滚花装置制造方法及图纸

一种滚花装置，包括：液压装置和滚花刀架；所述液压装置包括：液缸，位于所述液缸外的第一活塞、位于所述液缸内的第二活塞、连接第一活塞和第二活塞的活塞杆；在滚花装置工作时所述第一活塞推抵所述滚花刀架。应用本实用新型专利技术的滚花装置，可以使聚焦线圈表面的滚花图案均匀，从而减少附着在聚焦线圈表面的部分溅射材料原子掉落至基板上，从而影响成膜质量。另外，提高聚焦线圈的使用寿命。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种机械领域，尤其涉及一种滚花装置。
技术介绍
物理气相沉积(PVD,Physical Vapor Deposition)是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片，氩离子在电场的作用下加速轰击溅射基台上的靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子(或分子)沉积在基片上成膜，而最终达到对基片表面镀膜的目的。图1为物理气相沉积中离子金属等离子体设备示意图。参照图1所示，设备110是离子金属等离子体αΜΡ)设备，其包括具有侧壁114的腔室112，腔室112通常是高真空室。靶材10被设置在腔室的上部区域中，且基板118被设置在腔室的下部区域中。基板118被保持在保持器120上，所述保持器通常包括静电卡盘。靶材10将通过适当的支承构件(未示出)被保持，所述支承构件可包括动力源。可设置上部罩(未示出)以罩住靶材10的边缘。靶材10的材料可包括例如招、镉、钴、铜、金、铟、钥、镍、银、钮、钼、铼、钌、银、锡、钽、钛、鹤、钒和锌中的一种或多种。这些元素可以以元素、化合物或合金的形式存在。基板118可包括例如半导体晶片，例如单晶硅晶片。溅射材料从靶材10的表面中溅射出来且被导向基板118。溅射材料122由箭头表示。通常情况下，聚焦线圈100被设置在腔室112内，聚焦线圈可改进溅射材料122的取向，且引导溅射材料与基板118的上表面相对正交，以提高溅射过程中所形成薄膜的均匀性。聚焦线圈100通过销128被保持在腔室112内，所述销128延伸通过聚焦线圈100的侧壁且还通过腔室112的侧壁114。销128通过固定螺丝(未标号)被保持处于所示构型。图1示出了沿聚焦线圈100内表面的销128的头部132和沿室侧壁114的外表面的另一头部 130。隔件140 (通常被称作隔套)环绕销128延伸且被用以使聚焦线圈100与侧壁114隔开。在公开号为CN101545093A (公开日:2009年9月30日)的中国专利文献中还能发现更多的聚焦线圈的信息。在溅射过程中，会有一些溅射材料原子聚集在聚焦线圈100上面，如果聚焦线圈100表面光滑，成片的溅射材料原子会掉落至基板118上从而严重影响薄膜质量，因此，需要将聚焦线圈表面粗糙化，从而使得聚集在聚焦线圈100上面的溅射材料原子都附着在聚焦线圈表面，防止其掉落至基板118上。但是，现有技术中将聚焦线圈表面粗糙化后，在使用聚焦线圈的过程中，仍会出现下列情况:(1)附着在聚焦线圈表面的部分溅射材料原子掉落至基板上，从而影响成膜质量；另外还会出现(2)聚焦线圈的使用寿命较短
技术实现思路
本技术解决的问题是将聚焦线圈表面粗糙化后，在使用聚焦线圈的过程中，仍会出现附着在聚焦线圈表面的部分溅射材料原子掉落至基板上，从而影响成膜质量的问题。而且，聚焦线圈的使用寿命较短。为解决上述问题，本技术提供了一种液压滚花附加装置，包括:液压装置和滚花刀架；所述液压装置包括:液缸，位于所述液缸外的第一活塞、位于所述液缸内的第二活塞、连接第一活塞和第二活塞的活塞杆；在滚花装置工作时所述第一活塞推抵所述滚花刀架。可选的，所述液压装置还包括:底座，用于将所述液压装置与所述滚花装置连接；所述液缸设置在所述底座上，所述第二活塞将所述液缸分为第一腔室和第二腔室，所述液缸设置有位于第一腔室侧的第一输液口、位于第二腔室侧的第二输液口 ；输液泵，包括泵体和储液箱；所述泵体用于提供所述液压装置的输液动力，所述储液箱用于存储所述液压装置用液，所述储液箱设置有进液口和出液口；所述进液口和所述第一输液口通过输液管连通，所述出液口和所述第二输液口通过输液管连通。