开关电源的极限峰值电流检测电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种开关电源的极限峰值电流检测电路，包括：基准电流源，输出端经由第一电阻接地；电压比较器，正输入端连接基准电流源的输出端；功率MOSFET晶体管，控制端连接电压比较器的输出端；功率MOSFET晶体管的输出端直接接地；检测MOSFET晶体管，控制端连接电压比较器的输出端，输出端连接电压比较器的负输入端并且经由第二电阻接地，输入端连接功率MOSFET晶体管的输入端，基准电流源具有正温度系数，第一电阻和第二电阻的比值与温度无关，检测MOSFET晶体管和功率MOSFET晶体管的导通电阻的比值与温度无关。本实用新型专利技术能够实现对极限峰值电流检测的温度补偿，并有利于降低成本、减小功耗损失。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及开关电源技术，尤其涉及一种具有温度补偿能力的开关电源的极限峰值电流检测电路。
技术介绍
在内置MOSFET晶体管的开关电源中，峰值电流检测一直是开关电源的关键点。峰值电流检测点的精确度直接影响到输出功率，进而极限峰值电流检测点的精确度直接影响到极限输出功率大小。因此在开关电源领域中，为做到极限输出功率的一致性，希望极限峰值电流检测点在外界条件和接口变化的条件下能够一致，其中外界条件中需要考虑的一个重要因数因素就是“温度”。因为芯片内置MOSFET晶体管，因此当峰值电流大的时候，芯片功耗会增大，进而芯片温度会上升，如果触发到高温下的极限峰值电流则会直接导致当机，所以温度是影响极限峰值电流检测点的重要因素。图1示出了现有技术中的一种开关电源的极限峰值电流检测电路10，其中集成电路芯片内置的MOSFET晶体管12的极限峰值电流Is与内部检测点的对地电阻Rs有关，由比较器11的两个输入端电压相等的关系可知IfRf=IsRs,即4 = γ-，其中If表示比较器11的正输入端的输入电流，RF表示的是输入电流If到地的电阻值。为保证极限峰值电流Is与温度无关，只需要考虑f比值恒定和If与温度无关这两个条件，而Rf和Rs通常是芯片内部集成的电阻，可以用同 种介质材料保证比值恒定，另外在集成电路技术中也很容易保证If与温度无关。但上述现有技术有三个缺陷，一是由于Rs阻值通常很小，而Rf阻值通常又很大，一般而言，无法用同种介质材料既做阻值大的电阻又做阻值小的电阻，否则芯片成本会很高；二是芯片内部的MOSFET晶体管12串联电阻Rs导致峰值电流大的时候损耗很大；三是芯片内部集成电阻Rs，电阻Rs上的功耗直接导致温度上升加剧。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种开关电源的极限峰值电流检测电路，能够实现对极限峰值电流检测的温度补偿。为解决上述技术问题，本技术提供了一种开关电源的极限峰值电流检测电路，包括:基准电流源，其输出端经由第一电阻接地；电压比较器，其正输入端连接所述基准电流源的输出端；功率MOSFET晶体管，其控制端连接所述电压比较器的输出端；其中，所述功率MOSFET晶体管的输出端直接接地；所述极限峰值电流检测电路还包括:检测MOSFET晶体管，其控制端连接所述电压比较器的输出端，其输出端连接所述电压比较器的负输入端并且经由第二电阻接地，其输入端连接所述功率MOSFET晶体管的输入端，其中所述基准电流源具有正温度系数，所述第一电阻和第二电阻的比值与温度无关，所述检测MOSFET晶体管和功率MOSFET晶体管的导通电阻的比值与温度无关。根据本技术的一个实施例，所述检测MOSFET晶体管和功率MOSFET晶体管都是N型的。与现有技术相比，本技术具有以下优点:本技术实施例的极限峰值电流检测电路中，功率MOSFET晶体管的输出端直接接地，检测MOSFET晶体管的控制端和功率MOSFET晶体管的控制端都连接至电压比较器的输出端，而检测MOSFET晶体管的输出端连接电压比较器的负输入端并经由第二电阻接地。由于检测MOSFET晶体管的输出端直接接地而检测MOSFET晶体管的输出端经由第二电阻接地，能够以较低的成本保证第一电阻和第二电阻的比值恒定，而且也避免了功率MOSFET晶体管的输出端串联电阻导致的功率损耗。