【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种固体激光泵浦源的半导体激光器的封装方法，尤其是。
技术介绍
在现有技术中，作为固体激光泵浦源的半导体激光器通常为每个芯片由多个二极管发光单元组成的线阵结构，称为bar条。为了提高泵浦功率，侧面泵浦的固体激光模块所需的二极管激光阵列通常采用多个bar条通过水平封装解决其泵浦功率问题。一般采用的结构是每个bar条对应一个微通道冷却器,微通道冷却器作为bar条正极,然后采用机械结构把每个单元安装到一个基座上呈线性排布，电连接采用机械串联结构。这种结构散热较好，但电极与冷却水连同，对冷却水的要求非常苛刻，不利于工业应用，环境适应性较差。另一种采用水电隔离的结构，比如，美国CEO公司的水平线阵二极管激光器阵列产品虽然解决了水电隔离的技术问题，但芯片安装面与冷却器散热面成垂直结构，散热效果不理想，单个芯片连续输出功率必须小于20W。因此在实际应用中，高效散热和水电隔离一直是大功率半导体激光器封装需要解决的关键技术。
技术实现思路
本专利技术的目的，就是针对现有技术所存在的不足，而提供的技术方案，该方案能够满足半导体激光器阵在实现水电隔离的情况下达到高效散热的要求，扩展了了半导体激光器的应用领域，提高了运行可靠性和寿命。本方案是通过如下技术措施来实现的:，包括以下步骤: a.在冷却器上焊接高热导率绝缘陶瓷材料； b.在绝缘陶瓷上制备电极图层和焊料； c.给冷却器焊料和半导体激光器芯片升温使焊料融化，然后降温将多组半导体激光器芯片一次性焊接到冷却器上； d.在冷却器上安装引出电极和专用漫反射组件； e.通过金丝或金带压焊电极引线，完成半导体激...
【技术保护点】
一种水电绝缘的半导体激光器线阵的封装方法，其特征是包括以下步骤：a.?在冷却器（7）上焊接高热导率绝缘陶瓷（6）；b.?在绝缘陶瓷（6）上制备电极图层（5）和焊料（4）；c.?给冷却器上（7）的焊料（4）和半导体激光器芯片（3）升温使焊料（4）融化，然后降温将多组半导体激光器芯（3）片一次性焊接到冷却器（7）上；d.?在冷却器（7）上安装引出电极和漫反射组件（1）；e.?通过金丝或金带（2）压焊电极引线，完成半导体激光器阵列的封装。
【技术特征摘要】
1.一种水电绝缘的半导体激光器线阵的封装方法，其特征是包括以下步骤: a.在冷却器(7)上焊接高热导率绝缘陶瓷(6)； b.在绝缘陶瓷(6)上制备电极图层(5)和焊料(4); c.给冷却器上(7)的焊料(4)和半导体激光器芯片(3)升温使焊料(4)融化，然后降温将多组半导体激光器芯(3)片一次性焊接到冷却器(7)上； d.在冷却器(7)上安装弓I出电极和漫反射组件(I); e.通过金丝或金带(2)压焊电极引线，完成半导体激光器阵列...
【专利技术属性】
技术研发人员：高松信，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院应用电子学研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。