用于发光元件的反射膜用组合物、发光元件及发光元件的制造方法技术

本发明专利技术的发光元件依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材，其中，导电性反射膜包含金属纳米粒子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用反射膜用组合物的发光元件及其制造方法
本专利技术涉及用于发光元件的反射膜用组合物、发光元件及发光元件的制造方法。更详细而言，涉及用于具备高效反射由发光层发出的光的导电性反射膜的发光元件的反射膜用组合物、发光元件及其制造方法。
技术介绍
近年来，发光元件尤其是LED光源随着高亮度化等而利用到各种领域。尤其，由于能够实现白色LED光源，由此在照明器具或液晶显示器的背光源等的用途中所使用。为了进一步提高LED光源的亮度等，对高效利用由发光层LED元件发出的光的方面进行研究。专利文献1中公开有如下LED光源：其具备基板、搭载于支承基板上的LED元件及包含荧光剂的封装剂，且在基板与LED元件之间具备对LED元件发出的光进行反射的镀Ag电极膜，在镀Ag电极膜上具有钛薄膜。该LED光源通过在基板与LED元件之间设置导电性反射膜层，有效地反射来自发光体的光，增加发光强度。其中，Ag薄膜与钛薄膜通过电镀法或真空成膜法形成。通常，电镀法可预想到繁杂的工序或废液的产生，真空成膜法由于维持、运行大型真空成膜装置，因此需要巨大成本。上述LED光源仅用镀Ag电极膜会发生热劣化或光劣化，因此需要钛薄膜，且需要并用电镀法与真空成膜法。并且，专利文献2中公开有如下LED器件的制造方法：在基材上搭载LED元件且引线接合之后，形成SiO2涂膜。然而，在该LED器件的制造方法中也使用镀银膜。并且，由于搭载LED元件之后形成SiO2涂膜，因此当涂布SiO2涂层溶液时，存在污染LED元件而合格率下降的忧虑。专利文献1：日本特开2009-231568号公报专利文献1：日本特开2009-224536号公报
技术实现思路
本专利技术的课题在于提供能够通过改善反射由发光元件射出的光且具有电极作用的导电性反射膜的薄膜形成法，抑制因导电性反射膜的热与环境引起的劣化，并且使制造工序简便，从而大幅改善运转成本的发光元件及其制造方法。本专利技术涉及根据以下所示的技术方案解决了上述课题的发光元件及发光元件所具备的导电性反射膜用组合物。本专利技术的第1方案为一种用于发光元件的导电性反射膜用组合物，其为用于依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材的发光元件的导电性反射膜用组合物，其特征在于，导电性反射膜组合物包含金属纳米粒子。本专利技术的第2方案为上述第1方案所涉及的用于发光元件的导电性反射膜用组合物，其中，进一步包含添加物。本专利技术的第3方案为一种用于发光元件的导电性反射膜用外涂层组合物，其为用于依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材的发光元件的导电性反射膜用外涂层用组合物，其中，外涂层用组合物包含透光性粘合剂。本专利技术的第4方案为一种发光元件，其依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材，其特征在于，导电性反射膜包含金属纳米粒子烧结体。本专利技术的第5方案为上述第4方案所涉及的发光元件，其中，所述导电性反射膜的空穴和/或在所述导电性反射膜和所述基材的界面存在透光性粘合剂。本专利技术的第6方案为上述第4或第5中任一方案所涉及的发光元件，其中，在发光层和导电性反射膜之间进一步具备包含透光性粘合剂的透明导电膜。本专利技术的第7方案为上述第6方案所涉及的发光元件，其中，所述透明导电膜进一步包含透明导电性粒子。本专利技术的第8方案为上述第6或第7方案所涉及的发光元件，其中，所述透明导电膜由两层构成，所述导电性反射膜侧的透明导电膜（透明导电膜层）的折射率高于所述发光层侧的透明导电膜（透明导电膜层）的折射率。本专利技术的第9方案为上述第4～第8中任一方案所涉及的发光元件，其中，在所述导电性反射膜和所述基材之间进一步具备粘附层。本专利技术的第10方案为上述第6～第9中任一方案所涉及的发光元件，其中，导电性反射膜和透明导电膜是通过湿式涂层法制造的。本专利技术的第11方案为上述第4～第10中任一方案所涉及的发光元件，其中，所述导电性反射膜的厚度为0.05～1.0μm。本专利技术的第12方案为上述第4～第11中任一方案所涉及的发光元件，其中，所述导电性反射膜进一步包含添加物。本专利技术的第13方案为上述第12方案所涉及的发光元件，其中，所述添加物包含选自有机高分子、金属氧化物、金属氢氧化物、有机金属化合物及硅油中的至少一种。本专利技术的第14方案为上述第13方案所涉及的发光元件，其中，所述有机高分子为选自聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物及水溶性纤维素中的至少一种。