金属板低电阻芯片电阻器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，能不受长条状部的电阻金属板宽度的影响地容易地形成保护膜，此外，能根据电阻金属板的宽度方向的厚度不均调整保护膜的宽度，进而能扩大保护膜的宽度的调整的自由度。为此，先实施在电阻金属板的表面和背面形成保护膜的保护膜形成工序（步骤S13），而后实施在电阻金属板上形成狭缝并将电阻金属板的形状形成为具有长条状部和连接部的狭缝形成工序（步骤S14）。在保护膜形成工序（步骤S13）之前实施测量用于形成保护膜的电阻金属板宽度方向的各位置的厚度的电阻金属板厚度测量工序（步骤S12），在保护膜形成工序（步骤S13）中，根据测量到的电阻金属板宽度方向的各位置的厚度，设定保护膜的宽度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用电阻金属板的芯片电阻器的制造方法。
技术介绍
在电源装置和电机的转速控制电路等各种控制电路中，需要检测电流的手段。存在多种检测电流的手段，通常大多使用分流电阻器等电子元件。作为适用于这种分流电阻器等的电阻器，公知的有芯片电阻器。此外，所述芯片电阻器中，在电阻值为数πιΩ这样的电阻值非常低的芯片电阻器的制造中，主要采用电阻金属板。使用所述的电阻金属板制造的低电阻的芯片电阻器，一般被称作金属板低电阻芯片电阻器。如图16的(a) 图16的(C)所示，金属板低电阻芯片电阻器I的外观为长方体状，使用电阻金属板2制造而成。电阻金属板2的表面2a和背面2b上分别形成有保护膜3a、3b。所述保护膜3a、3b为电绝缘性的膜。此外，未形成有保护膜3a、3b的电阻金属板2的长度方向(图16的(b)和图16的(c)的左右方向)的两端部2e、2f的表面(即表面2a的宽度方向的两端部2a-l、2a-2、背面2b的宽度方向的两端部2b_l、2b_2、和两端面2c、2d)上，形成有电极镀膜4a、4b。关于芯片电阻器I的各尺寸(单位:mm)，例如规定芯片电阻器I的全长LI为1.6 + 0.1 (允差)，电极镀膜4a、4b的长度C为0.2±0.1 (允差)，芯片电阻器I的宽度W为0.8±0.1 (允差)，芯片电阻器I的厚度H为0.3±0.1 (允差)。所述的包含允差的芯片电阻器I的各尺寸是根据在电路基板上安装芯片电阻器I时的尺寸上的制约等而设定的。另夕卜，保护膜3a、3b的长度L2是芯片电阻器I的全长LI与两侧的电极镀膜4a、4b的长度(全长)2XC的差(L1-2XC)。换言之，L2是电阻金属板2的被保护膜3a、3b覆盖的部分的长度。此外，电阻金属板2的厚度为厚度T，电阻金属板2的长度为长度L3。以往，通过依次实施图17的工序流程图所示的带状电阻金属板切断工序(步骤SI)、狭缝形成工序(步骤S2)、保护膜形成工序(步骤S3)、电极镀膜形成工序(步骤S4)、长条状部切取工序(步骤S5)和长条状部切断工序(步骤S6)，来制造图16所示结构的金属板低电阻芯片电阻器I。对于狭缝形成工序(步骤S2)和保护膜形成工序(步骤S3)，参照图18和图19进一步说明。另外，对于带状电阻金属板切断工序(步骤SI)、电极镀膜形成工序(步骤S4)、长条状部切取工序(步骤S5)以及长条状部切断工序(步骤S6)，与图1所示的带状电阻金属板切断工序(步骤S11)、电极镀膜形成工序(步骤S15)、长条状部切取工序(步骤S16)、长条状部切断工序(步骤S17)相同，这些工序的详细内容见后述。如图18的(a) 图18的(C)所示，在狭缝形成工序(步骤S2)中，在矩形的电阻金属板2B上形成多个(图中示例为5个)狭缝6。在带状电阻金属板切断工序(步骤SI)中，从带状的电阻金属板2A (参照图2)切取电阻金属板2B。狭缝6在电阻金属板2B的长度方向(图18的(b)的上下方向)上延伸、且在电阻金属板2B的宽度方向(图18的(b)的左右方向)上相互平行。另外，以定位标记5为基准设定形成狭缝6的位置。通过形成所述多个狭缝6，电阻金属板2B的形状成为具有多个(图中示例为4个)长条状部7和连接部8的形状，所述长条状部7在电阻金属板2B的长度方向上延伸，所述连接部8分别连接所述多个长条状部7的长度方向(图18的(b)的上下方向)的两端。