一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，包括一与所述石墨舟的晶片槽形状及大小相对应的环状主体以及一连接于该环状主体的手把；其中，所述晶片模型为石墨材质的晶片模型；所述环状主体四周的宽度为1cm~4cm；所述手把的长度为2cm~5cm。本实用新型专利技术具有以下有益效果：晶片模型的中间部位镂空，大大地节省了材料，有利于降低成本；因为晶片模型中间镂空后难以正常自动上下料，故在晶片模型中加上一个手把，可以方便地进行插片操作。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

Wafer model for drying process of graphite boat

The utility model provides a drying process for graphite boat boat chip model, including the shape and size of the graphite boat and a wafer corresponding to the annular groove body and connected to the main ring handle; wherein the wafer to wafer model model of graphite material; the ring around the body the width is 1cm~4cm; length of the handle is 2cm~5cm. The utility model has the following advantages: the middle part of the hollow wafer model, greatly saves material, can reduce the cost; because the chip model of middle hollow to normal feeding, the chip model with a handle, can easily insert operation.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体设备，特别是涉及一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型。
技术介绍
PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。PECVD具有基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂等优点而被广泛应用于半导体行业中。目前正常的PECVD工艺中，一个石墨舟循环利用约100次后要进行清洗，清洗之后首先要用烘舟设备进行烘舟，然后正常使用。现有技术中通常采用的有两种烘舟的办法，一种是空舟烘舟，烘舟后采用PECVD工艺镀出来的晶片101颜色不均匀，有明显色差，四周(扣点102位置)的颜色会发白，如图1所示，其中，图中黑点标记的为扣点102，位于距离较近的边角3.5cnT4.2cm ;另一种是石墨舟的晶片槽中插满晶片模型(Dummy wafer)进行烘舟。利用晶片模型(Dummy wafer)进行烘舟后镀出来的晶片颜色比较均匀，单片色差少，如图2所示。因此，通常采用插满晶片模型(Dummy wafer)的方式进行烘舟。现有的一种晶片模型201为与实际晶片大小形状相同的整片结构，如图3所示，这种晶片模型由于整片设计，需要采用较多的材料而成本较高，且容易造成浪费。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，用于解决现有技术中晶片模型耗费材料过多而成本较高且容易造成浪费的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，所述晶片模型包括一与所述石墨舟的晶片槽形状及大小相对应的环状主体以及一连接于该环状主体的手把。作为本技术的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型的一种优选方案，所述环状主体四周的宽度为lcnT4cm。进一步地,所述环状主体四周的宽度为2.5cm。作为本技术的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型的一种优选方案，所述手把的长度为2cm^5cm。进一步地，所述手把的长度为3.5cm。作为本技术的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型的一种优选方案，所述晶片槽为矩形晶片槽，所述环形主体为矩形环状主体。进一步地，所述手把连接于所述矩形环状主体一边的中部位置。作为本技术的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型的一种优选方案，所述晶片模型为石墨材质的晶片|旲型。如上所述，本技术提供一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，包括一与所述石墨舟的晶片槽形状及大小相对应的环状主体以及一连接于该环状主体的手把；其中，所述晶片模型为石墨材质的晶片模型；所述环状主体四周的宽度为lcmlcm;所述手把的长度为2cnT5Cm。本技术具有以下有益效果:晶片模型的中间部位镂空，大大地节省了材料，有利于降低成本；因为晶片模型中间镂空后难以正常自动上下料，故在晶片模型中加上一个手把，可以方便地进行插片操作。附图说明图1显示为现有技术空舟烘舟后镀出的晶片的表面结构示意图，其中，扣点的位置出现颜色发白的现象。图2显示为现有技术满舟烘舟后镀出的晶片的表面结构示意图，其中，该晶片表面颜色比较均匀，单片色差少。图3显示为现有技术满舟烘舟所采用的晶片模型的结构示意图，其中，该晶片模型为整片设计，需要较多的材料。图4显示为本技术的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型的结构示意图，其中，该晶片模型为中部镂空设计，附带有手把，既有利于节约材料，也方便进行插片。元件标号说明301环状主体302手把W环状主体四周的宽度L手把的长度具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图4。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。如图4所示，本技术提供一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，所述晶片模型包括一与所述石墨舟的晶片槽形状及大小相对应的环状主体301以及一连接于该环状主体301的手把302。为了有效地节约材料，在本实施例中，所述环状主体301四周的宽度为lcnT4cm。进一步地,所述环状主体301四周的宽度为2.5cm。所述手把302的目的在于方便插片，以节约材料为目的，在本实施例中，所述手把302的长度为2cm 5cm。进一步地，所述手把302的长度为3.5cm。在本实施例中，所述晶片槽为矩形晶片槽，所述环形主体为矩形环状主体。进一步地，所述手把302连接于所述矩形环状主体一边的中部位置。当然，在其它的实施例中，所述晶片槽可能为圆形等其它的形状，则所述环形主体可以采用圆形环形主体等其它形状，以适应不同石墨舟的需求。在本实施例中，所述晶片模型为石墨材质的晶片模型。综上所述，本技术提供一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，包括一与所述石墨舟的晶片槽形状及大小相对应的环状主体以及一连接于该环状主体的手把；其中，所述晶片模型为石墨材质的晶片模型；所述环状主体四周的宽度为lcmlcm;所述手把的长度为2cnT5Cm。本技术具有以下有益效果:晶片模型的中间部位镂空，大大地节省了材料，有利于降低成本；因为晶片模型中间镂空后难以正常自动上下料，故在晶片模型中加上一个手把，可以方便地进行插片操作。所以，本技术有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。上述实施例仅例示性说明本技术的原理及其功效，而非用于限制本技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属
中具有通常知识者在未脱离本技术所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本技术的权利要求所涵盖。权利要求1.一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，其特征在于，所述晶片模型包括一与所述石墨舟的晶片槽形状及大小相对应的环状主体以及一连接于该环状主体的手把。2.根据权利要求1所述的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，其特征在于:所述环状主体四周的宽度为lcnT4cm。3.根据权利要求2所述的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，其特征在于:所述环状主体四周的宽度为2.5cm。4.根据权利要求1所述的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，其特征在于:所述手把的长度为2cm^5cm。5.根据权利要求4所述的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，其特征在于:所述手把的长度为3.5cm。6.根据权利要求1所述的用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，其特征在于:所述晶片槽为矩形晶片槽，所述环形主体为矩形环状主体。7.根据权利要求6所述的用于石墨舟烘舟工艺的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于石墨舟烘舟工艺的晶片模型，其特征在于，所述晶片模型包括一与所述石墨舟的晶片槽形状及大小相对应的环状主体以及一连接于该环状主体的手把。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：童锐，张小刚，杨大谊，储凤舞，
申请(专利权)人：太极能源科技昆山有限公司，
类型：实用新型
国别省市：