本发明专利技术为一种移位寄存器。移位寄存器包含：驱动晶体管、上拉单元、第一下拉单元与第二下拉单元。当动作信号动作时，利用上拉单元开启驱动晶体管。当停止信号动作时，第一下拉单元利用第一低电压来关闭驱动晶体管。当驱动晶体管关闭时，利用第二下拉单元接收停止信号与第二低电压，而驱动晶体管以第二低电压作为输出信号。当驱动晶体管开启时，驱动晶体管输出时钟信号。第一低电压小于等于第二低电压。当环境温度大于第一阈值温度时，增加该等低电压之间的差值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种移位寄存器，且特别是有关于一种根据阈值温度而改变电压的移位寄存器。
技术介绍
随着面板技术的发展，阵列基板行驱动技术(Gate on Panel，简称为GOP)的使用也越见普及。显示面板经常利用移位寄存器产生选通脉冲(gate pulse)来驱动像素。然而，移位寄存器内的驱动晶体管在一般操作环境下，虽然可以正常工作，但在环境温度为高温、低温的情况时，却容易发生漏电流、链波(ripple)等问题。请参见图1，其于不同的环境温度下，晶体管的导通电流相对应于跨压变化的示意图。需注意的是，在此附图中，电流数值的大小以对数(log)表示，因此，在纵轴上的每一个刻度，均代表电流值在一个数量级的变化。附图中以虚线标示的曲线代表在温度为摄氏80度时，晶体管的栅-源电压压差(Vgs)与驱动晶体管的漏电流的关系。而附图中相对右侧且较粗的曲线，则代表在环境温度为摄氏25度时，漏电流与驱动晶体管的栅-源压差Vgs之间的关系变化。此外，由图1可知，当驱动晶体管的栅-源压差Vgs = O伏特时，驱动晶体管虽然应该处于关闭的状态，但是在实际上在源极、漏极之间却存在漏电流。当驱动晶体管的栅-源压差Vgs = O伏特时，若环境温度=80度，流经驱动晶体管的漏电流为1.8Θ-9安培；对照于环境温度=25度时，流经驱动晶体管的漏电流为3.3e_10安培。可以看出，环境温度的高低对于漏电流的影响很大。当显示电路存在漏电流时，显示面板的稳定性相当容易受到影响。特别是因为移位寄存器会使用前、后级的输出信号，导致漏电流对电路操作形成递回的影响。亦即，即使驱动晶体管的栅-漏极之间的电压 维持不变，但是在温度越高时，驱动晶体管的漏电流情形却更严重。再者，当驱动晶体管操作在线性区时，导通驱动晶体管的电流公式可以表示为:Ι = —μχ — [2vgs - vth )Vds -Vjs I根据此公式可以得知，当温度变高时，电子的漂移特性(mobility)增强，此时导通电流Id会变大。在低温时，由于电子的漂移特性变小，导通电电流Id会变小。然而，对于显示面板来说，其输出端信号out_n会传送至后端使用。因此，当驱动晶体管在低温下操作时，由于导通电流较小的关系，相对容易受到信号递回的影响，导致位于后级的移位寄存器所产生的输出电流偏弱，使得显示画面无法正常被显示。由此可知，目前显示器所使用的移位寄存器的设计仍不理想，而可能导致画面显示时，容易受到环境温度的影响而产生异常动作。因此，如何在不同温度环境下，提供稳定操作的移位寄存器，便成为一个重要而待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术有关于一种移位寄存器，包含:驱动晶体管，包括栅极、漏极接收时钟信号，以及源极产生输出信号；上拉单元，电连接于该栅极并接收该动作信号，当该动作信号动作时，开启该驱动晶体管；第一下拉单元，电连接于该栅极、接收该停止信号与第一低电压，当该停止信号动作时，提供该第一低电压以关闭该驱动晶体管；第二下拉单元，电连接于该漏极，其接收该停止信号与第二低电压，其中，当该驱动晶体管关闭时，该输出信号为该第二低电压；当该驱动晶体管开启时，将该时钟信号作为该输出信号，且该第一低电压小于等于该第二低电压，其中，当环境温度大于第一阈值温度时，增加该第一低电压与该第二低电压之间的差值。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下:附图说明图1，其于不同的环境温度下，晶体管的导通电流相对应于跨压变化的示意图。图2A，其描绘根据本专利技术构想的移位寄存器电路架构的示意图。图2B，其根据本专利技术构想的移位寄存器中，动作信号、停止信号、栅极电压、输出信号与时钟信号的波形图。图3A，其根据本专利技术构想的第一种较佳实施例，因应温度变化而调整下拉单元所使用的低电压的示意图。图3B，其根据本专利技术构想的第二种较佳实施例，因应温度变化而调整下拉单元所使用的低电压的示意图。图3C，其根据本专利技术构想的第三种较佳实施例，因应温度变化而调整下拉单元所使用的低电压的示意图。图3D，其根据本专利技术构想的第四种较佳实施例，因应温度变化而调整下拉单元所使用的低电压的示意图。图4，其控制产生输出电压变化的电路架构示意图。主要元件符号说明上拉单元201第一下拉单元203第二下拉单元205偏压控制电路311箝制电路312定电流源控制器313比较器314缓冲器315放大器3 16偏压产生单元30具体实施例方式请参照图2AF，其描绘根据本专利技术构想的移位寄存器电路架构的示意图。移位寄存器20被用来接收由前级移位寄存器所输出的动作信号(out_n-2)，以及由后级移位寄存器所输出的停止信号(out_n+2)。当然，此处的动作信号(out_n-2)，以及停止信号(out_n+2)是为了举例说明而假设的。