一种封装基板的制法,通过于该封装基板的预开口区中埋设膨胀材,接着于该预开口区上进行切割,以于切割缝处将热源传至膨胀材,令该膨胀材因受热而膨胀,而将该膨胀材及其上的材质一并移除,以形成开口。借由将膨胀材设于该预开口区上,可避免占用封装基板的布线空间,因而可增加布线数量以提升产品的电性功能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种封装基板的制法,尤指一种具开口的封装基板的制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展,电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前半导体封装结构已开发出不同的封装型态。请参阅图1A及图1B,其为现有封装基板I的制法。如图1A所示,先提供一底部具有穿孔100的线路板10,并于该线路板10上定义出预开口区A,再沿该预开口区A的边缘(切割假想线L)进行切割。接着,将顶针11穿过该穿孔100,以将该预开口区A中的材质移除。如图1B所示,取出该预开口区A中的材质,以形成开口 12,供置放或埋设其它电子组件(图未示)。然而,现有封装基板I的制法中,因需借由顶针11移除该预开口区A中的材质,所以于该线路板10中需设计连通该开口 12底部的穿孔100以供顶针11穿入,因而该穿孔100周围的区域B无法布设线路,导致该线路板10需减少布线数或额外扩增布线空间,致使该线路板10的电性功能降低或无法满足微小化的需求。因此,如何克服上述现有技术中的种种问题,实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺失,本专利技术的主要目的在于提供一种封装基板的制法,可避免占用封装基板的布线空间,因而可增加布线数量以提升产品的电性功能。本专利技术所提供的封装基板的制法通过于该芯层的预开口区上形成膨胀材,再于该芯层及膨胀材上形成增层结构,接着沿该预开口区的边缘进行切割,以将热源由该切割缝传至该膨胀材,令该膨胀材膨胀,而可顺势移除该膨胀材及其上的材质,以形成开口。由上可知,本专利技术封装基板的制法中,主要借由将膨胀材设于该预开口区上,以于切割工艺后,利用热源使该膨胀材膨胀而将该预开口区上方的材质外推,以便移除该膨胀材及其上的材质。因此,相比于现有技术,本专利技术的制法无须使用顶针移除该预开口区中的材质,因而无需考虑形成供顶针穿入的穿孔,所以可避免穿孔占用封装基板的布线空间,因而可增加布线数量以提升产品的电性功能,且因无需额外扩增布线空间而可满足微小化的需求。附图说明图1A至图1B为现有封装基板的制法的剖视示意图;图2A至图2D为本专利技术封装基板的制法的第一实施例的剖视示意图;图3A及图3B为本专利技术封装基板的制法的第二实施例的剖视示意图;以及图4A及图4B为本专利技术封装基板的制法的第三实施例的剖视示意图。主要组件符号说明1,2封装基板10线路板100穿孔11顶针12,220开口20芯层20a第一表面20b第二表面200导电通孔21第一线路层22,22’膨胀材23增层结构230,230>介电层 231第二线路层232导电盲孔233电性接触垫234金属层24绝缘保护层240开孔300反应孔A预开口区B区域L切割假想线。具体实施例方式以下借由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点及功效。须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供本领域技术人员的了解与阅读,并非用以限定本专利技术可实施的限定条件,所以不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上”及“一”等用语,也仅为便于叙述的明了,而非用以限定本专利技术可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更
技术实现思路
