布图传导层的方法和器件及其生产的部件技术

通过一种方法制备一种器件，其中在可压缩层或叠层上形成传导层或叠层，并且与压纹工具接触。压纹工具的凸起部分挤压可压缩层或叠层并将传导层或叠层装埋入可压缩层或叠层中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉一种有机器件产品，更具体而言涉及在所述有机器件中使用的传导层的布图，其中有机器件例如有机发光器件(OLED )、有机场效应晶体管(OFET )或有机光电池。
技术介绍
有机器件技术的飞速发展增加了快速和廉价但是可靠的沉积所需层的方法的需求，以及对所述层布图的需求，尤其是传导层的布图。需要大面积生产的方法。聚合体基底的卷绕式处理是一种有前途的方法。对于大多数应用来说，由于有机半导体和导体材料相对于氧和水的低稳定性，因此要求基底具有良好的屏蔽性质。因此在有机器件的传导层沉积之前，通常在聚合物基底上沉积屏蔽涂料。为了保持这些屏蔽性能，布图过程必须采用适当的方式进行。特别地必须避免基底持久变形。直到现在仍然缺少一种具有上述所有要点的布图方法。本领域现状 一些技术可以应用于有机器件的多个层或叠层的布图。金属或透明导体氧化物层的蚀刻是其中之一。首先，在需要布图的层上沉积保护层，即所谓的抗蚀涂层。随后在抗腐蚀层上生成需要的图案，例如通过影印石版，然后进行显影步骤。图案可以通过湿法或干法蚀刻步骤在需要布图的层中转印，这去除了没有保护的面积。蚀刻步骤后剩余的抗腐蚀层必须被去除。该项技术的一大优点是该方法的高分辨率(深至65nm)。另一方面该方法的多个步骤使得其非常缓慢并且成本非常高。另外蚀刻化学或干法蚀刻过程的等离子体危害到多种有机材料以及聚合物基底和基底上的屏蔽涂料。因此该技术并不能很好的适合卷绕式生产。印刷工艺能够生产布图的聚合物层。甚至传导聚合物例如PEDOT =PSS都可以在卷绕式方法中高速印制，例如通过照相凹版印刷。含有传导颗粒例如氧化锡铟(ITO)或纳米金属颗粒的混合物也可以被印制。印刷方法的缺陷在于印刷过程的分辨率的限制。尤其是在布图的边沿具有良好界定厚度的大约IOOnm的布图层就非常难以实现。而且印刷的传导层的传导性能与真空沉积的层相比仍然非常低。而层的布图的另一方法是基于激光辐射。通过选择合适的波长和能量，可以从基底上部分去除金属或透明传导氧化物(TCO)层。由于向层或叠层和/或基底中导入热量，该方法改变或破坏和层或基底。而且该技术直到现在还没有足够稳定地应用在卷绕式方法中，并且其投资，因而成本非常高。通过阴蔽进行布图沉积是一项快速且经济的技术。其可以用在真空沉积技术中，例如蒸发中或甚至在卷绕式涂布机中的阴极真空喷镀中。该技术的缺陷是其大于200 μ m的分辨率。在以下申请中描述了基于冲切等技术的层的布图方法。专利申请WOOI/60589AI描述了一种聚合物承载的材料的微结构化，其中所述材料适合用作例如偏光器、半透过反射板、微电极芯片、或液晶阵列层。通过将具有需要结构的母片压入聚合物载体上将该材料层微结构化。母片结构的深度通常超过单层或多层的厚度，并且母片足够硬和能够穿过层切入聚合物基底内。该方法很好地适合于所提到的应用，但是因为基底的变形，不适合用于在有机器件中使用的传导层的布图。在专利申请US2005/0071969A1中，描述了一种聚合物器件的固态压纹方法。该方法包括通过溶解过程沉积导体、半导体和/或绝缘聚合物和直接印刷以及在多层结构中压纹细微纹沟。该专利申请集中在复杂有机多层器件的压纹，例如垂直聚合物薄膜晶体管(TFT)0该描述的方法并没有解决通过切入单层或多层破坏基底的问题。而且没有解决由于在压纹步骤中原料流动导致破坏基底和/或沉积的传导层的问题。专利申请US2002/0094594A1公开了一种采用印模布图有机薄膜器件的方法。该方法包括使用第一有机层涂覆基底，然后涂覆电极层。随后在电极层上冲压布图印模。制备该印模使得于与印模接触的电极层部分粘结到所述印模上并因此与印模一起除去。该专利应用的缺点在于在印模可以再利用之前，其必须在另一附加步骤中清洁。这延迟了处理的速度并增加了费用。对于卷绕式应用，该附加清洁步骤是不利的。而且第一有机层与电极层之间的附着力必须小于印模和电极层之间的附着力。