半导体封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种半导体封装结构，包括一绝缘基板、一图案化导电层、一发光二极体晶片及一导电连接件。绝缘基板具有一区分为一元件配置区与一元件接合区的上表面。图案化导电层包括多条位于元件配置区内的线路与至少一位于元件接合区内的接垫。发光二极体晶片覆晶接合于图案化导电层上且与线路电性连接。导电连接件具有一与接垫电性连接的第一端点及一与一外部电路电性连接的第二端点。发光二极体晶片于图案化导电层上的正投影为一矩形，而接垫与矩形的一角落对应设置。角落的一顶点至导电连接件之第一端点之间的水平距离大于等于30微米。本发明专利技术提供的整体半导体封装结构具有较佳的出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件，且特别是涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
晶片封装的目的在于保护裸露的晶片、降低晶片接点的密度及提供晶片良好的散热。常见的封装方法是晶片通过打线(wire bonding)或覆晶接合(flip chip bonding)等方式而安装至一封装载板，以使晶片上的接点可电性连接至封装载板。因此，晶片的接点分布可藉由封装载板重新配置，以符合下一层级的外部元件的接点分布。然而，目前将适于采用覆晶接合的封装载板直接转换成适于打线接合的封装载板时，焊线接垫的位置是邻近于晶片的侧表面。也就是说，若晶片为发光二极体晶片时，焊线接垫的位置是邻近晶片的发光面。如此一来，当焊线设置于焊线接垫上时，焊线会吸收发光二极体所发出的光，进而降低整体封装结构的发光效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体封装结构，具有较佳的出光效率。本专利技术提出一种半导体封装结构，其包括一绝缘基板、一图案化导电层、一发光二极体晶片以及一导电连接件。绝缘基板具有一上表面，其中上表面区分为一元件配置区与一位于元件配置区外侧的元件接合区。图案化导电层配置于绝缘基板上，且包括多条线路与至少一接垫，其中线路位于元件配置区内，而接垫位于元件接合区内。发光二极体晶片覆晶接合于图案化导电层上，且位于元件配置区，其中发光二极体晶片与线路电性连接。导电连接件配置于图案化导电层上，且位于元件接合区。导电连接件具有一第一端点与一第二端点，其中第一端点与接垫电性连接，而第二端点与一外部电路电性连接。发光二极体晶片于图案化导电层上的正投影为一矩形，而接垫与矩形的一角落对应设置，且角落的一顶点至导电连接件之第一端点之间的水平距离大于等于30微米。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基板为一透明绝缘基板。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极体晶片包括一晶片基板、一半导体层以及多个接点。半导体层位于晶片基板与接点之间，而接点连接图案化导电层。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极体晶片还包括一反射层，配置于半导体层与接点之间。在本专利技术的一实施例中，上述的角落的顶点至导电连接件的第一端点之间的水平距离小于等于I毫米(mm)。在本专利技术的一实施例中，上述的导电连接件包括一焊线或一电线。在本专利技术的一实施例中，上述的外部电路包括一导线架、一线路基板或一印刷电路板。在本专利技术的一实施例中，上述的图案化导电层位于绝缘基板的上表面上。在本专利技术的一实施例中，上述的图案化导电层内埋于绝缘基板的上表面，且图案化导电层的一表面与绝缘基板的上表面平齐。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体封装结构还包括一保护层，配置于图案化导电层上，且覆盖部分接垫与部分上表面。在本专利技术的一实施例中，上述的接垫与线路之一电性连接。基于上述，本专利技术的接垫是与发光二极体晶片在图案化导电层上的正投影(即为矩形)的一角落对应设置，且角落的顶点至导电连接件的端点之间的水平距离大于等于30微米。换言之，发光二极体晶片与导电连接件之间相隔有一定距离，且接垫的位置是在发光二极体晶片出光强度相对弱的地方，因此可降低导电连接件吸收发光二极体晶片所发出的光的可能性，可使得本专利技术的整体半导体封装结构能具有较佳的出光效率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A为本专利技术的一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。图1B为图1A的发光二极体晶片、接垫及导电连接件三者之间相对关系的俯视示意图。图2为本专利技术的另一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。图3为本专利技术的另一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。图4为本专利技术的另一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。