可选的，还包括控制开关，用于控制所述泵体的工作。可选的，所述液压装置还包括电磁阀和控制开关，所述控制开关用来控制所述泵体、电磁阀的工作；所述电磁阀用于控制液压装置中液体的流向。可选的，所述电磁阀设有电磁阀腔体，所述电磁阀腔体内部设有控制阀体；所述电磁阀腔体具有第一排液孔、第二排液孔、第三排液孔和第四排液孔；所述第一排液孔和所述第一输液口通过输液管连通，所述第二排液孔和所述第二输液口通过输液管连通，所述第三排液孔和所述进液口通过输液管连通，所述第四排液孔和所述出液口通过输液管连通；在控制开关的控制下所述控制阀体用于开启或关闭所述第一排液孔、第二排液孔、第三排液孔、第四排液孔。可选的，所述第一活塞与所述滚花刀架接触的表面平整。可选的，所述底座为正方体、长方体或者圆柱体。可选的，所述底座与所述滚花装置为螺连、插连、绑连或焊接。可选的，所述滚花装置还包括:丝杆，工作时所述丝杆和所述第一活塞共同推抵所述滚花刀架。与现有技术相比，本技术的技术方案具有以下优点:采用本技术的滚花装置，当一个滚花工序开始启动时，滚花装置上的液压装置中的第二活塞移动至第一活塞推抵滚花刀架时停止，并且第一活塞对滚花刀架施加一定的压力，该压力等于液缸中的液体对第二活塞产生方向朝向第一活塞的压力，从而弥补现有的滚花装置对滚花刀架提供的滚花压力逐渐减小的缺陷，以使聚焦线圈表面的滚花图案均匀，从而，在溅射过程中，使得附着在聚焦线圈表面的部分溅射材料原子不会掉落至基板上，可以提高成膜质量。另外，还可以增加聚焦线圈的使用寿命。更进一步的，本技术的滚花装置上的液压装置还设置电磁阀和控制开关，所述控制开关用来控制所述泵体、电磁阀的工作，所述电磁阀用于控制液压装置中液体的流向。使得滚花装置更加自动化，并且使得滚花装置操作起来更加方便。附图说明图1为物理气相沉积中离子金属等离子体设备示意图；图2是本技术的第一实施例的滚花装置的俯视图；图3是本技术的第一实施例的液压装置的示意图；图4是本技术的第二实施例的液压装置的示意图。具体实施方式专利技术人经过认真的研究和分析发现，出现现有技术中的(I) (2)两个问题的原因为:现有技术中，通常采用滚花工艺对聚焦线圈表面进行粗糙化，请参考图2，具体是将聚焦线圈100安装在滚花机床400的主轴401上，由滚花机床400上的丝杆结构402带动滚花刀架405上的滚花刀403，滚花刀403的刀头404抵住聚焦线圈100的表面来进行滚花操作的。滚花机床400上的丝杆结构402包括带有螺纹的丝杆406和套在所述丝杆上的螺母(图未示)，螺母内表面也设有与丝杆螺纹相匹配的螺纹，随着螺母与所述丝杆之间的配合来对滚花刀架提供滚花压力，同时对所述滚花刀架405上的滚花刀403提供压力。随着使用时间的增加，丝杆406与螺母之间螺纹会出现磨损，从而使得丝杆406与螺母之间产生松动现象，并且所述松动程度越来越大，使得丝杆406与螺母之间的配合紧密度越来越低，从而使得丝杆结构402对滚花刀架405提供的滚花压力逐渐减小，聚焦线圈100表面的滚花花纹的深度越来越浅，滚花图案不均匀，一些位置的滚花图案深度深，一些位置的滚花图案深度浅。滚花图案浅的位置处对于溅射材料原子的吸附力减小，容易出现掉落现象。因此，在溅射过程中，使用上述滚花图案不均匀的聚焦线圈100来改进溅射材料的取向时，会产生附着在聚焦线圈100表面的部分溅射材料原子掉落至基板上的现象，从而影响成膜质量。在溅射过程中，一旦出现溅射材料原子掉落至基板上的现象，就会将聚焦线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种滚花装置，其特征在于，包括：?液压装置和滚花刀架；?所述液压装置包括：液缸，位于所述液缸外的第一活塞、位于所述液缸内的第二活塞、连接第一活塞和第二活塞的活塞杆；?在滚花装置工作时所述第一活塞推抵所述滚花刀架。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，相原俊夫，大岩一彦，潘杰，王学泽，汪涛，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：