本发明专利技术涉及苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，属于加工工艺技术领域。苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，包括以下步骤：(1)预热：首先将内导体采用感应预热器进行预热，内导体的预热温度为50-80℃；(2)混合：将内层胶(主要成分是低密度聚乙烯与乙烯-醋酸乙烯共聚物的混合物)与苯骈三氮唑按照质量份为100∶0.5-2的比例进行配比，再采用塑料颗粒混合机混合，混合时间为1-10分钟；(3)挤出机挤出。本发明专利技术苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，工艺简便、附着力强，在内导体上形成一层很薄的保护膜，保证内导体免受大气及有害物质的腐蚀，延长了同轴电缆的使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，属于加工工艺
技术介绍
电线电缆行业是中国仅次于汽车行业的第二大行业，产品品种满足率和国内市场占有率均超过90%。随着中国电力工业、数据通信业、城市轨道交通业、汽车业以及造船等行业规模的不断扩大，对电线电缆的需求也将迅速增长，未来电线电缆业还有巨大的发展潜力。如果使用一般电线传输高频率电流，这种电线就会相当于一根向外发射无线电的天线，这种效应损耗了信号的功率，使得接收到的信号强度减小。同轴电缆的设计正是为了解决这个问题。中心电线 发射出来的无线电被网状导电层所隔离，网状导电层可以通过接地的方式来控制发射出来的无线电。现有的同轴电缆存在的主要问题是内导体容易被腐蚀变色，影响了同轴电缆的使用寿命和传输效果。现在的生产厂家缺少这种防腐的技术，或现有技术中添加BTA的方法不合理:有的采用在内导体表面添加BTA (苯骈三氮唑)的方法，有的使用BTA的粉末直接拉拔在内导体上，这样就会造成BTA的添加不均衡，效果不好，达不到实际使用要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述已有技术存在的不足之处，提供一种附着力好、防腐效果好的苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺。本专利技术是通过以下技术方案实现的:苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，其特殊之处在于包括以下步骤:(I)预热:首先将内导体采用感应预热器进行预热，内导体的预热温度为50-80 0C ；(2)混合:将内层胶(主要成分是低密度聚乙烯与乙烯-醋酸乙烯共聚物的混合物)与苯骈三氮唑按照质量份为100: 0.5-2的比例进行配比，再采用塑料颗粒混合机混合，混合时间为1-10分钟；(3)挤出机挤出:将同轴电缆的内导体穿过挤出机机头内的模具，再把以上混合物通过挤出机挤在内导体上，挤出机温度为150-210°C，步骤(2)的混合物经高温加热后形成熔融的混合物保护膜附着在内导体上，混合物保护膜的厚度为0.04-0.12mm，混合物保护膜在挤出结束后立即进入主挤出机，主挤出机挤出的绝缘体包覆在保护膜上，最后绝缘体进入水槽冷却。本专利技术苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，工艺简便、附着力强，在内导体上形成一层很薄的保护膜，保证内导体免受大气及有害物质的腐蚀，延长了同轴电缆的使用寿命。具体实施方式以下给出本专利技术的具体实施方式，用来对本专利技术的构成作进一步详细说明。本实施例苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，包括以下步骤:(I)预热:首先将内导体采用感应预热器进行预热，内导体的预热温度为60°C ；(2)混合:将内层胶(主要成分是低密度聚乙烯与乙烯-醋酸乙烯共聚物的混合物)与苯骈三氮唑按照质量份为100: I的比例进行配比，再采用塑料颗粒混合机混合，混合时间为5分钟；(3)挤出机挤出:将同轴电缆的内导体穿过挤出机机头内的模具,再把以上混合物通过挤出机挤在内导体上，挤出机温度为180°C，步骤(2)的混合物经高温加热后形成熔融的混合物保护膜附着在内导体上，混合物保护膜的厚度为0.08mm,混合物保护膜在挤出结束后立即进入主挤出机，主挤出机挤出的绝缘体包覆在保护膜上，最后绝缘体进入水槽冷却。本实施例苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，工艺简便、附着力强，在内导体上形成一层很薄的保护膜，保证内导体免受大气及有害物质的腐蚀，延长了同轴电缆的使用寿命。本专利技术未详细说明的内容均为现有技术，本领域技术人员可以从本实施例及现有技术获得启发，进行变形得到其它实施例。因此，本专利技术的保护范围应该根据权利要求的保护范围来确定。权利要求1.苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，其特征在于包括以下步骤: (1)预热:首先将内导体采用感应预热器进行预热，内导体的预热温度为50-80°C； (2)混合:将内层胶(主要成分是低密度聚乙烯与乙烯-醋酸乙烯共聚物的混合物)与苯骈三氮唑按照质量份为100: 0.5-2的比例进行配比，再采用塑料颗粒混合机混合，混合时间为1-10分钟； (3)挤出机挤出:将同轴电缆的内导体穿过挤出机机头内的模具，再把以上混合物通过挤出机挤在内导体上，挤出机温度为150-210°C，步骤(2)的混合物经高温加热后形成熔融的混合物保护膜附着在内导体上，混合物保护膜的厚度为0.04-0.12mm，混合物保护膜在挤出结束后立即进入主挤出机，主挤出机挤出的绝缘体包覆在保护膜上，最后绝缘体进入水槽冷却。全文摘要本专利技术涉及苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，属于加工工艺
苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，包括以下步骤(1)预热首先将内导体采用感应预热器进行预热，内导体的预热温度为50-80℃；(2)混合将内层胶(主要成分是低密度聚乙烯与乙烯-醋酸乙烯共聚物的混合物)与苯骈三氮唑按照质量份为100∶0.5-2的比例进行配比，再采用塑料颗粒混合机混合，混合时间为1-10分钟；(3)挤出机挤出。本专利技术苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，工艺简便、附着力强，在内导体上形成一层很薄的保护膜，保证内导体免受大气及有害物质的腐蚀，延长了同轴电缆的使用寿命。文档编号H01B13/24GK103198904SQ20131011375公开日2013年7月10日 申请日期2013年3月26日 优先权日2013年3月26日专利技术者范玉超, 高正伟 申请人:贝思特宽带通讯(烟台)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
苯骈三氮唑加工于内导体上的加工工艺，其特征在于包括以下步骤：(1)预热：首先将内导体采用感应预热器进行预热，内导体的预热温度为50?80℃；(2)混合：将内层胶(主要成分是低密度聚乙烯与乙烯?醋酸乙烯共聚物的混合物)与苯骈三氮唑按照质量份为100∶0.5?2的比例进行配比，再采用塑料颗粒混合机混合，混合时间为1?10分钟；(3)挤出机挤出：将同轴电缆的内导体穿过挤出机机头内的模具，再把以上混合物通过挤出机挤在内导体上，挤出机温度为150?210℃，步骤(2)的混合物经高温加热后形成熔融的混合物保护膜附着在内导体上，混合物保护膜的厚度为0.04?0.12mm，混合物保护膜在挤出结束后立即进入主挤出机，主挤出机挤出的绝缘体包覆在保护膜上，最后绝缘体进入水槽冷却。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范玉超，高正伟，
申请(专利权)人：贝思特宽带通讯烟台有限公司，
类型：发明
国别省市：
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