附图说明图1是现有技术中的一种开关电源的极限峰值电流检测电路的电路结构示意图；图2是本技术实施例的开关电源的极限峰值电流检测电路的电路结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例和附图对本技术作进一步说明，但不应以此限制本技术的保护范围。参考图2，本实施例的开关电源的极限峰值电流检测电路100包括:基准电流源If、第一电阻Rf、电压比较器301、功率MOSFET晶体管303、检测MOSFET晶体管302、第二电阻 Rsen。其中，基准电流源If的输出端经由第一电阻Rf接地，其产生的基准电流记为IF，第一电阻Rf的电阻值记为Rf ;电压比较器301的正输入端连接基准电流源If的输出端，电压比较器301的负输入端连接检测MOSFET晶体管302的输出端，电压比较器301的输出端连接功率MOSFET晶体管303和检测MOSFET晶体管302的控制端；功率MOSFET晶体管303的输入端和检测MOSFET晶体管302的输入端相连，功率MOSFET晶体管303的输出端直接接地，流经功率MOSFET晶体管303的极限峰值电流记为Is ;检测MOSFET晶体管302的输出端经由第二电阻Rsen接地，流经检测MOSFET晶体管302的电流记为检测电流ISEN。其中，电压比较器301的正输入端的电压信号由基准电流源If产生；电压比较器301的负输入端的电压信号由检测电流Isen和第二电阻Rsen的电阻值Rsen的乘积产生。更加具体而言，所述电压比较器301的正输入端连接第一电阻Rf的一端，第一电阻Rf的另一端接地，第一电阻Rf与基准电流^产生电压比较器301正输入端的电压；电压比较器301的负输入端连接第二电阻Rsen的一端，第二电阻Rsen的另一端接地，第二电阻Rsen与检测电流。产生电压比较器301负输入端的电压。电压比较器301的负输入端同时也连接检测MOSFET晶体管302的源端。 电压比较器301的输出端连接检测MOSFET晶体管302和功率MOSFET晶体管303的栅极。检测MOSFET晶体管302的漏端连接功率MOSFET晶体管303的漏端，功率MOSFET晶体管303的源端接地。作为一个非限制性的例子，检测MOSFET晶体管302和功率MOSFET晶体管303都是N型的。作为一个优选的实施例，基准电流源If具有正温度系数，第一电阻Rf和第二电阻Rsen的电阻值比值与温度无关，检测MOSFET晶体管302和功率MOSFET晶体管303的导通电阻的比值与温度无关。在本实施例中，电压比较器301的正输入端与负输入端相等时，实现功率MOSFET晶体管303的关断，此时流经功率MOSFET晶体管303的电流即为极限峰值电流Is。于是得到:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关电源的极限峰值电流检测电路，包括：基准电流源，其输出端经由第一电阻接地；电压比较器，其正输入端连接所述基准电流源的输出端；功率MOSFET晶体管，其控制端连接所述电压比较器的输出端；其特征在于，所述功率MOSFET晶体管的输出端直接接地；所述极限峰值电流检测电路还包括：检测MOSFET晶体管，其控制端连接所述电压比较器的输出端，其输出端连接所述电压比较器的负输入端并且经由第二电阻接地，其输入端连接所述功率MOSFET晶体管的输入端，其中所述基准电流源具有正温度系数，所述第一电阻和第二电阻的比值与温度无关，所述检测MOSFET晶体管和功率MOSFET晶体管的导通电阻的比值与温度无关。

【技术特征摘要】
1.一种开关电源的极限峰值电流检测电路，包括: 基准电流源，其输出端经由第一电阻接地； 电压比较器，其正输入端连接所述基准电流源的输出端； 功率MOSFET晶体管，其控制端连接所述电压比较器的输出端； 其特征在于，所述功率MOSFET晶体管的输出端直接接地；所述极限峰值电流检测电路还包括: 检测MOSFET晶体管，其控制端连接所述电压比较器的输出端，其输出端...

【专利技术属性】
技术研发人员：周伟江，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：