这种释放功能显然降低了层结构的稳定性并限制了可能的材料组合。在专利申请W02004/111729A1中，描述了生产电子薄膜元件的方法和器件。该方法包括以下步骤。传导层直接在电介质基底上形成。通过在传导层上施加基于冲切的机械操作，以形成多个电流隔离的传导区域，其中机件的退切导致基底的永久变形。随后在该布图的电极层的顶部上通过沉积需要的层，可以形成需要的电子薄膜元件。由于基底的永久变形，临界应力在布图过程中被引入到传导层中。而且基底的阻隔性能将会减弱。在专利申请W02005/006462中公开了一种通过在规定的温度和规定的压力下在有机层中积压压纹工具来构造有机电路层的方法。该结构采用有机层永久保持该结构的方式制备。该专利申请的主要目的是提供一种节省时间的方法，以在导体或半导体有机层之间形成绝缘的有机层，从而得到隔层连接。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是至少排除一些本领域现状具有的缺点。本专利技术提供了 一种有机器件的层的布图方法。还提供了具有根据如附加的独立权利要求中定义的方法布图的层的有机器件。优选的，本专利技术的有利或可选的特征在从属权利要求中列出。在第一方面中，本专利技术提供了一种布图传导层或包含至少一个传导层的叠层的方法，其中在层或叠层与基底之间具有一层可压缩的间隔层或包括至少一个可压缩层的间隔置层。在第二方面中，本专利技术提供了具有至少一个根据权利要求的方法布图的传导层的有机器件。本专利技术包括以下实施方案: 1、一种用于布图传导层或包括至少一个传导层的传导叠层的方法，包括以下步骤: 在基底上形成可压缩层、或包括至少一层可压缩层的可压缩叠层；和 在可压缩层或叠层上形成传导层或叠层； 以形成涂覆的基底；以及 将涂覆的基底和压纹工具接触，使得在传导层或叠层中形成预定的布图，其中在压纹的区域可压缩层或叠层被压缩并且传导层或叠层装埋入可压缩层或叠层。2、根据实施方案I的方法，其中压纹区域中的传导层与相邻未压纹区域中的传导层相分离。3、根据实施方案I或2的方法，其中可压缩层或叠层比涂覆基底中的其它层更容易压缩。4、根据前述任一实施方案的方法，其中可压缩层或叠层包括低密度聚合物，优选密度低于1.0g.CnT3。5、根据前述任一实施方案的方法，其中可压缩层或叠层包括多孔材料。6、根据前述任一实施方案的方法，其中在形成传导层或叠层之前，在可压缩层或叠层上形成平滑层。7、根据前述任一实施方案的方法,其中可压缩层或叠层的厚度为200nm-50ym。8、根据前述任一实施方案的方法，其中可压缩层或叠层的厚度为I μ m-20 μ m。9、根据前述任一实施方案的方法，其中压纹传导层或叠层的残余物或边沿基本没有粘结或粘附到可压缩层或叠层的相邻壁上。10、根据前述任一实施方案的方法,其中传导层或叠层包括金属。11、根据前述任一实施方案的方法，其中传导层或叠层包括有机导体。12、根据前述任一实施方案的方法,其中传导层或叠层包括无机导体。13、根据前述任一实施方案的方法，其中压纹工具的布图部分的高度小于25 μ m，优选小于9 μ m。14、根据前述任一实施方案的方法，其中在步进式机器中或在卷绕式机器中进行压纹步骤。15、根据前述任一实施方案的方法，其中在升高的温度下进行压纹步骤。16、根据前述任一实施方案的方法，进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于布图传导层或包括至少一个传导层的传导叠层的方法，包括以下步骤：在基底上形成可压缩层、或包括至少一层可压缩层的可压缩叠层，其中可压缩层或叠层包括密度低于1.0g/cm3的低密度聚合物或选自二氧化硅、和与粘结剂混合的无机氧化物的多孔材料；和在可压缩层或叠层上形成传导层或叠层；以形成涂覆的基底；以及将涂覆的基底和压纹工具接触，使得在传导层或叠层中形成预定的布图，其中在压纹的区域可压缩层或叠层被压缩并且传导层或叠层装埋入可压缩层或叠层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：H瓦尔特，T贝尔莱因，
申请(专利权)人：西巴控股有限公司，
类型：发明
国别省市：