谐振器和滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种谐振器，该谐振器包括：基底；下电极层，位于基底上方；压电层，下电极层整体或部分位于压电层下方；上电极层，位于压电层上方；连接结构，位于谐振器的有效区域外，并且与下电极层和/或上电极层电接触。本发明专利技术通过增加连接结构，连接结构与至少一个电极层连接，能够有效降低谐振器的输入阻抗，从而有效提高谐振器和滤波器的性能(避免谐振器的Q值下降)，并且连接结构位于在谐振器的有效区域之外，因此不会影响谐振器的正常工作。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种谐振器，其特征在于，包括：基底；下电极层，位于所述基底上方；压电层，所述下电极层整体或部分位于所述压电层下方；上电极层，位于所述压电层上方；连接结构，位于所述谐振器的有效区域外，并且与所述下电极层和/或所述上电极层电接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，张孟伦，张浩，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：