电光装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中，提高相对于晶体管的遮光性，并使开口率提高。电光装置，在基板（10）上，具备：电连接于数据线（6a）的晶体管（30），对应于晶体管所设置的像素电极（9a），覆盖晶体管的半导体层地所设置的遮光部（11），与遮光部重叠地所设置、形成于比像素电极下层侧且比半导体层上层侧的第1导电膜（71），和通过层间绝缘膜（42）形成于比第1导电膜上层侧并通过接触孔（84）与第1导电膜电连接的第2导电膜（91）。进而，遮光部，具有伸出于对应于像素电极的各像素的开口区域的角落的伸出部分（11t）；接触孔，以基板上俯视，与伸出部分至少部分性地重叠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术，涉及例如液晶装置等的电光装置、及具备有该电光装置的例如液晶投影机等的电子设备的

技术介绍
作为这种电光装置之一例的液晶装置，也多用作例如投影型显示装置的光调制单元(光阀)。尤其在投影型显示装置的情况下，因为来自光源的强光入射于液晶光阀，所以为了液晶光阀内的薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)不会由于该光产生泄漏电流的增大、误工作等，作为遮挡入射光的遮光单元的遮光膜内藏于液晶光阀。更具体地，如此的遮光膜，通过构成包括为了在每像素对像素电极进行驱动而在显示区域中纵向横向地相交叉所布线的数据线及扫描 线、进而在每像素电连接于扫描线及数据线的TFT的各种元件等的导电膜的至少一部分所形成，或者除此之外或代替于此，有时也另外用于仅简单地承担作为遮挡入射光的遮光单元的作用而作为对应于数据线及扫描线的平面的图形形状的栅格状或者条带状的图形所形成。在如此的基板上的形成有遮光膜的区域、即在基板上不让光透射的非开口区域，用于使TFT与像素电极进行电连接的接触孔，开孔于对像素电极、与形成于比其下层侧的各种布线、TFT等的电子元件进行层间绝缘的层间绝缘膜(例如参照专利文献I)。专利文献I特开2004-198849号公报可是，为了谋求应当按照显示图像的高质量化的一般性要求的电光装置的高清晰化或者像素间距的窄距化，为了谋求应当显示更明亮的图像的像素的高开口率化，在使设置于相互相邻的像素间的遮光膜的宽度简单地变窄的情况下，存在光变得容易向TFT进行入射、即相对于TFT的遮光性有可能下降的技术性问题点。进而，在使如此的遮光膜的宽度简单地变窄的情况下，存在虽然在非开口区域中确保用于设置接触孔的空间，但是制造工序上或者设计上变得困难的技术性问题点。
技术实现思路
本专利技术，鉴于例如上述的问题点所作出，目的在于提供能够提高相对于晶体管的遮光性、并使开口率提高，可以显示明亮而高质量的图像的电光装置，具备该电光装置的电子设备。本专利技术的电光装置为了解决上述问题，在基板上，具备数据线，电连接于该数据线的晶体管，对应于该晶体管所设置的像素电极，覆盖前述晶体管的半导体层地所设置的遮光部，与前述遮光部重叠地所设置、形成于比前述像素电极下层侧且比前述半导体层上层侧的第I导电膜，和通过层间绝缘膜形成于比该第I导电膜上层侧并通过开孔于前述层间绝缘膜的接触孔与前述第I导电膜电连接的第2导电膜；前述遮光部，具有伸出于对应于前述像素电极的各像素的开口区域的角落的伸出部分；前述接触孔，以前述基板上俯视，与前述伸出部分至少部分性地重叠。若依照于专利技术的电光装置的电光装置，则例如，可以进行由控制从数据线向像素电极的图像信号的供给的、所谓有源矩阵方式产生的图像显示。在此，本专利技术中的所谓“开口区域”，是实质上使显示光进行出射的像素内的区域，是形成由例如ITO (Indium Tin Oxide,铟锡氧化物)等的透明导电采样构成的像素电极而光进行透射的区域，是可以相应于透射率的改变而使逸出液晶等的电光物质的出射光的灰度等级进行变化。若换言之，则所谓“开口区域”，是指除了聚光于像素的光以不让光透射、或者光透射率相比于透明电极相对较小的布线、遮光膜、及各种元件等的遮光体所遮挡非开口区域之外的区域。在此所谓“非开口区域”，是指参与显示的光不进行透射的区域，是指例如在像素内配设非透明的布线或者电极、或各种元件等的遮光体的区域。进而所谓“开口率”，是指像素的将开口区域及开口区域相加的尺寸中的开口区域的比例。像素电极，在基板上应当成为显示区域的区域例如矩阵状地设置多个。并且，数据线、晶体管、第I及第2导电膜、以及其他用于对像素电极进行驱动的各种构成要件，形成于非开口区域。晶体管具有的半导体层，例如，形成于非开口区域之中、对应于数据线及扫描线相交叉的交叉区域。第I导电膜，形成于比像素电极下层侧且比半导体层上层侧。