一种使用低压器件检测高电压的电路制造技术

一种使用低压器件检测高电压的电路，待测信号S1通过电阻R1接三极管Q1的基极，三极管Q1的基极同时通过电阻R2接地，三极管Q1的集电极接地，发射极作为信号输出端，信号输出端通过电阻R3接VCC，本实用新型专利技术能够实现对待测电压的降低，保证检测芯片的安全性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电压检测
，特别涉及一种使用低压器件检测高电压的电路。
技术介绍
在电压检测过程中，如果被测电压高于检测芯片的供电电压，则无法直接将被测电压输入到检测芯片，以免烧毁芯片。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种使用低压器件检测高电压的电路，利用分立器件来比例降低被测电压，且同时被测电压保持驱动能力。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是:一种使用低压器件检测高电压的电路，待测信号SI通过电阻Rl接三极管Ql的基极，三极管Ql的基极同时通过电阻R2接地，三极管Ql的集电极接地，发射极作为信号输出端，信号输出端通过电阻R3接VCC。与现有技术相比，本技术能够实现对待测电压的降低，保证检测芯片的安全性。附图说明附图为本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术进行更详尽的说明。如图所示，本技术为一种使用低压器件检测高电压的电路，待测信号SI通过电阻Rl接三极管Ql的基极，三极管Ql的基极同时通过电阻R2接地，三极管Ql的集电极接地，发射极作为信号输出端，信号输出端通过电阻R3接VCC。本技术输入电压VIN经过电阻R1\R2的分压后，作用于三极管Ql的基极，使得三极管Ql的射极电压，即V0UT=Sl*R2/(Rl+R2)+0.7V，从这个公式上可以看出，当SI超出VCC供电时，VOUT和SI成比例的变化。利用于此就可以使用较低VCC供电的芯片来检测SI等比VCC电压高的信号。该电路中需要注意的是，SI经过R1\R2的分压后，其Ql的基极电压必须小于VCC，否则Ql不能导通，电路不能发挥作用。由于有Ql的存在，相对于高阻Rl和R2分压后的电压驱动能力强了很多，利于检测信号驱动相关电路动作。现有方案中由于没有Ql等元件，使得SI信号不能直接被VCC供电的芯片检测，功能无法实现。本技术的电路完全由三极管、电阻、电容组成，被测试信号SI通过转换，形成VOUT输入到检测芯片，保证检测的准确性和电路的安全性。权利要求1.一种使用低压器件检测高电压的电路，其特征在于，待测信号SI通过电阻Rl接三极管Ql的基极，三极管Ql的基极同时通过电阻R2接地，三极管Ql的集电极接地，发射极作为信号输出端，信号输出端通过电阻R3接VCC。专利摘要一种使用低压器件检测高电压的电路，待测信号S1通过电阻R1接三极管Q1的基极，三极管Q1的基极同时通过电阻R2接地，三极管Q1的集电极接地，发射极作为信号输出端，信号输出端通过电阻R3接VCC，本技术能够实现对待测电压的降低，保证检测芯片的安全性。文档编号G01R15/04GK203025232SQ20122063608公开日2013年6月26日 申请日期2012年11月26日 优先权日2012年11月26日专利技术者李程 申请人:西安威正电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用低压器件检测高电压的电路，其特征在于，待测信号S1通过电阻R1接三极管Q1的基极，三极管Q1的基极同时通过电阻R2接地，三极管Q1的集电极接地，发射极作为信号输出端，信号输出端通过电阻R3接VCC。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李程，
申请(专利权)人：西安威正电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：