附图说明:100a、100b、100c、IOOd:半导体封装结构110:绝缘基板112:上表面113:元件配置区115:元件接合区120a、120b:图案化导电层121:表面122a、122b:线路124a、124b:接垫130a、130b:发光二极体晶片132:晶片基板134:半导体层134a:N型掺杂层134b:发光层134c:P型掺杂层136、138:接点139:反射层140:导电连接件142:第一端点144:第二端点150:外部电路160:保护层C:角落Cl:顶点R:水平距离具体实施例方式图1A为本专利技术的一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。图1B为图1A的发光二极体晶片、接垫及导电连接件三者之间相对关系的俯视示意图。请同时参考图1A与图1B，在本实施例中，半导体封装结构IOOa包括一绝缘基板110、一图案化导电层120a、一发光二极体晶片130a以及一导电连接件140。详细来说，绝缘基板110具有一上表面112，其中上表面112可区分为一元件配置区113与一位于元件配置区113外侧的元件接合区115。图案化导电层120a配置于绝缘基板110上，且位于上表面112上。图案化导电层120a包括多条线路122a与至少一接垫124a (图1A与图1B中仅示意地示出一个)，其中线路122a位于元件配置区113内，而接垫124a位于元件接合区115内，且接垫124a与线路122a之一相连接。发光二极体晶片130a覆晶接合于图案化导电层120a上，且位于元件配置区113，其中发光二极体晶片130a与线路122a电性连接。更具体来说，发光二极体晶片130a包括一晶片基板132、一半导体层134以及多个接点136、138，其中半导体层134位于晶片基板132与接点136、138之间，而接点136、138连接图案化导电层120a。此外，半导体层134包括一 N型掺杂层134a、一发光层134b以及一 P型掺杂层134c。发光层134b位于N型掺杂层134a与P型掺杂层134c之间，而接点136、138则分别与N型掺杂层134b与P型掺杂层134c电性连接。值得一提的是，为了增加光取出效率，必须避免发光二极体晶片130a的发光层134b所发出的光线被绝缘基板110吸收，因此绝缘基板110可例如是一透明绝缘基板，透明绝缘基板的材料包括氮化铝或蓝宝石。导电连接件140配置于图案化导电层120a上，且位于元件接合区115。导电连接件140具有一第一端点142与一第二端点144，其中第一端点142与接垫124a电性连接，而第二端点144与一外部电路150电性连接。于此，导电连接件140例如是一焊线或一电线，而外部电路150例如是一导线架、一线路基板或一印刷电路板。特别是，本实施例的发光二极体晶片130a于图案化导电层120a上的正投影为一矩形，而接垫124a与矩形的一角落C对应设置，且角落C的一顶点Cl至导电连接件140的第一端点142之间的水平距离R大于等于30微米。换言之，以角落C的顶点Cl为圆心，且以水平距离R为半径所围出的3/4圆形的轮廓上皆可设置导电连接件140。较佳地，角落C的顶点Cl至导电连接件140的第一端点142之间的水平距离R小于等于I毫米(mm)。需说明的是，虽然于图1B中所示出的接垫124a的外型实质上为矩形，但于其他未示出的实施例中，接垫124a的外型亦可为圆形或其他适当的多边形，在此并不加以限制。由于本实施例的接垫124a是与发光二极体晶片130a在图案化导电层120a上的正投影(即为矩形)的一个角落C对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，包括：一绝缘基板，具有一上表面，其中该上表面区分为一元件配置区与一位于该元件配置区外侧的元件接合区；一图案化导电层，配置于该绝缘基板上，且包括多条线路与至少一接垫，其中所述线路位于该元件配置区内，而该接垫位于该元件接合区内；一发光二极体晶片，覆晶接合于该图案化导电层上，且位于该元件配置区，其中该发光二极体晶片与所述线路电性连接；以及一导电连接件，配置于该图案化导电层上，且位于该元件接合区，该导电连接件具有一第一端点与一第二端点，该第一端点与该接垫电性连接，而该第二端点与一外部电路电性连接，其中该发光二极体晶片于该图案化导电层上的正投影为一矩形，而该接垫与该矩形的一角落对应设置，且该角落的一顶点至该导电连接件的该第一端点之间的水平距离大于等于30微米。

【技术特征摘要】
2011.12.16 TW 1001469001.一种半导体封装结构,包括: 一绝缘基板，具有一上表面，其中该上表面区分为一元件配置区与一位于该元件配置区外侧的元件接合区； 一图案化导电层，配置于该绝缘基板上，且包括多条线路与至少一接垫，其中所述线路位于该元件配置区内，而该接垫位于该元件接合区内； 一发光二极体晶片，覆晶接合于该图案化导电层上，且位于该元件配置区，其中该发光二极体晶片与所述线路电性连接；以及 一导电连接件，配置于该图案化导电层上，且位于该元件接合区，该导电连接件具有一第一端点与一第二端点，该第一端点与该接垫电性连接，而该第二端点与一外部电路电性连接，其中该发光二极体晶片于该图案化导电层上的正投影为一矩形，而该接垫与该矩形的一角落对应设置，且该角落的一顶点至该导电连接件的该第一端点之间的水平距离大于等于30微米。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中该绝缘基板为一透明绝缘基板。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中该发光二极体...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏柏仁，吴志凌，黄逸儒，施怡如，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：