第2导电膜，通过层间绝缘膜形成于比第I导电膜上层侧。第I及第2导电膜，通过开孔于层间绝缘膜的接触孔互相电连接。还有，层间绝缘膜既可以作为由I层构成的单层膜，也可以作为具有2层以上的叠层结构的多层膜所形成。遮光部，覆盖晶体管的半导体层地所设置。即，遮光部，对非开口区域至少部分性地进行限定地，形成于与半导体层互不相同的层(即，比半导体层上层侧或者下层侧)。进而，遮光部，以基板上俯视与半导体层的至少一部分重叠。若换言之，则遮光部，从上层侧或者下层侧覆盖半导体层地的至少一部分地所形成。因而，通过遮光部能够基本遮挡相对于半导体层从比其上层侧垂直地或者倾斜地进行入射的光、或者从比其下层侧进行入射的返回光。还有，在“返回光”中，例如，包括基板中的内面反射、在复板式的投影机等从其他电光装置发出而穿过合成光学系统的光等。由此，能够提高相对于晶体管的遮光性，例如能够降低晶体管中的光泄漏电流。还有，遮光部，作为包括遮光性材料的单层膜或者多层膜所形成。遮光部，既可以作为数据线所形成，也可以作为与晶体管电连接的电容元件所形成，又可以作为扫描线所形成。在本专利技术中尤其是，遮光部，具有伸出于开口区域的角落的伸出部分。例如，在数据线及扫描线相交叉的交叉区域中，具有从开口区域的角落向开口区域的中央伸出的伸出部分。即，如果以四边形的开口区域为基准来考虑，则伸出部分，在开口区域的四个角落具有长方形状或者正方形状地，从开口区域的角落向开口区域的中央伸出。因而，对入射于设置于交叉区域的半导体层的光，通过遮光部中的伸出部分能够有效地遮光。即，与如此的伸出部分并不存在的情况相比，在例如假设伸出部分形成于比半导体层上层侧的情况下，能够对相对于半导体层、从比其上层侧垂直地或者倾斜地进行入射的入射光、基于此的乱反射光及杂散光等通过伸出部分更可靠地遮挡；在例如假设伸出部分形成于比半导体层下层侧的情况下，能够对相对于半导体层、从比其下层侧垂直地或者倾斜地进行入射的返回光、基于此的乱反射光及杂散光等，通过伸出部分更可靠地遮挡。即，可以通过伸出部分提高或者强化相对于半导体层的遮光性。进而在本专利技术中尤其是，接触孔，以基板上俯视，与伸出部分至少部分性地重叠。即，在层间绝缘膜，以基板上俯视，在与伸出部分至少部分性地重叠的位置开孔接触孔。典型性地，非开口区域之中，在形成遮光部中的伸出部分的区域(若换言之，则用于提高相对于晶体管的遮光性的遮光区域)，配置接触孔。从而，能够防止仅为了接触孔的配置，而将非开口区域之中沿数据线的区域或者沿扫描线的区域的宽度不必要地扩大、并另将非开口区域的一部分不必要地扩大，可以更大地确保各像素中的开口区域的尺寸。S卩，可以使开口率提闻。另外，由于接触孔，与伸出部分至少部分性地重叠地所配置，通过接触孔(S卩，通过形成于接触孔内的第2导电膜的一部分、或者在接触孔内作为由遮光性导电材料构成的插塞所形成的导电部)，能够减少入射于半导体层的光，即，对相对于半导体层、从比其上层侧倾斜地进行入射的光，通过接触孔能够遮光。如进行了以上说明地，若依照于本专利技术的电光装置，则在各像素，能够提高相对于晶体管的遮光性并使开口率提闻，最终能够显不明売而闻质量的图像。在本专利技术的电光装置的一方式中，前述伸出部分，形成于前述开口区域的四个角落的各处。若依照于该方式，则伸出部分，在晶体管的半导体层的周围设置4个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置，其特征在于，包括：在第1方向延伸的数据线；与该数据线电连接的晶体管；与该晶体管对应设置的像素电极；与上述晶体管的半导体层重叠设置的遮光部；在上述晶体管的半导体层和上述像素电极之间的层，与上述遮光部重叠设置的导电膜；其中，上述遮光部具有在上述第1方向延伸的第1遮光部、在与上述第1方向交叉的第2方向延伸的第2遮光部、和从该第1及第2遮光部的各个延伸，在像素的开口区域的角落伸出的第3遮光部；电连接上述导电膜和上述像素电极的接触孔与上述第3遮光部至少部分地重叠。

【技术特征摘要】
2007.08.09 JP 207644/2007;2008.05.27 JP 137915/201.一种电光装置,其特征在于,包括: 在第I方向延伸的数据线； 与该数据线电连接的晶体管； 与该晶体管对应设置的像素电极； 与上述晶体管的半导体层重叠设置的遮光部； 在上述晶体管的半导体层和上述像素电极之间的层，与上述遮光部重叠设置的导电膜； 其中，上述遮光部具有在上述第I方向延伸的第I遮光部、在与上述第I方向交叉的第2方向延伸的第2遮光部、和...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川雅嗣，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：