一种高线性度正交调制器射频集成电路制造技术

技术编号:8836757 阅读:317 留言:0更新日期:2013-06-22 22:11
本发明专利技术公布了一种正交调制器射频集成电路。所述电路模块包括混频器核、负载电路、前置四分频器模块和共模反馈电路,其中混频器核是整个电路的核心,采用一种新型的结构来提升系统的变频线性度;前置四分频器主要产生严格的正交差分本振信号;共模反馈电路包括共模电位取出电路和误差运放。本发明专利技术通过同相和正交两路混频输出信号以电流方式在共用负载电路上进行叠加,产生高镜象抑制度的单边带射频信号,通过输出共模反馈电路控制输出差分信号的直流工作点,使得本模块易于和射频发射机前端模块进行接口。本发明专利技术高线性度、低功耗、低噪声、高镜象抑制,结构简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种射频集成电路,尤其涉及一种正交调制器射频集成电路。
技术介绍
射频集成电路广泛应用于各个领域如工业控制、军事技术、消费电子、汽车电子等,而互联网技术已非常普及,根据人们日常生活和工作的需要,无线网络的应用越来越受到大家的关注,无线局域网WLAN的相关技术正日新月异的发展,而WLAN的硬件技术主要体现在射频收发机上,其中所用的正交调制技术就是一项极具挑战性的研究。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是在一定的系统功耗制约下,采用一种高线性度的电路结构来实现WLAN射频发射机中所用的正交调制器。该电路采用一定的集成电路工艺(中芯国际0.18um RF CMOS工艺)实现。本专利技术正交调制器射频集成电路,其特征在于包括高线性度混频器核、共用负载电路、前置四分频器模块和共模反馈电路,其中混频器核是整个电路的核心,采用一种新型的结构来提升系统的变频线性度;前置四分频器主要产生严格的正交差分本振信号;共模反馈电路包括共模电位取出电路和误差运放。本专利技术通过同相和正交两路混频输出信号以电流方式在共用负载电路上进行叠加,产生高镜象抑制度的单边带射频信号,通过输出共模反馈电路控制输出差分信号的直流工作点,使得本模块易于和射频发射机前端模块进行接口。本专利技术把基带信号(带宽IOMHz)通过正交调制变频到IGHz载频附近,其中由于所适用的WLAN系统在基带采用OFDM的数字调制技术,对射频发射机的线性度要求较高,因此本专利技术提出一种新型电路结构能达到较高的线性度,在满足WLAN系统要求的基础上也保留了足够的裕量。附图说明图1:本专利技术结构框 图2:本专利技术电路原理 图3:本专利技术芯片版图。具体工作方式 如图1所示。一种正交调制器射频集成电路,其特征在于包括高线性度混频器核、共用负载电路、前置四分频器模块和共模反馈电路,其中混频器核是整个电路的核心,采用一种新型的结构来提升系统的变频线性度;前置四分频器主要产生严格的正交差分本振信号;共模反馈电路包括共模电位取出电路和误差运放。本专利技术通过同相和正交两路混频输出信号以电流方式在共用负载电路上进行叠加,产生高镜象抑制度的单边带射频信号,通过输出共模反馈电路控制输出差分信号的直流工作点,使得本模块易于和射频发射机前端模块进行接口。先介绍本专利技术的调制器模块的输入输出接口,参考图1和图2所示, 传统的调制器以吉尔伯特单元为核心,输入加以预处理电路来提高线性度。但这样的结构过于复杂,且对线性度的改善也非常有限。如果在此基础上再加上电流注入等技术会进一步扩大电路的规模,另一方面功耗也会成为问题。本设计中采用了一种新型的电路结构来完成调制。如图2所示,这种结构充分利用了 MOS器件的平方律特性和交叉耦合的概念,其中,PMOS管MfM8构成输入级,将输入信号分别跟随到M1I4的源级,这样的输入级电路可以有效地避免M1I4源级的低输入阻抗对输入信号产生的负载效应。这样可以等效地认为本振信号和基带输入信号分别加在了 M^M4的栅极和源级,假使 它们都能工作在饱和区,那么根据MOS管的跨导特性,会在它们的漏级产生一组电流,如式(I)所示,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正交调制器射频集成电路,其特征在于包括高线性度混频器核、共用负载电路、前置四分频器模块和共模反馈电路,其中混频器核是整个电路的核心,采用一种新型的电路结构来提升系统的变频线性度;前置四分频器主要产生严格的正交差分本振信号;共模反馈电路包括共模电位取出电路和误差运放。

【技术特征摘要】
1.一种正交调制器射频集成电路,其特征在于包括高线性度混频器核、共用负载电路、前置四分频器模块和共模反馈电路,其中混频器核是整个电路的核心,采用一种新型的电路结构来提升系统的变频线性度;前置四分频器主要产生严格的正交差分本振信号;共模反馈电路包括共模电位取出电路和误差运放。2.本发明通过同相和正交两路混频输出信号以电流方式在共用负载电路上进行叠加,产生高镜象抑制度的单边带射频信号,通过输出共模反馈电路控制输出差分信号的直流工作点,使得本模块易于和射频发射机前端模块进行接口。3.根据权利要求1所述的正交调制器射频芯片,其特征在于所述高线性度混频器核包括同相支路和正交支路,以同相支路为例,它包括M1I8共8只MOS场效应晶体管,其中M1I4为N型MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员:李奚鹏
申请(专利权)人:苏州朗宽电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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