一种低衰减发光二极管制造技术

本发明专利技术的低衰减发光二极管包括顶部具有凹槽的支架，在支架的凹槽中固定有芯片，芯片上覆盖包覆层，包覆层上覆盖荧光转化层，在荧光转化层上覆盖一层配光体。该发光二极管的封装结构采用包覆层覆盖芯片，可减小芯片对荧光转化层的光热影响，延缓光衰减并降低颜色漂移的幅度；荧光转化层缩短了荧光粉的运动路径，可以有效防止荧光粉沉降不均。本发明专利技术解决了目前LED封装中光衰大，光斑不均匀、入Bin率低等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低衰减发光二极管(LED)。
技术介绍
LED照明作为一种全新的照明方式，正在渗入传统照明领域且大有取而代之的趋势，它因具有低功耗、长寿命、反应速度快等优点而越来越受大众的认可。目前LED封装工艺中，光转换方式多采用荧光粉与有机树脂材料混合后点胶的方式，涂布在芯片上面，然后再采用环氧、硅橡胶等进行产品封装以完成对器件的机械、湿热等保护措施。在荧光粉与环氧、硅橡胶等有机材料进行混合时，荧光粉会在胶内沉降造成生产良率降低和光斑不均匀；同时胶体直接覆盖在芯片上，受芯片的发热量影响，环氧、硅橡胶等有机材料容易劣化，造成LED产品光衰减、颜色漂移、寿命变短等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种低衰减发光二极管。本专利技术的低衰减发光二极管包括顶部具有凹槽的支架，在支架的凹槽中固定有芯片，芯片上覆盖包覆层，包覆层上覆盖荧光转化层，在荧光转化层外连同支架的上部包裹一层配光体，或者在突光转化层上覆盖一层配光体。上述芯片的发光 波长为350 470nm。本专利技术中，所说的包覆层可以是纳米Ti02、Zr02、Al203、Si0dP CaCO3中的一种或几种与环氧树脂、硅树脂、环氧-有机硅复合树脂、无机改性环氧树脂或无机改性硅树脂的混合物，其折射率为1.5 2.5。本专利技术中，所说的荧光转化层可以是荧光粉和环氧树脂、硅树脂、环氧-有机硅复合树脂、无机改性环氧树脂或无机改性硅树脂的混合物，其折射率为1.5 2.5。上述荧光粉种类可为钇铝石榴石、铽铝石榴石、镥铝石榴石、硅酸盐、氮化物和氮氧化物中的一种或几种。本专利技术中，所说的配光体是半球状或长方体状或椭球体状的环氧树脂或聚碳酸酯或玻璃，其折射率为1.4 1.5。本专利技术的有益效果是: 本专利技术的发光二极管采用包覆层覆盖芯片，可减小芯片对荧光转化层的光热影响，延缓光衰减并降低颜色漂移的幅度；荧光转化层缩短了荧光粉的运动路径，可以有效防止荧光粉沉降不均。本专利技术解决了目前LED封装中光衰大，光斑不均匀、入Bin率低等问题。本专利技术结构可用于各种发光二极管(直插式LED、贴片式LED及大功率LED、COB产品)的生产。附图说明图1为本专利技术的发光二极管结构示意图。图2为本专利技术的另一种发光二极管结构示意图。图中，1.芯片，2.支架，3.包覆层，4.荧光转化层，5.配光体。具体实施例方式以下结合附图进一步对本专利技术进行描述。图1所示为直插式发光二极管，该发光二极管的封装结构包括顶部具有凹槽的支架2，在支架的凹槽中固定有芯片I，芯片I上覆盖包覆层3，包覆层3上覆盖荧光转化层4，在荧光转化层4外连同支架的上部包裹一层配光体5。图2所示为直插式发光二极管，该发光二极管的封装结构包括顶部具有凹槽的支架2，在支架的凹槽中固定有芯片I，芯片I上覆盖包覆层3，包覆层3上覆盖荧光转化层4，在突光转化层4上覆盖一层配光体5。包覆层可以是纳米Ti02、Zr02、Al203、Si02和CaCO3中的一种或几种与环氧树脂、硅树脂、环氧-有机硅复合树脂、无机改性环氧树脂或无机改性硅树脂的混合物，其折射率为1.5 2.5。所说的荧光转化层可以是荧光粉和环氧树脂、硅树脂、环氧-有机硅复合树脂、无机改性环氧树脂或无机改性硅树脂的混合物，其折射率为1.5 2.5。配光体5可采用灌胶的方式形成的半球状或长方体状或椭球体状的环氧树脂或聚碳酸酯或玻璃，其折 射率为1.4 1.5。以上列举的仅是本专利技术的具体实施例子。显然，本专利技术不限于以上实施例子，在本专利技术的精神和权利要求的保护范围内，对本专利技术作出的任何修改和改变，均应认为是本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低衰减发光二极管，其特征在于包括顶部具有凹槽的支架(2)，在支架的凹槽中固定有芯片(1)，芯片(1)上覆盖包覆层（3），包覆层（3）上覆盖荧光转化层（4），在荧光转化层（4）外连同支架的上部包裹一层配光体（5），或者在荧光转化层（4）上覆盖一层配光体（5）。

【技术特征摘要】
1.一种低衰减发光二极管，其特征在于包括顶部具有凹槽的支架(2)，在支架的凹槽中固定有芯片(1)，芯片(I)上覆盖包覆层(3)，包覆层(3)上覆盖荧光转化层(4)，在荧光转化层(4)外连同支架的上部包裹一层配光体(5)，或者在荧光转化层(4)上覆盖一层配光体(5)。2.根据权利要求1所述的一种低衰减发光二极管，其特征在于所说的芯片(I)的发光波长为350 470nm。3.根据权利要求1所述的一种低衰减发光二极管，其特征在于所说的包覆层(3)是纳米Ti02、ZrO2, A1203、SiO2和CaCO3中的一种或几种与环氧树脂、硅树脂、环氧-有机硅复合树脂、无...

【专利技术属性】
技术研发人员：严钱军，高康，
申请(专利权)人：杭州杭科光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：