本实用新型专利技术公开了一种芍药切花无土栽培种植槽，其包括槽体、槽壁和槽底，槽壁和槽底铺设无纺布，槽底的无纺布上铺设陶粒作为沥水层，槽体内填充有无土栽培基质。通过采用本实用新型专利技术种植槽进行切花生产，芍药品种‘紫凤羽’开花率达80%以上，花枝长度达75cm，开花5-6朵/株。其中开花率比设施内盆栽提高80%，花枝长度比设施内盆栽增加25.2%，切花产量和品质均得到提高。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术属于植物栽培领域，涉及一种芍药切花无土栽培种植槽。
技术介绍
芍药(Paeonia lactiflora Pal1.)为我国传统名花，栽培历史悠久，其花型丰富，色泽艳丽，不仅深受我国消费者的喜爱，同时在世界商品花卉领域里也占有一席之地。目前芍药栽培多以露地为主，花期集中于5-6月，难以满足其他季节用花需求，此夕卜，大田地栽容易引发芍药土传病害，其切花品质易受影响。采用园土盆栽的方式也有研究，该模式因盆器容积有限，故芍药根系生长空间受到限制，从而导致芍药根系生长不良，进而影响植株生长，最终导致开花率严重降低。因此，为实现芍药切花产业化生产，其栽培丰吴式有待进一步探索和研究。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供一种芍药切花无土栽培种植槽。本技术提供的芍药切花无土栽培种植槽，其包括槽体、槽壁和槽底，槽壁和槽底铺设无纺布，槽底的无纺布上铺设陶粒作为浙水层，槽体内填充有无土栽培基质。优选地，所述陶粒的厚度为5_8cm。优选地,所述陶粒的粒径为1.0-3.5cm。本技术设计的种植槽建造简便易行、成本低廉，种植槽尺寸及间距设计符合芍药的根系和冠幅的常规大小。种植槽经过消毒处理，能明显减少病虫害的发生。采用无纺布代替聚乙烯塑料布，既能隔离基质和土壤，又能保证基质和土壤之间进行气体和水分交换。种植槽底部铺5-8cm厚的陶粒作为浙水层，能有效防止积水，预防烂根现象的发生。采用种植槽进行切花生产，芍药品种‘紫凤羽’开花率达80%以上，花枝长度达75cm，开花5-6朵/株。其中开花率分别比设施内盆栽提高80%，花枝长度比设施内盆栽增加25.2%，切花产量和品质均得到提高。附图说明图1所示为本技术种植槽剖面图。其中，I为槽体；2为槽壁；3为槽底；4为无纺布；5为浙水层；6为无土栽培基质；7为土壤。具体实施方式以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。如图1所示。本实施例提供的芍药切花无土栽培种植槽，包括槽体1、槽壁2和槽底3，槽壁2和槽底3均铺设无纺布4，用于将槽体I与土壤7隔开。槽底3的无纺布4上铺设陶粒作为浙水层5。陶粒的铺设厚度根据植株大小，优选为5-8cm。陶粒的粒径在本实施例中优选为1.0-3.5cm。其中，稍大粒径的陶粒铺设于下方，稍小粒径的陶粒铺设于上方。槽体内填充无土栽培基质6。本领域常规用于切花芍药栽培的基质均可以进行填充，本实施例中优选的基质为草炭:蛭石:珍珠岩体积比3:1:1混合作为无土栽培基质。基质中混合鸡粪，基质与鸡粪的体积比为9:1。试验例I2011年9月28日，选取3年生芍药品种‘紫凤羽’栽植于种植槽中，要求大小一致、生长健壮、无病虫害，芽数为6-8个/株。将芍药植株种植于实施例1所述的种植槽内，种植前，用70%的代森锰锌800-1000倍喷洒2遍，晾干后再次喷洒I遍，对槽壁和槽底进行消毒处理。盆栽对照，上口径35cm，下口径24cm，高30cm的塑料盆，内装普通园土，高25cm。环境控制:秋季芍药栽植置于无覆盖的温室大棚种植槽内，使其在自然环境下接受低温，待平均日气温降至0°C以下的1-2月，用草帘覆盖植株，以免植株受冻害。于2月上旬，室外平均气温达到0°C _5°C，采用厚0.1mm、透光率为95%的PEP利得膜覆盖温室，进行日光加温。覆膜后5-7天，撤去覆盖草帘。之后每隔3-4天，于上午9:00-10:00至下午15:00-16:00打开通风口通风，将温度控制在22°C _25°C。随着日平均气温逐渐升高，通风频率逐渐增大，于4月初开始，室外平均气温达到10°C _15°C，需每日进行通风处理。待室外温度达到22-25°C时，拆除温室薄膜。施肥方式如下:于芍药萌芽开始，施用N、P、K质量百分比分别为20%:20%:20%的的水溶性复合月巴，每隔7-10天施用一次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量为IL/株.次。芍药花期过后，每隔I个月施用一次，施肥浓度为3.0g/L，施肥量为IL/株.次，总共施3次。通过采用本技术种植槽进行切花生产，芍药品种‘紫凤羽’开花率达80%以上，花枝长度达75cm,开花5-6朵/株。其中开花率比设施内盆栽提闻80%,花枝长度比设施内盆栽增加25.2%，切花产量和品质均得到提高。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。权利要求1.一种芍药切花无土栽培种植槽，其包括槽体、槽壁和槽底，其特征在于，槽壁和槽底铺设无纺布，槽底的无纺布上铺设陶粒作为浙水层，槽体内填充有无土栽培基质。2.如权利要求1所述的种植槽，其特征在于，所述陶粒的厚度为5-8cm。3.如权利要求2所述的种植槽，其特征在于，所述陶粒的粒径为1.0-3.5cm。专利摘要本技术公开了一种芍药切花无土栽培种植槽，其包括槽体、槽壁和槽底，槽壁和槽底铺设无纺布，槽底的无纺布上铺设陶粒作为沥水层，槽体内填充有无土栽培基质。通过采用本技术种植槽进行切花生产，芍药品种‘紫凤羽’开花率达80%以上，花枝长度达75cm，开花5-6朵/株。其中开花率比设施内盆栽提高80%，花枝长度比设施内盆栽增加25.2%，切花产量和品质均得到提高。文档编号A01G31/02GK203040338SQ201220743238公开日2013年7月10日 申请日期2012年12月31日 优先权日2012年12月31日专利技术者刘燕, 贾清华, 韩婧 申请人:北京林业大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种芍药切花无土栽培种植槽，其包括槽体、槽壁和槽底，其特征在于，槽壁和槽底铺设无纺布，槽底的无纺布上铺设陶粒作为沥水层，槽体内填充有无土栽培基质。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘燕，贾清华，韩婧，
申请(专利权)人：北京林业大学，
类型：实用新型
国别省市：
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