一种延时复位电路及采用该电路的便携式终端制造技术

本实用新型专利技术适用于电子电路领域，提供了一种延时复位电路及采用该电路的便携式终端。在本实用新型专利技术中，通过按键开关以及延时控制电路配合，通过采用便携式终端上已经具有的一些操作键，利用这些键中的任一个或多个按键组合进行长时间按下操作，配合本电路，在系统死机时，可实现延时复位功能。不仅可以实现复位，而且用户操作较简单，用户体验较好。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子电路领域，尤其涉及一种延时复位电路及采用该电路的便携式终端。
技术介绍
随着便携式终端的功能越来越强大，其软件也日益复杂，从而便携式终端的死机也成为不可避免的问题。为了解决便携终端的死机问题，除了将软件设计得尽量完善外，在硬件上往往采取两种措施:1、设计单独的复位键，其做法是:在外壳上开孔，当死机出现时，使用细长棒状物通过外壳的小孔触发复位键；2、电池设计为可拆卸，出现死机时，拆掉电池即可。对于上述两种方式来说，现在不少便携式终端的电池设计为不可拆卸(为降低成本及减小厚度)，而用户对使用细棒触发复位键的方式也难以接受。这样，就导致用户操作较麻烦并且用户体验较差。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术的目的在于提供一种延时复位电路。本技术是这样实现的，一种延时复位电路，所述延时复位电路包括:一端接第一电源的第一电阻，所述第一电阻的另一端接第一MOS管、第三MOS管的栅极以及第一按键开关的一端，所述第一 MOS管的漏极通过第二电阻接第二电源，所述第一 MOS管的源极连接到延时控制电路/电容的一端，所述延时控制电路/电容的这一端还连接到第三MOS管的漏极以及第二 MOS管的栅极，所述第三MOS管的源极通过第四电阻接地，所述第二 MOS管的漏极通过第三电阻接第二电源并且通过第二 MOS管的漏极输出复位信号，所述第一按键开关的另一端、延时控制电路/电容的另一端、第二 MOS管的源极均接地。进一步地，在所述第二电阻与第二电源之间还连接有第二按键开关。进一步地，在所述延时控制电路/电容的另一端与地之间还连接了第三按键开关。进一步地，在所述第二电阻与第二电源之间还连接有第二按键开关。进一步地，第一 MOS管和第二 MOS管的控制方式相同，第一 MOS管与第三MOS管的控制方式相反。进一步地，所述第一 MOS管，第二 MOS管采用PMOS管，所述第三MOS管采用NMOS管。本技术的另一目的在于提供一种便携式终端，所述便携式终端采用权利要求1-6中任一项所述的延时复位电路。在本技术中，通过按键开关以及延时控制电路配合，通过采用便携式终端上已经具有的一些操作键，利用这些键中的任一个或多个按键组合进行长时间按下操作，配合本电路，在系统死机时，可实现延时复位功能。不仅可以实现复位，而且用户操作较简单， 用户体验较好。附图说明图1是本技术第一实施例提供的单按键开关的延时复位电路的电路图；图2是本技术第二实施例提供的单按键开关的延时复位电路的电路图；图3是本技术第三实施例提供的双按键开关的延时复位电路的电路图；图4是本技术第四实施例提供的双按键开关的延时复位电路的电路图；图5是本技术第五实施例提供的双按键开关的延时复位电路的电路图；图6是本技术第六实施例提供的双按键开关的延时复位电路的电路图；图7是本技术第七实施例提供的三按键开关的延时复位电路的电路图；图8是本技术第八实施例提供的三按键开关的延时复位电路的电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。参阅图1，2，示出了本技术第一、二实施例提供的单按键开关的延时复位电路的电路。该延时复位电路包括:一端接第一电源(图中的VBAT1)的第一电阻(Rl)，所述第一电阻(Rl)的另一端接第一MOS管(Tl)、第三MOS管(T3)的栅极以及第一按键开关(K)的一端。所述第一 MOS管(Tl)的漏极通过第二电阻(R2)接第二电源(VBAT2)，所述第一 MOS管(Tl)的源极连接到延时控制电路/电容(Cl)的一端。所述延时控制电路/电容(Cl)的这一端还连接到第三MOS管(T3)的漏极以及第二 MOS管(T2)的栅极，所述第三MOS管(T3)的源极通过第四电阻(R4)接地。所述第二 MOS管(T2)的漏极通过第三电阻(R3)接第二电源(VBAT2)并且通过第二 MOS管(T2)的漏极输出复位信号。所述第一按键开关(K)的另一端、延时控制电路/电容(Cl)的另一端、第二 MOS管(T2)的源极均接地。