本专利技术的第15方案为上述第13方案所涉及的发光元件，其中，所述金属氧化物为包含选自铝、硅、钛、锆、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟及锑中的至少一种的氧化物或复合氧化物。本专利技术的第16方案为上述第13方案所涉及的发光元件，其中，所述金属氢氧化物为包含选自铝、硅、钛、锆、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟及锑中的至少一种的氢氧化物。本专利技术的第17方案为上述第13方案所涉及的发光元件，其中，所述有机金属化合物为选自硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼及锡中的至少一种的金属皂、金属络合物、金属醇盐或金属醇盐的水解物。另外，本专利技术涉及以下发光元件的制造方法。本专利技术的第18方案为一种发光元件的制造方法，其特征在于，通过湿式涂层法在基材上涂布包含金属纳米粒子和添加物的导电性反射膜用组合物之后，通过烧成或固化来形成导电性反射膜，在导电性反射膜上搭载发光层。本专利技术的第19方案为上述第18方案所涉及的发光元件的制造方法，其中，在形成所述导电性反射膜之后且搭载所述发光层之前，进一步通过湿式涂层法在所述导电性反射膜上涂布包含透光性粘合剂的外涂层组合物之后，通过烧成或固化而形成透明导电膜。根据上述第1方案能够轻松获得即使为高输出功率的发光元件也可抑制因由发光层产生的热或环境引起的劣化的导电性反射膜，且能够轻松制造具备该导电性反射膜的长寿命发光元件。根据上述第4方案能够提供一种即使为高输出功率发光元件也能够提高耐热性或耐腐蚀性，且抑制因由发光层产生的热或环境引起的导电性反射膜的劣化的长寿命发光元件。并且，该导电性反射膜能够以湿式涂层法制作，因此能够使制造工序简便且以低成本的方式制造，根据上述第5方案能够提供一种通过添加物来使耐热性或耐腐蚀性更高的发光元件。并且，根据上述第7方案，能够增加导电性反射膜引起的反射光。根据上述第18方案，可以简便且以低成本的方式获得耐热性或耐腐蚀性高的发光元件。并且，由于搭载发光层之前形成导电性反射膜，因此不存在因导电性反射膜用组合物污染发光层的忧虑。附图说明图1是表示本专利技术的发光元件的一例的截面图。图2是表示本专利技术的发光元件的优选一例的截面图。图3是表示本专利技术的发光元件的更优选一例的截面图。图4是表示本专利技术的发光元件的优选一例的截面图。图5是形成有导电性反射膜等的基材的截面的扫描电子显微镜照片。具体实施方式以下，根据实施方式对本专利技术进行具体说明。另外，除了数值固有的情况之外，只要未特别表示，“%”为质量%。[用于发光元件的导电性反射膜用组合物]本专利技术的导电性反射膜用组合物为用于依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材的发光元件的导电性反射膜用组合物（以下称为导电性反射膜用组合物），其特征在于，导电性反射膜组合物包含金属纳米粒子。导电性反射膜用组合物通过烧成或固化来形成导电性反射膜。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.11.12 JP 2010-254268;2011.02.24 JP 2011-037801.一种发光元件，其依次具备发光层、透明导电膜、反射由所述发光层发出的光的导电性反射膜、粘附层及基材，其特征在于，所述导电性反射膜包含金属纳米粒子烧结体，所述粘附层的厚度为0.01～0.5μm，所述透明导电膜包含透光性粘合剂、透明导电性粒子及透明粒子，所述透明粒子为选自SiO2、TiO2、ZrO2及金刚石中的至少一种。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述导电性反射膜的空穴存在所述透光性粘合剂。3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其中，所述透明导电膜由两层构成，所述导电性反射膜侧的透明导电膜的折射率高于所述发光层侧的透明导电膜的折射率。4.根据权利要求1或2所述的发光元件，其中，所述导电性反射膜和所述透明导电膜是通过湿式涂层法制造的。5.根据权利要求1或2所述的发光元件，其中，所述导电性反射膜的厚度为0.05～1.0μm。6.根据权利要求1或2所述的发光元件，其中，所述导电性反射膜进一步包含添加物。7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述添加物包含选自有机高分子、金属氧化物、金属氢氧化物、...

【专利技术属性】
技术研发人员：马渡芙弓，近藤洋二，泉礼子，林芳昌，山崎和彦，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：
国别省市：