本发明专利技术提供一种光输出优良的波长变换装置以及利用了该波长变换装置的发光装置。该波长变换装置具备基板、和被设置在基板上的波长变换部件，波长变换部件具有荧光体粉末、和保持荧光体粉末的保持体，波长变换部件的上表面是包含荧光体粉末的上表面和保持体的上表面的发光面，在保持体的上表面与荧光体粉末相邻地形成有第1凹部。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及获得较高的光输出的波长变换装置以及利用了该波长变换装置的发光装置。
技术介绍
以往公知一种使荧光体粉末和玻璃粉末混合并烧结而获得的波长变换装置(例如，专利文献I)。该专利文献I的波长变换装置通过将耐热性以及耐候性高的玻璃用作保持体，从而即便在长期间内使用也能够抑制变色以及亮度的下降。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2011-122067号
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，由于以往的波长变换部件使被荧光体粉末进行了波长变换后的光经由荧光体粉末附近的保持体而向外部放射，因而存在该保持体会吸收光从而导致光输出下降的问题。因此，本专利技术正是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种可获得较高的光输出的波长变换装置以及利用了该波长变换装置的发光装置。用于解决课题的技术方案本专利技术的一形式涉及的波长变换装置具备基板、和被设置在所述基板上的波长变换部件。所述波长变换部件具有荧光体粉末、和保持所述荧光体粉末的保持体，所述波长变换部件的上表面成为包含所述荧光体粉末的上表面和所述保持体的上表面在内的发光面，在所述保持体的上表面与所述荧光体粉末相邻地形成有第I凹部。专利技术效果根据本专利技术，可以提高光输出，故能够提供可获得较高的光输出的波长变换装置。附图说明图1是本专利技术涉及的实施方式的波长变换装置的剖视图。图2是本专利技术涉及的实施方式的波长变换装置的上表面照片。图3是本专利技术涉及的发光装置的一方式的框图。图4是本专利技术涉及的发光装置的另一方式的框图。具体实施例方式以下，参照附图，对本专利技术的一实施方式进行说明。其中，以下所示的方式用于具体化本专利技术的技术思想，并未将本专利技术确定为以下内容。各附图所示的部件的尺寸、位置关系等为了明确说明而有时会有所夸大。而且，在以下的说明中，关于同一名称、符号，原则上表示同一或者同质的部件，并适当地省略其详细说明。在图1中示出本实施方式的波长变换装置的剖视图。如图1所示，波长变换装置100具备基板10、和被设置在基板10上的波长变换部件20，波长变换部件20具有荧光体粉末30、和保持荧光体粉末30的保持体40。另外，在波长变换部件20的发光面(波长变换部件20的上表面)露出荧光体粉末30的表面，且波长变换部件20的发光面包含荧光体粉末30所露出的上表面和保持体40的上表面。并且，在本实施方式的波长变换装置100中，在保持体40的上表面，与荧光体粉末30相邻地具有第I凹部50a。由此，光经由由于形成第I凹部50a而被露出的荧光体粉末30的侧面30ss从而被射出。另外，在波长变换部件20的上表面，荧光体粉末30的上表面30us和保持体40的表面40s分别是平坦的，而且被保持为荧光体粉末30从保持体40的上表面突出。即、在波长变换部件20的上表面，保持体40的上表面40s变得低于荧光体粉末30的上表面30us，且形成有以保持体40的上表面40s作为底面的第2凹部50。由此，在波长变换部件20的上表面所露出的荧光体粉末30，由于其平坦的上表面30us从保持体40的上表面突出，故由第2凹部50而使得荧光体粉末30的侧面的一部分进一步被露出。在采用以上构成的实施方式的波长变换装置100中，在波长变换部件20的上表面，由第I凹部50a以及第2凹部50而使得荧光体粉末30的侧面的一部分露出，故从所露出的侧面放射出的光也不会通过保持体40而直接被射出。以下，将所露出的侧面的一部分赋予30ss的符号从而标记为侧面30ss。此外，在本实施方式中，虽然针对包含第I凹部50a和第2凹部50的优选方式进行了说明，但是本专利技术并不限于此，只要至少具有第I凹部50a和第2凹部50的一方即可。