如图19的(a) 图19的(C)所示，在接着的保护膜形成工序(步骤S3)中，通过丝网印刷法等，针对各长条状部7，在电阻金属板2B的表面2B-1和背面2B-2上分别形成多个(图中示例为4个)保护膜3A、3B。所述保护膜3A、3B在电阻金属板2B的长度方向上延伸、且在电阻金属板2B的宽度方向上相互平行。另外，以定位标记5为基准设定形成保护膜3A、3B的位置。另外，作为公开了芯片电阻器的制造方法的现有技术文献，例如有以下的专利文献 1、2。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利公开公报特开2009-218552号专利文献2:国际公开第2008/018219号册子
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题所述以往的，在形成保护膜3A、3B之前形成狭缝6。即，通过在电阻金属板2B上形成狭缝6而形成长条状部7后，在所述长条状部7上形成保护膜3A、3B。因此，所述以往的存在下述问题。 S卩，先于保护膜3A、3B形成狭缝6时，必须在长条状部7的宽度非常窄的电阻金属板2B的表面2B-1和背面2B-2上形成保护膜3A、3B。因此，保护膜3A、3B的形成很困难。另外，在进一步要求芯片电阻器I的小型化时，由于长条状部7的电阻金属板2B的宽度更窄，因此形成保护膜3A、3B更加困难。此外，形成保护膜3A、3B时，一般通过丝网印刷法将浆料形成图案，进而，为提高其尺寸精度采用光刻法。此外，当采用所述光刻法时，如果先于保护膜3A、3B首先形成狭缝6，则会使制造方法变得复杂。此外，为了将用于制造芯片电阻器I的带状的电阻金属板2A (参照图2)形成所希望的厚度，通过反复进行退火工序和轧制工序来进行制造。可是，制成的带状的电阻金属板2A的厚度不会成为完全均匀，特别是在电阻金属板2A的宽度方向上会产生厚度不均。因此，在从带状的电阻金属板2A切取的电阻金属板2B上，在宽度方向上也会产生厚度不均。此外，所述电阻金属板2B的宽度方向上的厚度不均，会招致芯片电阻器I的电阻值的不均。另一方面，芯片电阻器I的电阻值，由被电阻金属板2的保护膜3a、3b覆盖部分的宽度W、长度L2、厚度T (参照图16)决定。即，由后述的公式(I)、公式(3)决定。因此，在芯片电阻器I的制造过程中，根据电阻金属板2B的宽度方向的厚度不均，需要通过调整图19所示的各保护膜3A、3B的宽度L2p L22、L23、L24，来降低芯片电阻器I的电阻值的不均。此外，此时，与保护膜3A、3B的宽度Ι^α22α23α24 (即芯片电阻器I的保护膜3a、3b的长度L2)相关的调整的允许范围，优选的是尽可能大。对此如图20所示，在前述芯片电阻器I的尺寸例子的情况下，以往的制造方法的保护膜3a、3b的长度L2的调整允许范围为0.4mm。即，因为先于保护膜3A、3B形成狭缝6，所以在芯片电阻器I中先于保护膜3a、3b的长度L2决定电阻金属板2的长度L3，并决定芯片电阻器I的全长LI。例如设芯片电阻器I的全长LI为1.6mm,在电极镀膜4a、4b的全长2XC 最长为 0.6mm (= 2X (0.2 + 0.1))的情况和最短为 0.2mm (= 2X (0.2-0.1))的情况下，保护膜3a、3b的长度L2分别为0.9mm和1.3mm。因此，保护膜3a、3b的长度L2的调整允许范围成为0.4mm (= 1.3-0.9)。将芯片电阻器I的全长LI设为1.5mm (= 1.6-0.1)和1.7mm (= 1.6 + 0.1)时，调整允许范围也相同。另外，作为降低因电阻金属板的宽度方向的厚度不均所导致的芯片电阻器的电阻值的不均的方法，有通过修整电阻金属板来调整电阻值的方法。可是，修整电阻金属板后，当将使用了所述被修整的电阻金属板的芯片电阻器与负载连接并使电流流过所述芯片电阻器时，由于所述芯片电阻器上产生热点，所以存在会发生芯片电阻器的寿命本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：平野立树，
申请(专利权)人：釜屋电机株式会社，
类型：
国别省市：