其中动作信号(out_n-2)假设由上上级的移位寄存器产生，停止信号(out_n+2)假设由下下级的移位寄存器产生。然而，在实际应用时，动作信号与停止信号的来源并不以此为限。在此较佳实施例中，移位寄存器20包含:驱动晶体管TFT1、上拉单元201、第一下拉单元203，以及第二下拉单元205。以下简要说明在移位寄存器20内部各元件与信号之间的连带关系，而各信号彼此间的影响则请参见图2B的说明。驱动晶体管TFTl的栅极根据上拉单元201、第一下拉单元203的控制而决定是否开启驱动晶体管TFTl。驱动晶体管TFTl的漏极用来接收时钟信号CLK。驱动晶体管TFTl的源极则根据驱动晶体管TFTl是否被开启、驱动而产生输出信号(out_n)。此外，在驱动晶体管TFTl的栅极与源极之间，还有一个耦合电容C。首先，上拉单元201电连接于驱动晶体管TFTl的栅极，并用来接收由前级移位寄存器所输出的动作信号(out_n-2)。当动作信号(out_n-2)动作时，开启驱动晶体管TFTl。根据本专利技术构想的移位寄存器20包含了两个下拉单元。其中第一下拉单元203电连接于第一低电压VGL_G0P、第二下拉单元205电连接于第二低电压VGL_AA，而第一低电压VGL_G0P小于或等于第二低电压VGL_AA。此外，第一低电压VGL_G0P与第二低电压VGL_AA之间的电压差会因应环境温度的不同而调整，且第一低电压VGL_G0P与第二低电压VGL_AA的电压电平均低于一接地电压(GND)。除了与第一低电压VGL_G0P相连接外，第一下拉单元203亦电连接于驱动晶体管TFTl的栅极。第一下拉单元203被用来接收由后级移位寄存器所输出的停止信号(out_n+2)。当停止信号动作(out_n+2)时，提供第一低电压VGL_G0P以关闭驱动晶体管TFTl。第二下拉单元205电连接于驱动晶体管TFTl的漏极与第二低电压VGL_AA，第二下拉单元205亦接收由后级移位寄存器所输出的停止信号(out_n+2)。当驱动晶体管TFTl关闭时，驱动晶体管TFTl在源极产生的输出信号为第二低电压VGL_AA ;当驱动晶体管TFTl开启时，漏极与源极将导通，因而利用漏极所接收的时钟信号CLK作为输出信号。请参见图2B，其根据本专利技术构想的移位寄存器中，动作信号、停止信号、栅极电压、输出信号与时钟信号的波形图。为了便于说明，以下以附图中的第一期间Tl、第二期间T本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种移位寄存器，包含：驱动晶体管，包括栅极、漏极接收时钟信号，以及源极产生输出信号；上拉单元，电连接于该栅极并接收动作信号，当该动作信号动作时，开启该驱动晶体管；第一下拉单元，电连接于该栅极、接收停止信号与第一低电压，当该停止信号动作时，提供该第一低电压以关闭该驱动晶体管；第二下拉单元，电连接于该漏极，其接收该停止信号与第二低电压，其中，当该驱动晶体管关闭时，该输出信号为该第二低电压；当该驱动晶体管开启时，将该时钟信号作为该输出信号，且该第低电压小于等于该第二低电压，其中，当环境温度大于第一阈值温度时，增加该第一低电压与该第二低电压之间的差值。
【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器，包含: 驱动晶体管，包括栅极、漏极接收时钟信号，以及源极产生输出信号； 上拉单元，电连接于该栅极并接收动作信号，当该动作信号动作时，开启该驱动晶体管； 第一下拉单元，电连接于该栅极、接收停止信号与第一低电压，当该停止信号动作时，提供该第一低电压以关闭该驱动晶体管； 第二下拉单元，电连接于该漏极，其接收该停止信号与第二低电压， 其中，当该驱动晶体管关闭时，该输出信号为该第二低电压；当该驱动晶体管开启时，将该时钟信号作为该输出信号，且该第低电压小于等于该第二低电压， 其中，当环境温度大于第一阈值温度时，增加该第一低电压与该第二低电压之间的差值。2.如权利要求1所述的移位寄存器，其中当该环境温度大于该第一阈值温度时，降低该第一低电压的电平，并维持该第二低电压的电平。3.如权利要求1 所述的移位寄存器，其中当该环境温度大于该第一阈值温度时，维持该第一低电压的电平，并提升该第二低电压的电平。4.如权利要求1所述的移位寄存器，其中当该环境温度大于该第一阈值温度时，降低该第一低电压的电平，并提升该第二低电压的电平。5.如权利要求1所述的移位寄存器，其中当该环境温度大于该第一阈值温度时，提升该第一低电压、该第二低电压的电平，且该第一低电压的电压升幅小于该第二低电压的电压升幅。6.如权利要求1所述的移位寄存器，其中当该环境温度小于第二阈值温度时，减少该第一低电压与该第二低电压之间的差值，其中该第二阈值温度低于第一阈值温度。7.如权利要求6所述的移位寄存器，其中当该环境温度小于该第二阈值温度时，维持...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡易宬，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，奇美电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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