一种结电容测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种结电容测试装置，所述装置包括：测试板和固定夹具；所述测试板的测试面有五个金属突起，各个金属突起对应连接34毫米半桥连接功率器件的一个电极，并且各个金属突起对应连接的电极之间互不导通，所述五个金属突起的底部与结电容测试电路相连；所述固定夹具用于将所述34毫米半桥连接功率器件与所述测试板的测试面压紧。可以看出，该技术方案不需要使用焊线或者绕线的方法向电极处引线即可实现对34毫米半桥连接功率器件的结电容参数的测量，以便于操作人员更加简单、并且安全性更高的测量该器件的结电容参数。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

Junction capacitance testing device

The utility model provides a junction capacitance test device, the device comprises a test board and test fixture; the test board has five metal protrusions, each one electrode metal protrusions connected to the corresponding 34 mm bridge connection of power devices, and each metal protrusion between electrodes connected each other conduction, and junction capacitance testing circuit connected to the bottom of the five metal protrusions; the fixture for the 34 mm half bridge is connected with a power device and the test surface of the pressing plate. It can be seen that the scheme does not require the use of wire or wire winding method to measure the capacitance parameters of power devices connected to the electrodes 34 mm half bridge lead to junction capacitance measurements in order to facilitate the operator is more simple, and more security of the device.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件测试领域，尤其是涉及一种结电容测试装置。
技术介绍
功率半导体器件的结电容参数一般包括输入电容、输出电容、反馈电容三项，是反映器件结构特性、动态时间参数的重要指标。按照测试条件要求，测试不同的结电容参数时需连接不同的测试线路，并外接旁路电容、旁路电阻等无源器件元件，对功率半导体器件的管脚施加直流电压及高频信号来测试相应的电容参数。目前，测量34毫米半桥连接功率器件的结电容参数的方法主要是在该器件中间的三个电极处安装相应大小的螺丝，使用鳄鱼夹夹住螺丝，用焊线或者绕线的方法向该器件的电极处引线，之后将引线与LCR测量仪连接从而实现测量结电容参数。该方法测试34毫米半桥连接功率器件结电容参数时，由于需要使用焊线或者绕线的方法向电极处引线，因此操作过程较复杂，并且操作者如不小心，容易引起短路、触电等事故，导致器件的损坏，尤其是高温焊接时容易造成栅极损坏，此外该方法对人员的安全性也较差。
技术实现思路
