【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体三极管参数测试仪。
技术介绍
在电学实验的过程中，常常需要对三极管的参数进行测试。对三极管的测试中，涉及到基极和集电极的电压测量、反向击穿电压测量、反向包和电流测量等参数的测试过程。三极管发射极开路，集电结反向偏置(Uc>Ub)，这时，流过集电结的电流是少子的反向电流，称为反向饱和电流。实质上，就是PN结的反向饱和电流。由于反向饱和电流极小，测量中容易产生较大的误差。在现有技术中，常常采用数字式万用表、示波器等设备手动对三极管进行测试，存在有测试精度低、测量步骤复杂等问题。
技术实现思路
本技术是为避免上述已有技术中存在的不足之处，提供一种半导体三极管参数测试仪，以提高三极管的参数测量精度。本技术为解决技术问题采用以下技术方案。半导体三极管参数测试仪，其结构特点是，包括测试电路、采样电路、单片机和显示装置；所述测试电路与被测三极管和采样电路相连接，用于测试三极管的各种参数并将所得的参数值传送给采样电路；采样电路与单片机相连接，用于获取测试电路所测得的参数值，并对参数值进行采样处理后传送给单片机；单片机上还连接有所述显示装置，所述显示装置用于显示单片机所传送的三极管参数。本技术的半导体三极管参数测试仪还具有以下技术特点。所述显示装置为液晶显示器。所述测试电路包括三极管基极和集电极电压测量单元、反向击穿电压测量单元和反向饱和电流测量单元。与已有技术相比，本技术有益效果体现在:本专利技术的半导体三极管参数测试仪，通过测试电路获取三极管的各种参数，由采用电路对测试电路获得的参数进行信号采样，采样后的信号送至单片机处理和计算，然后将获得的参数交由...
【技术保护点】
半导体三极管参数测试仪，其特征是，包括测试电路、采样电路、单片机和显示装置；所述测试电路与被测三极管和采样电路相连接，用于测试三极管的各种参数并将所得的参数值传送给采样电路；采样电路与单片机相连接，用于获取测试电路所测得的参数值，并对参数值进行采样处理后传送给单片机；单片机上还连接有所述显示装置，所述显示装置用于显示单片机所传送的三极管参数。
【技术特征摘要】
1.半导体三极管参数测试仪，其特征是，包括测试电路、采样电路、单片机和显示装置；所述测试电路与被测三极管和采样电路相连接，用于测试三极管的各种参数并将所得的参数值传送给采样电路；采样电路与单片机相连接，用于获取测试电路所测得的参数值，并对参数值进行采样处理后传送给单片机；单片机上还连接有所...
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