例如，也可以使荧光体粉末30的上表面30us与保持体40的表面40s位于同一平面上。由此，能够作为光输出优良的波长变换装置。也就是说，虽然保持体40使波长变换后的光完全地透过的情况是理想的，但是实际上波长变换后的光的一部分会被保持体40自身吸收、或者被荧光体粉末30和保持体40的界面吸收。因而，存在着最终获得的光输出有所下降的问题。因此，在本实施方式中，在波长变换部件20的上表面设置使荧光体粉末30的侧面30ss露出那样的第I凹部50a和/或第2凹部50。由此，被荧光体粉末30波长变换后的光之中的、不经由保持体40而直接向外部放射出的成分有所增加，所以能够抑制保持体40中的光损失。此外，荧光体粉末30的侧面“露出”是指，荧光体粉末没有被保持体40覆盖的状态。因而，不仅包含荧光体粉末直接暴露在外部的状态，还包含被其他部件(例如，后述那样的无反射的保护膜)包覆的状态。另外，通过形成第I凹部50a而露出的侧面和通过形成第2凹部50而露出的侧面指的都是侧面ss。以下，对构成波长变换装置100的各要素进行说明。(基板10)基板10是用于在其上设置波长变换部件20的部件。如果向波长变换部件20照射激发光，则激发光被荧光体粉末30进行波长变换。此时，荧光体粉末30不仅产生被波长变换后的光还产生热量。因此，基板10能够由散热性优良的材料构成。例如，金属基板或陶瓷基板被例举为散热性优良的优选基板。即、能够使用铜或铝来作为基板10。此外可知，即便是在波长变换装置100中不设置基板10的构成，也可获得本专利技术的效果。(波长变换部件20)波长变换部件20具有荧光体粉末30和保持体40。波长变换部件20例如能够使突光体粉末30和保持体40进行混合,并利用SPS (Spark Plasma Sintering:放电等离子烧结)、HIP (Hot Isostatic Pressing:热等静压成型)、CIP (Cold Isostatic Pressing:冷等静压成型)等烧结法来形成。如果向波长变换部件20照射激发光，则从荧光体粉末30放射出被波长变换后的光。波长变换部件20的形状优选为板状体。由此，能够在基板10上稳定地配置波长变换部件20。只要膜厚为50 500 μ m,就能将在波长变换部件产生的热量有效地向基板释放。在本实施方式中，例如能够使用由波长为440 480nm的蓝色的激发光进行激发、且放射出波长为500 540nm的绿色的光那样的荧光体粉末30。作为满足这种条件的荧光体粉末，作为代表例而举出Lu3Al5O12: CeJ3Al5O12: Ce、Y2.5Gd0.5A12.5Ga2.5012: Ce等，但是也能够使用进一步在下面示出的、主要被镧系元素活化的稀土类铝酸盐荧光体、主要被镧系元素活化的氮化物系荧光体。1.稀土类铝酸盐荧光体稀土类铝酸 盐荧光体是在母体结晶中含有从稀土类元素中选择出的I种以上的元素、和铝，且被从稀土类元素中选择出的至少一个元素活化的荧光体，并被短波长侧的可见光或紫外线激发而发出从绿色变为红色的光。作为该稀土类铝酸盐荧光体，例如举出Re3 (AVyGay)5O12: Ce (O ^ y ^ 1，其中 Re 是从由 Y、Gd、Ce、La、Lu、Tb、Sc、Pr、Sm、Eu 构成的组中选择出的至少一个稀土类元素。)等。例如，被铈活性化的钇 铝.石榴石系荧光体可以发出绿色系或红色系的光。具有石榴石构造的这种荧光体通过用Ga来置换Al的一部分，从而发光光谱向短波长侧移动，另外通过用Gd和/或La来置换组成中的Re的一部分，从而发光本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种波长变换装置，具备基板、和被设置在所述基板上的波长变换部件，其中，所述波长变换部件具有荧光体粉末、和保持所述荧光体粉末的保持体，所述波长变换部件的上表面是包含所述荧光体粉末的上表面和所述保持体的上表面在内的发光面，在所述保持体的上表面，与所述荧光体粉末相邻地形成有第1凹部。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中津嘉隆，杉山卓史，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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