V电压输出端相接，所述第二芯片0P07-2的引脚2和电阻R4的另一端均与所述继电器SRD-S-112D的引脚4相接，所述继电器SRD-S-112D的引脚2与所述A/D转换电路模块的输入端相接，所述继电器SRD-S-112D的引脚I与所述电源模块的+12V电压输出端相接，所述继电器SRD-S-112D的引脚3与所述三极管Q7的集电极相接，所述三极管Q7的基极与所述微控制器模块的输出端相接，所述三极管Q7的发射极接地。上述的一种晶体三极管特性参数测试系统，其特征在于:所述液晶显示电路模块主要由0CMJ4X8C中文图形两用液晶显示模块构成。上述的一种晶体三极管特性参数测试系统，其特征在于:所述过压保护电路模块由第一芯片0P27-1和第二芯片0P27-2，整流二极管Dl和D2，以及电阻R5、R6、R7、R8、R9、RlO和Rll构成；所述电阻R5的一端和电阻R8的一端均与所述受控电压源的输出端相接，所述第一芯片0P27-1的引脚2与所述电阻R5的另一端、电阻R7的一端和整流二极管Dl的负极相接，所述第一芯片0P27-1的引脚3通过电阻R6接地，所述第一芯片0P27-1的引脚6与所述整流二极管Dl的正极和整流二极管D2的负极相接，所述电阻R7的另一端与所述整流二极管D2的正极和电阻R9的一端相接，所述电阻R8的另一端、电阻R9的另一端和电阻Rll的一端均与所述第二芯片0P27-2的引脚2相接，所述第二芯片0P27-2的引脚6和电阻Rll的另一端均与所述被测试晶体三极管的集电极c相接，所述第二芯片0P27-2的引脚3通过电阻RlO接地。本技术与现有技术相比具有以下优点: 1、本技术中微控制器模块采用单片机MSP430F155来实现，且A/D转换电路模块和D/A转换电路模块均集成在所述单片机MSP430F155内部，电路结构简单，设计合理，体积小，便于携带和使用。2、本技术测试安全性能好，工作可靠性高，在受控电压源与被测试晶体三极管之间接有过压保护电路模块，所述阶梯波恒流源与被测试晶体三极管之间接有过流保护电路模块，能够有效地防止短路或者测试人员误操作带来的意外事故的发生。3、本技术数据处理既可以由微控制器模块完成，也可以由内存更大、数据存储处理功能更强的上位计算机完成，测试效率高，测试精度高。4、本技术的实现成本低，三极管特性参数测试方便，便于大众普及使用。综上所述，本技术结构简单，设计合理，体积小，便于携带和使用，测试效率高，测试精度高，工作可靠性高，实现成本低，便于大众普及使用。下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1为本技术的电路原理框图。图2为本技术基极电压检测电路模块和检测切换继电器电路模块的电路原理图。图3为本技术过压保护电路模块的电路原理图。附图标记说明:I 一微控制器模块；2 —串口通彳目电路模块； 3—上位计算机；4 一电源模块；5—被测试晶体三极管； 6—受控电压源；7—阶梯波恒流源；8 — A/D转换电路模块； 9一键盘电路模块；10—基极电压检测电路模块；11一集电极电压检测电路模块；12一D/A转换电路模块；13—液晶显不电路模块；14一电压切换继电器电路模块；15—检测切换继电器电路模块；16-过压保护电路模块；17-过流保护电路模块。具体实施方式如图1所示，本技术包括微控制器模块1、与所述微控制器模块I相接的串口通信电路模块2和与所述串口通信电路模块2相接的上位计算机3，以及用于为系统中各用电模块供电的电源模块4、用于为被测试晶体三极管5提供集电极电压的受控电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体三极管特性参数测试系统，其特征在于：包括微控制器模块（1）、与所述微控制器模块（1）相接的串口通信电路模块（2）和与所述串口通信电路模块（2）相接的上位计算机（3），以及用于为系统中各用电模块供电的电源模块（4）