反应罩制造技术

技术编号:8971206 阅读:147 留言:0更新日期:2013-07-26 03:03
本实用新型专利技术涉及一种用于氯气刻蚀烘烤设备的反应罩,该反应罩由耐温、隔热并具有高透光性的材料整体制成,并在其顶面设有用于容纳温度测量装置的第一管和供气体进入的第二管。第二管通入到设置在反应罩内的多层孔板结构,第一管穿透多层孔板结构而通到反应罩内部。多层孔板结构至少包括分层排列的第一和第二孔板,第一和第二孔板上分别分布有构成第一和第二图案的多个孔。本实用新型专利技术的反应罩为氯气刻蚀烘烤设备提供合适的反应空间,以保证氯气刻蚀烘烤设备为金属有机化学气相沉积设备提供可重复利用的清洁石墨盘和刻蚀清洁的外延衬底片,从而在充分清洁石墨盘表面和外延衬底片的沉积物的同时,改善外延片的生长成品率和衬底片的重复利用率。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

Reaction hood

The utility model relates to a chlorine etching reaction baking equipment cover, the cover is composed of reaction temperature resistance, heat insulation and high transmittance material are made into a whole, and in the first tube and the gas are arranged on the top surface for receiving the temperature measuring device into second tube. The second tube is connected to a plurality of orifice plates arranged in the reaction cover, and the first pipe penetrates through the multi hole plate structure and leads to the inner part of the reaction cover. The multilayer perforated plate structure comprises at least a first and second orifice plates arranged in a hierarchical arrangement, and the first and the second orifice plates are respectively provided with a plurality of holes which form the first and the second patterns. The utility model of the reaction for the cover of chlorine etching baking equipment provide a reaction space right, to ensure a clean plate and graphite substrates etched clean recycling of chlorine etching baking equipment for metal organic chemical vapor deposition equipment, at the same time to fully clean the graphite disc in the sediment surface and epitaxial substrate. The improvement of epitaxial wafer yield and substrate utilization rate.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种反应罩,更具体地说,涉及一种用于氯气刻蚀烘烤设备的石英反应罩。
技术介绍