对于第一实施例(图1)、第二实施例(图2)而言，其均通过单个的第一按键开关(K)来控制进行延时复位。这两个实施例的主要区别在于，在第一实施例中，第一 MOS管(Tl)的源极接延迟控制电路，延迟控制电路还与第三MOS管(T3)的漏极相连；在第二实施例中，第一 MOS管(Tl)的源极接电容(Cl)以及第三MOS管(T3)的漏极。在第一实施例、第二实施例中，第一 MOS管(Tl)和第二 MOS管(T2)的控制方式相同，第一 MOS管(Tl)与第三MOS管(T3)的控制方式相反，例如Tl，T2可以采用PMOS管，T3采用NMOS。当无键按下时，第一 MOS管(Tl)处于关闭状态，第三MOS管(T3)处于打开状态，第二 MOS管(T2)处于关闭状态，此时，复位信号RESET无效。第一按键开关(K)被按下时间大于等于设定时间时(延时控制电路设计时间)，第一 MOS管(Tl)处于打开状态，第三MOS管(T3)关闭，延时控制电路启动，延时时间等于延时控制电路的设计值时，输出控制信号使第二 MOS管(T2)打开，从而复位信号RESET有效。若第一按键开关(K)按下时间小于设计时间(延时控制电路设计时间)，则第一 MOS管(Tl)打开，第三MOS管(T3)关闭。延时时间小于等于延时控制电路设计值时，不能输出控制信号，第二MOS管(T2)关闭，复位信号RESET无效，第一按键开关(K)释放时，T3打开，延迟电路被清O。参阅图3、5，图3、5是本技术第三、五实施例提供的双按键开关的延时复位电路的电路图，其与图1的主要区别在于其增加了一个按键开关(分别为第三按键开关KT2、第二按键开关KT1)。对于图3而言，在所述延时控制电路/电容的另一端与地之间还连接了第三按键开关(KT2)。对于图5而言，在所述第二电阻(R2)与第二电源(VBAT2)之间还连接有第二按键开关(KTl)。这样，就可以通过2个按键开关来控制发出有效的复位信号，从而避免了单一的按键开关可能导致的错误。参阅图4、6，图4、6是本技术第四、六实施例提供的双按键开关的延时复位电路的电路图，其与图3、5中的第三、五实施例的主要区别在于采用电容替代了延迟控制电路。参阅图7-8，图7、8是本技术第七、八实施例提供的三按键开关的延时复位电路的电路图，其与图5、6的第五、六实施例的主要区别在于，其在使用了第一按键开关(K)、第二按键开关(KTl)的基础上再增加了一个第三按键开关(KT2)。从而用户操控时，需要长按三个按键开关，才能发出有效的复位信号。对于多个按键开关操作时，第一 MOS管(Tl)和第二 MOS管(T2)的控制方式相同，第一 MOS管(Tl)与第三MOS管(T3)的控制方式相反，例如T1，T2为PM0S，T3为NM0S。在无键按下时，Tl关闭，T3打开，T2关闭，此时，复位信号RESET无效。按下K以及按下KTl和/或KT2 (对于图3-6按下2个，对于图7-8按下3个)，且按下时间大于等于设计时间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种延时复位电路，其特征在于，所述延时复位电路包括：一端接第一电源的第一电阻，所述第一电阻的另一端接第一MOS管、第三MOS管的栅极以及第一按键开关的一端，所述第一MOS管的漏极通过第二电阻接第二电源，所述第一MOS管的源极连接到延时控制电路/电容的一端，所述延时控制电路/电容的这一端还连接到第三MOS管的漏极以及第二MOS管的栅极，所述第三MOS管的源极通过第四电阻接地，所述第二MOS管的漏极通过第三电阻接第二电源并且通过第二MOS管的漏极输出复位信号，所述第一按键开关的另一端、延时控制电路/电容的另一端、第二MOS管的源极均接地。

【技术特征摘要】
1.一种延时复位电路，其特征在于，所述延时复位电路包括:一端接第一电源的第一电阻，所述第一电阻的另一端接第一 MOS管、第三MOS管的栅极以及第一按键开关的一端，所述第一 MOS管的漏极通过第二电阻接第二电源，所述第一 MOS管的源极连接到延时控制电路/电容的一端，所述延时控制电路/电容的这一端还连接到第三MOS管的漏极以及第二MOS管的栅极，所述第三MOS管的源极通过第四电阻接地，所述第二 MOS管的漏极通过第三电阻接第二电源并且通过第二 MOS管的漏极输出复位信号，所述第一按键开关的另一端、延时控制电路/电容的另一端、第二 MOS管的源极均接地。2.根据权利要求1所述的延时复位电路，其特征在于，在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜再寒，
申请(专利权)人：深圳市中兴移动通信有限公司，
类型：实用新型
国别省市：