波导、包含波导的转接板型基板、模块和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了波导、包含波导的转接板型基板、模块和电子装置。所述波导包括：波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部并且转换所述信号。根据本发明专利技术，在抑制了制造成本的同时还能够抑制阻抗失配从而降低电信号的反射损耗。

【技术实现步骤摘要】
波导、包含波导的转接板型基板、模块和电子装置相关申请的交叉参考本申请包含与2011年12月14日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2011-273547所公开的内容相关的主题，因此将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。
本专利技术涉及在传输线之间传送信号的波导，还涉及包含该波导的转接板型基板(interposersubstrate)、模块和电子装置。
技术介绍
作为在将具有微小焊盘节距的大规模集成(LargeScaleIntegration：LSI)芯片安装到具有宽节距的安装基板上时要使用的技术，利用被称为转接板的中继板(relayboard)的安装技术是公知的。尽管在许多情况下转接板是由诸如树脂和陶瓷等电介质制成的，但是目前硅转接板受到了关注，该硅转接板通过使用硅基板以及允许进行微加工的半导体工艺而能够应对更微小的节距。在上述硅转接板中，硅基板的前表面和后表面利用被称为贯穿硅通路(ThroughSiliconVia：TSV)的贯穿电极而相互电连接。因此，信号从硅基板的前表面传送至后表面。然而，该硅转接板具有如下缺点：在毫米波段和超出毫米波段的高频率区域中，回波损耗(或反射损耗)由于该基板的前表面上的传输线与上述TSV之间的阻抗失配而增大。作为消除上述这个缺点的措施之一，曾提出了一种同轴TSV，其通过在硅基板的垂直方向上形成同轴形式来实现与表面配线的阻抗匹配(例如参见SoonWeeHoetal.，IEEEElectronicComponentsandTechnologyConference(ECTC)，2008)。
技术实现思路
然而，上述措施存在着如下缺点：不可避免地要研发专用的特殊工艺或新型材料，因此硅转接板的制造成本增加。因此，期望提供一种能够在抑制制造成本的同时还抑制阻抗失配从而降低电信号的反射损耗的波导，并且期望提供包含这种波导的转接板型基板、模块和电子装置。本专利技术实施例的波导包括：波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。本专利技术实施例的转接板型基板设置有绝缘性基板和设置于所述绝缘性基板内的波导。所述波导包括：波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。本专利技术实施例的模块设置有转接板型基板和半导体芯片，其中，所述转接板型基板在绝缘性基板内设置有波导，并且所述半导体芯片安装于所述转接板型基板上。所述波导包括：波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。本专利技术实施例的电子装置设置有转接板型基板、半导体芯片和安装基板，其中，所述转接板型基板在绝缘性基板内设置有波导，所述半导体芯片安装于所述转接板型基板上，并且所述安装基板与所述转接板型基板电连接。所述波导包括：波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。在根据本专利技术上述各实施例的所述波导、包含所述波导的所述转接板型基板、所述模块和所述电子装置中，所述波导部的彼此相对的所述第一表面和所述第二表面中的所述第一表面设置有所述第一传输线，并且所述第二表面设置有所述第二传输线，所述第一传输线具有将所述信号输入至所述波导部中并且转换所述信号的所述转换结构。因此，减少了阻抗失配。根据本专利技术上述各实施例的所述波导、包含所述波导的所述转接板型基板、所述模块和所述电子装置，所述第一传输线和所述第二传输线分别设置于所述波导部的所述第一表面和所述第二表面上，并且所述转换结构被设置用来把来自所述第一传输线的所述信号输入至所述波导部并且转换所述信号。因此，能够抑制阻抗失配，并且由此减少电信号的反射损耗。需要理解的是，前面的一般说明和下面的详细说明都是示例性的，并且均旨在为本专利技术要求保护的技术提供进一步的解释。附图说明这里所包括的附图提供了对本专利技术的进一步理解，这些附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例，并且与本说明书一起用来解释本专利技术的原理。图1A和图1B是图示了本专利技术第一实施例的波导的示例的透视图和截面图。图2的(A)至(C)是图示了本专利技术第二实施例的波导的示例的平面图和剖面图。图3是图示了模块的构造示例的剖面图，所述模块包括含有如图1A和图1B所示的波导或如图2中所示的波导的转接板型基板。图4是图示了根据模块的应用例的电子装置的功能示例的框图。具体实施方式接下来，将参照附图来详细说明本专利技术的优选实施例。需要注意的是，说明是按照如下顺序进行的。1、第一实施例(包含使用贯穿电极作为转换结构的波导部的转接板型基板)2、第二实施例(包含使用锥形微带(taperedmicrostrip)作为转换结构的波导部的转接板型基板)3、应用例(模块的示例和电子装置的示例)1、第一实施例转接板型基板1A的构造图1A是本专利技术第一实施例的包含波导10的转接板型基板1A的示例的透视图。图1B图示了沿着图1A中的点划线I-I截取的转接板型基板1A的截面构造的示例。转接板型基板1A是如下类型的基板：使用波导部11作为传输路径(波导10)，信号沿着该传输路径从配线层14A(第一传输线)传送至配线层14B(第二传输线)，配线层14A布置于基板2的前表面上并且在配线层14A与基板2的前表面之间夹着电介质膜16A，配线层14B布置于基板2的后表面上并且在配线层14B与基板2的后表面之间夹着电介质膜16B。波导部11包括：基板2；一对导电膜12A和12B，这对导电膜12A和12B分别在基板2的前表面和后表面的至少一部分上彼此相对地布置着；以及多个导电柱13，这些导电柱13将导电膜12A和导电膜12B电连接在一起。第一实施例的波导部11是通常被称为基板集成波导(SubstrateIntegratedWaveguide：SIW)的波导部，并且上述那些柱13如图1A所示按照用作反射表面的伪壁(falsewall)的形式规则地布置着，波导部11由此起到矩形波导的作用。为了符合稍后说明的半导体芯片30的材料，优选使用例如电阻率为大约1000Ω·cm以上的高电阻硅(Si)基板或者厚度在从大约50μm到大约400μm(包含两端点)范围内的碳化硅(SiC)基板作为基板2。这是因为基板2的热膨胀系数与半导体芯片30的热膨胀系数变得几乎彼此相等，于是通过使用与半导体芯片30的材料相同的材料(或相似的材料)增大了将半导体芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种波导，所述波导包括：波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号。

【技术特征摘要】
2011.12.14 JP 2011-2735471.一种波导，所述波导包括：波导部，所述波导部包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一传输线，所述第一传输线设置于所述波导部的所述第一表面上；第二传输线，所述第二传输线设置于所述波导部的所述第二表面上；以及第一转换结构，所述第一转换结构将信号从所述第一传输线输入至所述波导部，并且转换所述信号，其中，所述第一转换结构包括第一锥形微带，其中，所述波导部包括彼此相对的一对导电膜且包括一对导体壁，所述一对导体壁在所述一对导体膜之间彼此相对地布置着，所述一对导电膜包括布置于所述第一表面上的第一导电膜和布置于所述第二表面上的第二导电膜，所述第一导电膜通过所述第一锥形微带与所述第一传输线连接。2.根据权利要求1所述的波导，还包括第二转换结构，所述第二转换结构将所述信号从所述波导部输出至所述第二传输线，并且转换所述信号。3.根据权利要求1或2所述的波导，其中所述第一传输线...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛田伸也，池田浩一，秋叶朗，桥本光生，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：