本技术解决的技术问题在于提供一种结电容测试装置，从而不需要使用焊线或者绕线的方法向电极处引线即可实现对34毫米半桥连接功率器件的结电容参数的测量，以便于操作人员更加简单、并且安全性更高的测量该器件的结电容参数。为此，本技术解决技术问题的技术方案是:本技术提供了一种结电容测试装置，所述装置包括:测试板和固定夹具；所述测试板的测试面有五个金属突起，各个金属突起对应连接34毫米半桥连接功率器件的一个电极，并且各个金属突起对应连接的电极之间互不导通，所述五个金属突起的底部与结电容测试电路相连；所述固定夹具用于将所述34毫米半桥连接功率器件与所述测试板的测试面压紧。优选地，所述五个金属突起分别为第一、第二、第三、第四和第五测试点；第一、第二和第三测试点位于一条直线上并依次相邻，所述第一、第二和第三测试点中相邻测试点之间的距离为23毫米，第四测试点和第五测试点关于所述直线对称，所述第三测试点与所述第四和第五测试点所在直线的垂直距离为17毫米，所述第四测试点和第五测试点之间的距离为26毫米。优选地，所述五个金属突起分别为第一、第二、第三、第四和第五测试点；所述第一和第二测试点之间的距离为46毫米，所述第三、第四和第五测试点位于一条直线上并依次相邻，所述第三测试点和第五测试点关于所述第一和第二测试点所在的直线对称，所述第三测试点与第五测试点之间的距离为26毫米，所述第四测试点与所述第三测试点之间的距离为4.5毫米，所述第二测试点与所述第三、第四和第五测试点所在直线的垂直距离为17毫米，所述第四测试点与所述器件对应连接的电极和所述第一测试点与所述器件对应连接的电极之间不导通。优选地，所述五个金属突起分别为第一、第二、第三、第四和第五测试点；所述第一和第二测试点之间的距离为23毫米，所述第三、第四和第五测试点位于一条直线上并依次相邻，所述第三测试点和第五测试点关于所述第一和第二测试点所在的直线对称，所述第三测试点与第五测试点之间的距离为26毫米，所述第四测试点与所述第五测试点之间的距离为4.5毫米，所述第二测试点与所述第三、第四和第五测试点所在直线的垂直距离为17毫米，所述第四测试点与所述器件对应连接的电极和所述第一测试点与所述器件对应连接的电极之间不导通。优选地，所述五个金属突起分别为第一、第二、第三、第四和第五测试点；所述第二、第三、第四和第五测试点位于一条直线上并依次相邻，所述第二测试点与第三测试点之间的距离为4.5毫米，所述第三测试点与所述第四测试点之间的距离为17毫米，所述第四测试点与第五测试点之间的距离为4.5毫米，所述第一测试点与所述第三、第四和第五测试点所在直线的垂直距离为17毫米。优选地，所述装置还包括:底部为所述测试板的测试盒体，所述测试盒体用于放置34毫米半桥连接功率器件；所述固定夹具为所述测试盒体的盒体盖。优选地，所述装置还包括:包含所述测试盒体的外部模块。优选地，所述34毫米半桥连接功率器件包括第一 IGBT和第二 IGBT ；所述结电容测试电路包括:第一、第二、第三和第四开关、旁路电阻、偏置电感以及芳路电容；直流电源连接节点与旁路电容的第一端和高电平测试连接节点相连；低电平测试连接节点与旁路电阻的第一端相连；所述偏置电感的第一端与地电平相连；所述第一开关置于第一位时，直流电源连接节点与第一 IGBT的漏极相连，所述第一开关置于第二位时，直流电源连接节点与第二 IGBT的漏极相连；所述第二开关置于第一位时，所述低电平测试连接节点与第一 IGBT的栅极相连，所述第二开关置于第二位时，所述低电平测试连接节点与第二 I GBT的栅极相连；所述第三开关置于第一位时，所述旁路电阻的第二端与第一 IGBT的源极相连，所述第三开关置于第二位时，所述旁路电阻的第二端与第二 IGBT的源极相连；所述第四开关置于第一位时，所述旁路电阻的第二端与旁路电容的第二端以及偏置电感的第二端相连；所述第四开关置于第二位时，所述旁路电阻的第二端与地电平相连；所述第四开关置于第三位时，所述旁路电阻的第二端与所述低电平测试连接节点相连。优选地，所述装置还包括设置开关组，所述设置开关组用于分别控制所述第一、第二、第三和第四开关。优选地，所述装置还包括信号接口端和电源接口端，所述信号接口端包括高电流接口端、高电压接口端、低电流接口端、低电压接口端；所述高电流接口端和高电压接口端与所述高电平测试连接节点相连；所述低电流接口端和低电压接口端与所述低电平测试连接节点相连；所述电源接口端与直流电源连接节点相连。优选地，所述金属突起为镀金弹簧。通过上述技术方案可知，测试板的各个金属突起与34毫米半桥连接功率器件的一个电极相连，并且各个金属突起对应连接的电极之间互不导通，从而五个金属突起连接了测量34毫米半桥连接功率器件的结电容参数时所需的五个电极。也就是图1中的34毫米半桥连接功率器件的电极3、电极4、电极6三个电极，再加上电极I和5中的任意一个电极，电极2和7中的任意一个电极，共5个电极。