金属有机化学气相沉积设备(简称M0CVD)以热分解反应方式在衬底上进行化学沉积反应,生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。石墨盘作为衬底的承载平台,在该反应过程中会有多余的化学反应残留物沉积在石墨盘表面上。如果不对这些残留物进行清除的话,会在新的一炉外延片生长过程中影响对应的温度控制和表面颗粒,并最终影响到外延片生长的成品率。另外在外延片生长过程中,会有大量的衬底片因生长不出质量合格的外延片而报废,因没有专业的外延衬底片刻蚀设备,无法对这些不合格的外延片上的外延层化学沉积物进行有效地刻蚀,无法对该类衬底片进行重复利用,造成大量的成本浪费和损失。目前市场上还没有对于MOCVD和外延片进行刻蚀、清洁的专用设备,目前业内使用的石墨盘清洁方法通常采用真空烧结炉进行长时间高温烘烤的方式,存在单炉次烘烤的时间比较长(单炉次约14小时)、烘烤温度太高(最高温度约1400度)而影响石墨盘循环使用的寿命等问题,同时无法对工艺生长过程中产生的报废外延衬底片进行刻蚀。另外该类设备体积比较大,在净化车间内占用比较大的安装和使用空间。该设备烘烤石墨盘的工作原理是使用高温烧结的方式把氮化镓残留物物理性粉尘化,在运行后会产生大量的粉尘,同时会大量残留在反应炉内,所以该类设备需要经常维护和清洁。因此,目前急需一种在MOCVD外延生长过程中使用在对石墨盘和衬底片进行加热刻蚀化学反应的氯气刻蚀烘烤设备中的反应罩。该反应罩为刻蚀反应提供一个反应空间,从而在充分清洁石墨盘表 面和衬底片外延层的化学沉积物的同时,改善MOCVD的外延片的生长成品率和衬底片的重复利用率。
技术实现思路
本技术的一个目的在于提供一种使用在氯气刻蚀烘烤设备中的反应罩,该反应罩为石墨盘和外延衬底片进行刻蚀反应提供反应空间,并且能够克服如上所述的种种缺陷。本技术提供了一种用于氯气刻蚀烘烤设备的反应罩,该反应罩由耐温、隔热并具有高透光性的材料整体制成,并且在其顶面设有用于容纳温度测量装置的第一管和供气体进入的第二管,第二管通入到设置在反应罩内的多层孔板结构,而第一管穿透多层孔板结构而通到反应罩内部,多层孔板结构至少包括分层排列的第一孔板和第二孔板,第一孔板上分布有构成第一图案的多个孔,第二孔板上分布有构成第二图案的多个孔。在一个较佳实施例中,耐温隔热材料可以为石英,并且第一管和第二管也可以由石英制成。在另一个较佳实施例中,多层孔板结构可以为双层孔板结构,并且第一孔板和第二孔板是平行布置的。此时,反应罩的顶面和第一孔板之间的空间构成第一夹腔,第一孔板和第二孔板之间的空间构成第二夹腔。在又一个较佳实施例中,第一孔板上的第一图案与第二孔板上的第二图案可以是不同的,其中,第二图案中的任何一个孔与第一图案中的任何一个孔在垂直方向上可以是彼此错开的。更佳的是,第二图案中的任何一个孔可以设置成与第一图案中的距离前述孔最近的四个孔的距离是相等的。此外,反应罩的各个转角部可以由带弧度的圆角部构成,以保证整个石英罩焊接后的整体有一定的强度。在一个较佳实施例中,反应罩可以具有六面体形状,其顶面和各个侧面制成一体,而底面由安装在侧面上的法兰面构成。本技术的反应罩具有以下技术效果:为石墨盘和外延衬底片进行刻蚀反应提供一个反应空间,以保证氯气刻蚀设备能为MOCVD提供可以重复利用的清洁石墨盘和刻蚀清洁的外延衬底片,改善MOCVD的外延片的生长成品率和衬底片的重复利用率。附图说明为了进一步说明本技术的结构及其安装过程,下面将结合附图和具体实施方式对本技术进行详细说明,其中:图1为本技术的反应罩的立体图。图2为沿图1中的箭头2-2截取的反应罩的上半部分的剖视图。图3为沿图1中的虚 折线3-3截取的反应罩的上半部分的剖视图具体实施方式以下将结合附图说明本技术的最佳实施例,其中相同的标号表示相同的部件。首先请参见图1,该图示出了一种使用在氯气刻蚀烘烤设备中的反应罩。该反应罩由耐温、隔热并高透光性的材料整体焊接构成。例如,该反应罩被拼焊成五面(即,一个顶面和四个侧面)封闭的整体部件。对于该耐温、隔热并具有高透光性的材料有如下要求:(1)由于该氯气刻蚀烘烤设备需要使用红外灯管加热,致使反应罩内部的温度较高,因此反应罩的制造材料既要保证石墨盘能够充分吸热,又要确保其与反应罩中的其它部件绝热。(2)由于氯气或氯化物气体参与反应所生成的气体具有高腐蚀性,因此反应罩的制造材料要具有耐腐蚀性。本技术的技术人在经过试验之后,发现用石英制造反应罩是最为理想的。一方面,石英反应罩经过特定工艺处理后具有高透光性和一定的强度,能够满足氯气刻蚀烘烤设备在刻蚀反应时高温加热的需要;另一方面,石英反应罩对于氯气或氯化物气体有良好的耐腐蚀性。