、用于为被测试晶体三极管（5）提供集电极电压的受控电压源（6）和用于为被测试晶体三极管（5）提供基极电流的阶梯波恒流源（7）；所述微控制器模块（1）的输入端接有A/D转换电路模块（8）和用于输入控制参数的键盘电路模块（9），所述A/D转换电路模块（8）的输入端接有用于对被测试晶体三极管（5）的基极电压进行检测的基极电压检测电路模块（10）和用于对被测试晶体三极管（5）的集电极电压进行检测的集电极电压检测电路模块（11），所述微控制器模块（1）的输出端接有D/A转换电路模块（12）、液晶显示电路模块（13）、用于实现受控电压源（6）输出电压正负切换的电压切换继电器电路模块（14）和用于实现NPN型晶体三极管与PNP型晶体三极管基极电压检测切换的检测切换继电器电路模块（15），所述受控电压源（6）和阶梯波恒流源（7）均与所述D/A转换电路模块（12）的输出端相接，所述电压切换继电器电路模块（14）和检测切换继电器电路模块（15）均与所述微控制器模块（1）的输出端相接，所述受控电压源（6）与所述电压切换继电器电路模块（14）相接，所述基极电压检测电路模块（10）与所述检测切换继电器电路模块（15）相接。...

【技术特征摘要】
1.一种晶体三极管特性参数测试系统，其特征在于:包括微控制器模块(I)、与所述微控制器模块(I)相接的串口通信电路模块(2)和与所述串口通信电路模块(2)相接的上位计算机(3)，以及用于为系统中各用电模块供电的电源模块(4)、用于为被测试晶体三极管(5)提供集电极电压的受控电压源(6)和用于为被测试晶体三极管(5)提供基极电流的阶梯波恒流源(7);所述微控制器模块(I)的输入端接有A/D转换电路模块(8)和用于输入控制参数的键盘电路模块(9)，所述A/D转换电路模块(8)的输入端接有用于对被测试晶体三极管(5)的基极电压进行检测的基极电压检测电路模块(10)和用于对被测试晶体三极管(5)的集电极电压进行检测的集电极电压检测电路模块(11)，所述微控制器模块(I)的输出端接有D/A转换电路 模块(12)、液晶显示电路模块(13)、用于实现受控电压源(6)输出电压正负切换的电压切换继电器电路模块(14)和用于实现NPN型晶体三极管与PNP型晶体三极管基极电压检测切换的检测切换继电器电路模块(15)，所述受控电压源(6)和阶梯波恒流源(7 )均与所述D/A转换电路模块(12 )的输出端相接，所述电压切换继电器电路模块(14)和检测切换继电器电路模块(15)均与所述微控制器模块(I)的输出端相接，所述受控电压源(6 )与所述电压切换继电器电路模块(14 )相接，所述基极电压检测电路模块(10 )与所述检测切换继电器电路模块(15)相接。2.按照权利要求1所述的一种晶体三极管特性参数测试系统，其特征在于:所述受控电压源(6)与被测试晶体三极管(5)之间接有过压保护电路模块(16)，所述阶梯波恒流源(7)与被测试晶体三极管(5)之间接有过流保护电路模块(17)。3.按照权利要求1或2所述的一种晶体三极管特性参数测试系统，其特征在于:所述微控制器模块(I)为单片机MSP430F155，所述A/D转换电路模块(8)和D/A转换电路模块(12)均集成在所述单片机MSP430F155内部。4.按照权利要求1或2所述的一种晶体三极管特性参数测试系统，其特征在于:所述基极电压检测电路模块(10)由第一芯片0P07-1和第二芯片0P07-2，以及电阻Rl、R2、R3和R4构成；所述检测切换继电器电路模块(15)由继电器SRD-S-112D和三极管Q7构成；所述第一芯片0P07-1的引脚5与所述被测试晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志伟，
申请(专利权)人：陕西理工学院，
类型：实用新型
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