并且通过固定夹具使得34毫米半桥连接功率器件与测试板的测试面压紧，从而使得测试板的测试面上的金属突起良好接触34毫米半桥连接功率器件上的对应的电极，之后通过金属突起的底部连接的结电容测试电路测试34毫米半桥连接功率器件的结电容参数。可以看出，该技术方案不需要使用焊线或者绕线的方法向电极处引线即可实现对34毫米半桥连接功率器件的结电容参数的测量，以便于操作人员更加简单、并且安全性更高的测量该器件的结电容参数。附图说明图1为现有技术中的34毫米半桥连接功率器件的内部连接图；图2为现有技术中的34毫米半桥连接功率器件的俯视图；图3为本技术提供的具体实施例中的测试板的俯视图；图4为本技术提供的另一具体实施例中的测试板的俯视图；图5为本技术提供的另一具体实施例中的测试板的俯视图；图6为本技术提供的另一具体实施例中的测试板的俯视图；图7为本技术提供的一种结电容测试电路的电路图；图8为本技术提供的另一具体实施例的结构示意图；图9为图8所示的实施例中的外部模块的俯视图。具体实施方式如图1所示，34毫米半桥连接功率器件的内部包括两个绝缘栅双极性晶体管(IGBT)Gl和G2，以及两个二极管Dl和D2。该器件共有7个电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结电容测试装置，其特征在于，所述装置包括：测试板和固定夹具；所述测试板的测试面有五个金属突起，各个金属突起对应连接34毫米半桥连接功率器件的一个电极，并且各个金属突起对应连接的电极之间互不导通，所述五个金属突起的底部与结电容测试电路相连；所述固定夹具用于将所述34毫米半桥连接功率器件与所述测试板的测试面压紧。

【技术特征摘要】
1.一种结电容测试装置，其特征在于，所述装置包括:测试板和固定夹具； 所述测试板的测试面有五个金属突起，各个金属突起对应连接34毫米半桥连接功率器件的一个电极，并且各个金属突起对应连接的电极之间互不导通，所述五个金属突起的底部与结电容测试电路相连； 所述固定夹具用于将所述 34毫米半桥连接功率器件与所述测试板的测试面压紧。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述五个金属突起分别为第一、第二、第三、第四和第五测试点；第一、第二和第三测试点位于一条直线上并依次相邻，所述第一、第二和第三测试点中相邻测试点之间的距离为23毫米，第四测试点和第五测试点关于所述直线对称，所述第三测试点与所述第四和第五测试点所在直线的垂直距离为17毫米，所述第四测试点和第五测试点之间的距离为26毫米。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述五个金属突起分别为第一、第二、第三、第四和第五测试点；所述第一和第二测试点之间的距离为46毫米，所述第三、第四和第五测试点位于一条直线上并依次相邻，所述第三测试点和第五测试点关于所述第一和第二测试点所在的直线对称，所述第三测试点与第五测试点之间的距离为26毫米，所述第四测试点与所述第三测试点之间的距离为4.5毫米，所述第二测试点与所述第三、第四和第五测试点所在直线的垂直距离为17毫米，所述第四测试点与所述器件对应连接的电极和所述第一测试点与所述器件对应连接的电极之间不导通。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述五个金属突起分别为第一、第二、第三、第四和第五测试点；所述第一和第二测试点之间的距离为23毫米，所述第三、第四和第五测试点位于一条直线上并依次相邻，所述第三测试点和第五测试点关于所述第一和第二测试点所在的直线对称，所述第三测试点与第五测试点之间的距离为26毫米，所述第四测试点与所述第五测试点之间的距离为4.5毫米，所述第二测试点与所述第三、第四和第五测试点所在直线的垂直距离为17毫米，所述第四测试点与所述器件对应连接的电极和所述第一测试点与所述器件对应连接的电极之间不导通。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述五个金属突起分别为第一、第二、第三、第四和第五测试点；所述第二、第三、第四和第五测试点位于一条直线上并依次相邻，所述第二测试点与第三测试点之间的距离为4.5毫米，所述第三测试点与所述第四测试点之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：佘超群，朱阳军，陆江，成星，高振鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：实用新型
国别省市：