本实用新型专利技术涉及一种发光二极管的结构，包括基座、第一电极、第二电极、第一导电片、第二导电片和发光二极管芯片；所述基座内有分开布置的第一导电柱和第二导电柱；所述第一导电片、第二导电片和发光二极管芯片分开布置在基座的上表面，第一电极和第二电极分开布置在基座的下表面，所述第一导电片和第二导电片分别通过第一导电柱和第二导电柱与相应的第一电极、第二电极连接；所述发光二极管芯片的正负极分别通过导线与第一导电片和第二导电片电连接，且发光二极管芯片的外围粘接有荧光胶层；而其：所述荧光胶层的外围有透明胶层，且透明胶层呈半球体透镜状。本实用新型专利技术具有能够提高光亮度等优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术具体涉及一种发光二极管的结构。
技术介绍
现有的发光二极管的电流在2(T350mA范围内，亮度一般在6.51nTl25 Im左右，最高也不会超过1501m，由于发光二极管所包括的发光二极管芯片发出的光是往四周发射的，因此，发光二极管整体发光的亮度低。
技术实现思路
本技术的目的是，提供一种能够提高光亮度的发光二极管的结构，以克服现有技术的不足。为了达到上述目的，本技术的技术方案:一种发光二极管的结构，包括基座、第一电极、第二电极、第一导电片、第二导电片和发光二极管芯片；所述基座内有分开布置的第一导电柱和第二导电柱；所述第一导电片、第二导电片和发光二极管芯片分开布置在基座的上表面，第一电极和第二电极分开布置在基座的下表面，所述第一导电片和第二导电片分别通过第一导电柱和第二导电柱与相应的第一电极、第二电极连接；所述发光二极管芯片的正负极分别通过导线与第一导电片和第二导电片电连接，且发光二极管芯片的外围粘接有荧光胶层；而其:所述荧光胶层的外围有透明胶层，且透明胶层呈半球体透镜状。在上述技术方案中，所述基座上的发光二极管芯片布置在第一导电片和第二导电片之间。在上述技术方案中，所述第一导电片和第二导电片呈L形。本技术所具有的积极效果是:由于所述述荧光胶层的外围有透明胶层，且透明胶层呈半球体透镜状，能有效提高本技术的光亮度，与已有技术相比，本技术的光亮度可提升22%以上。实现了本技术的目的。附图说明图1是本技术一种具体实施方式的结构示意图；图2是图1的俯视图。具体实施方式以下结合附图以及给出的实施例，对本技术作进一步的说明，但并不局限于此。如图1、2所不,一种发光二极管的结构,包括基座1、第一电极2、第二电极3、第一导电片4、第二导电片5和发光二极管芯片6 ;所述基座I内有分开布置的第一导电柱7和第二导电柱8 ;所述第一导电片4、第二导电片5和发光二极管芯片6分开布置在基座I的上表面，第一电极2和第二电极3分开布置在基座I的下表面，所述第一导电片4和第二导电片5分别通过第一导电柱7和第二导电柱8与相应的第一电极2、第二电极3连接；所述发光二极管芯片6的正负极分别通过导线与第一导电片4和第二导电片5电连接，且发光二极管芯片6的外围粘接有荧光胶层9 ;而其:所述荧光胶层9的外围有透明胶层10，且透明胶层10呈半球体透镜状。如图1、2所示，为了使得本技术结构合理、紧凑，所述基座I上的发光二极管芯片6布置在第一导电片4和第二导电片5之间。如图2所示，在保证导电片和导电柱之间的接触面前提下，减小导电片的面积，所述第一导电片4和第二导电片5呈L形。本技术小试效果显示，使用时，本技术有效的提高了光亮度，且经测试可知，与已有技术相比，本技术的光亮度提升了 22%以上。实现了本技术的初衷。权利要求1.一种发光二极管的结构，包括基座(I)、第一电极(2)、第二电极(3)、第一导电片(4)、第二导电片(5)和发光二极管芯片(6);所述基座(I)内有分开布置的第一导电柱(7)和第二导电柱(8);所述第一导电片(4)、第二导电片(5)和发光二极管芯片(6)分开布置在基座(I)的上表面，第一电极(2)和第二电极(3)分开布置在基座(I)的下表面，所述第一导电片(4)和第二导电片(5)分别通过第一导电柱(7)和第二导电柱(8)与相应的第一电极(2)、第二电极(3)连接；所述发光二极管芯片(6)的正负极分别通过导线与第一导电片(4)和第二导电片(5 )电连接，且发光二极管芯片(6 )的外围粘接有荧光胶层(9 );其特征在于:所述荧光胶层(9)的外围有透明胶层(10)，且透明胶层(10)呈半球体透镜状。2.根据权利要求1所述的发光二极管的结构，其特征在于:所述基座(I)上的发光二极管芯片(6)布置在第一导电片(4)和第二导电片(5)之间。3.根据权利要求1所述的发光二极管的结构，其特征在于:所述第一导电片(4)和第二导电片(5)呈L形。专利摘要本技术涉及一种发光二极管的结构，包括基座、第一电极、第二电极、第一导电片、第二导电片和发光二极管芯片；所述基座内有分开布置的第一导电柱和第二导电柱；所述第一导电片、第二导电片和发光二极管芯片分开布置在基座的上表面，第一电极和第二电极分开布置在基座的下表面，所述第一导电片和第二导电片分别通过第一导电柱和第二导电柱与相应的第一电极、第二电极连接；所述发光二极管芯片的正负极分别通过导线与第一导电片和第二导电片电连接，且发光二极管芯片的外围粘接有荧光胶层；而其所述荧光胶层的外围有透明胶层，且透明胶层呈半球体透镜状。本技术具有能够提高光亮度等优点。文档编号H01L33/62GK203038977SQ201220727539公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月26日 优先权日2012年12月26日专利技术者蔡永义, 朱宁, 边红娟 申请人:常州银河世纪微电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管的结构，包括基座（1）、第一电极（2）、第二电极（3）、第一导电片（4）、第二导电片（5）和发光二极管芯片（6）；所述基座（1）内有分开布置的第一导电柱（7）和第二导电柱（8）；所述第一导电片（4）、第二导电片（5）和发光二极管芯片（6）分开布置在基座（1）的上表面，第一电极（2）和第二电极（3）分开布置在基座（1）的下表面，所述第一导电片（4）和第二导电片（5）分别通过第一导电柱（7）和第二导电柱（8）与相应的第一电极（2）、第二电极（3）连接；所述发光二极管芯片（6）的正负极分别通过导线与第一导电片（4）和第二导电片（5）电连接，且发光二极管芯片（6）的外围粘接有荧光胶层（9）；其特征在于：所述荧光胶层（9）的外围有透明胶层（10），且透明胶层（10）呈半球体透镜状。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡永义，朱宁，边红娟，
申请(专利权)人：常州银河世纪微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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