下,也当视为本专利技术可实施的范畴。请参阅图2A至图2D,其为本专利技术封装基板2的制法的第一实施例的剖视示意图。如图2A所不,首先,提供一具有相对的第一表面20a与第二表面20b的芯层20,该芯层20的第一与第二表面20a, 20b上具有一第一线路层21,且该芯层20中具有至少一导电通孔200以电性连接该第一与第二表面20a, 20b上的第一线路层21,并于该芯层20的第一表面20a上定义出至少一预开口区A。再于该芯层20的预开口区A上形成膨胀材22。接着,于该芯层20的第一与第二表面20a,20b、第一线路层21及膨胀材22上压合形成增层结构23,该增层结构23具有至少一介电层230、形成于该介电层230上的第二线路层231、及设于该介电层230中并电性连接该第一与第二线路层21,231的多个导电盲孔232,又于该增层结构23上形成绝缘保护层24,且该绝缘保护层24上形成有多个开孔240,以令最外层的第二线路层231的部分表面外露于该些开孔240,从而供作为电性接触垫233。其中,于压合过程中的温度约为180°C 220°C。于本实施例中,该膨胀材22具有发泡性质,且有关膨胀材的种类繁多,并无特别限制;又于该预开口区A上方的介电层230中并无任何第二线路层231。如图2B所示,借由激光方式,于该增层结构23上的绝缘保护层24上沿对应该预开口区A的边缘(切割假想线L)进行切割。如图2C所示,当进行激光切割时,激光所产生的热能会传导至该膨胀材22,令该膨胀材22’遇热膨胀,且膨胀材22受热温度高于250°C即会发泡。如图2D所示,取出该膨胀材22’上方的材质(如图2C所示的介电层230’与绝缘保护层24的部分材质),再清除该膨胀材22’,以形成开口 220,令该芯层20的部分第一表面20a与部分第一线路层21外露于该开口 220。本专利技术封装基板2的制法,借由将膨胀材22设于该预开口区A上,以借由激光切割所产生的热使该膨胀材22遇热膨胀,而将该膨胀材22’上方的材质外推,以便移除该膨胀材22’及其上的材质,所以无须使用现有技术的顶针,因而无需设计供顶针穿入的穿孔。因此,本专利技术封装基板2的制法中,因膨胀材22不会占用第二表面20b上的介电层230与芯层20第一表面20a的布线空间,所以可增加布线数量以提升产品的电性功能,且因无需额外扩增布线空间而可达到微小化的目的。请一并参阅图3A及图3B,其为本专利技术封装基板2的制法的第二实施例。如图3A所示,于图2A的结构中,形成至少一反应孔300于该膨胀材22上方的介电层230与绝缘保护层24中,以令该膨胀材22经该反应孔300与外界连通,再沿该预开口区A的边缘(切割假想线L)进行切割。如图3B所示,提供热源进入切割处的缝隙与该反应孔300中,令该膨胀材22’发生膨胀。于本实施例中,借由增设反应孔300,以当该预开口区A的宽度过大或该增层结构23的高度过高时,有助于该膨胀材22的中间处进行膨胀反应。请一并参阅图4A及图4B,其为本专利技术封装基板2的制法的第三实施例。如图4A所不,于图2A的结构中,形成一金属层234于该膨胀材22上。于本实施例中,可于制作该增层结构23的第二线路层231时,一并制作该金属层234。如图4B所示,当进行激光切割时,激光所产生的热能会传导至该膨胀材22的边缘与该金属层234,令该膨胀材22’遇热膨胀。于后续工艺中,取出该膨胀材22’上方的材质(如金属层234、介电层230’、绝缘保护层24),再清除该膨胀材22’,以形成所需的开口。于本实施例中,借由增设金属层234,以将热源更快传导至该膨胀材22内部,且使该膨胀材22的发泡效果更平均。此外,该金属层234的布设面积与形状均可依需求作设计,并无特别限制。再者,也可于图3A的结构中,形成金属层234于该膨胀材22上。上述实施例仅本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种封装基板的制法,其包括:提供一表面具有第一线路层的芯层,该芯层的表面上具有预开口区;于该芯层的预开口区上形成膨胀材;于该芯层、第一线路层及膨胀材上形成增层结构;于该增层结构上沿对应该预开口区的边缘进行切割;由该切割处将热源导至该膨胀材,令该膨胀材膨胀;以及移除该膨胀材及其上的材质,以形成开口。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郑伟鸣,陶艾伟,吴明豪,黄瀚霈,
申请(专利权)人:欣兴电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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