如图1所示,石英反应罩I可呈中空柱体形状。该石英反应罩I具有六面体形状,其中顶面和四个侧面通过诸如焊接等手段制成一体,而石英反应罩I的底面由安装在四个侧面上的法兰面12构成。在六面体的各个转角部可形成具有较大弧度的圆角部4,以保证和加强石英反应罩I的结构强度,并便于气流通过。构成石英反应罩I的各个石英面板通过焊接或其它适当方式连接,而法兰面12通过机加工完成后再与柱体底面焊接连接。在连接完毕之后,可以通过打磨、抛光和热处理等手段保证石英反应罩I的透光性和通透性。在石英反应罩I的顶面7 (参见图3)上竖直地设有第一和第二石英球头管5、6,其中一根可供探测石英反应罩I内部温度的温度测量装置(例如,热电偶)插入之用,而另一根可供反应气体和吹扫气体进入之用。第一和第二石英球头管5、6的具体结构将在下面结合图2和3予以详细说明。图2和3示出了沿图1中的箭头2-2或折线2_3截取的石英反应罩I的上半部分。可以看到,在石英反应罩I的顶面7下方间隔一定距离处设有双层孔板结构。具体来说,该双层孔板结构由两层平行设置且间隔一定距离的孔板8、9构成,S卩,上层孔板8和下层孔板9 (或第一孔板8和第二孔板9)。石英反应罩I的顶面7和上层孔板8之间的空间构成第一夹腔10,而上层孔板8和下层孔板9之间的空间构成第二夹腔11。上层孔板8和下层孔板9均由石英构成,并且通过焊接等方式连接到石英反应罩I的内壁。在上层孔板8上分布有构成第一图案的多个孔,而在下层孔板9上分布有构成第二图案的多个孔。第一图案和第二图案可以是相同的,也可以是不同的。在本技术的一个较佳实施例中,分布在上层孔板8上的多个孔与分布在下层孔板9上的多个孔均是彼此错开的。在本技术的一个最佳实施例中,分布在下层孔板9上的多个孔中的任意一个孔设置成与分布在上层孔板8上的多个孔中的距离前述的那个孔最近的四个孔的距离都是相等的,以使第一夹腔10和第二夹腔11中的气体配流效果最佳。供热电偶插入之用的第一石英球头管5从石英反应罩I的顶面7的中心位置连续穿透石英反应罩I的顶面7、上层孔板8和下层孔板9,并通入石英反应罩I内部。热电偶可以通过该管到达石英反应罩I的内部中心,以便于测量罩体内部的温度。供反应气体和吹扫气体进入之用的第二石英球头管6仅穿透石英反应罩I的顶面7,而通入石英反应罩I的顶本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种用于氯气刻蚀烘烤设备的反应罩(1),其特征在于,所述反应罩(1)由耐温、隔热并具有高透光性的材料整体制成,并且在其顶面(7)设有用于容纳温度测量装置的第一管(5)和供气体进入的第二管(6),所述第二管(6)通入到设置在所述反应罩(1)内的多层孔板结构,而所述第一管(5)穿透所述多层孔板结构而通到所述反应罩内部,所述多层孔板结构至少包括分层排列的第一孔板(8)和第二孔板(9),所述第一孔板(8)上分布有构成第一图案的多个孔,所述第二孔板(9)上分布有构成第二图案的多个孔。

【技术特征摘要】
1.一种用于氯气刻蚀烘烤设备的反应罩(1),其特征在于,所述反应罩(I)由耐温、隔热并具有高透光性的材料整体制成,并且在其顶面(7)设有用于容纳温度测量装置的第一管(5)和供气体进入的第二管(6),所述第二管(6)通入到设置在所述反应罩(I)内的多层孔板结构,而所述第一管(5)穿透所述多层孔板结构而通到所述反应罩内部,所述多层孔板结构至少包括分层排列的第一孔板(8)和第二孔板(9),所述第一孔板(8)上分布有构成第一图案的多个孔,所述第二孔板(9)上分布有构成第二图案的多个孔。2.如权利要求1所述的反应罩(1),其特征在于,所述耐温隔热材料为石英。3.如权利要求1 所述的反应罩(1),其特征在于,所述第一管(5)和所述第二管(6)由石英制成。4.如权利要求1所述的反应罩(1),其特征在于,所述多层孔板结构为双层孔板结构。5.如权利要求4所述的反应罩(1),其特征在于,所述第一孔板(8)和所述第二孔板(9)平行布置。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐小明周永君丁云鑫
申请(专利权)人:杭州士兰明芯科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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