一种高频微带基片式隔离器制造技术

技术编号:8823900 阅读:200 留言:0更新日期:2013-06-14 18:40
本实用新型专利技术公开一种高频微带基片式隔离器,包括底座、饱和磁矩为5000Gs的尖晶石铁氧体基片、电阻膜层、微带电路和永磁体,所述尖晶石铁氧体基片的上表面设置有电阻膜层和微带电路,所述微带电路的一只引脚与电阻膜层连接,所述微带电路上设置有永磁体,所述尖晶石铁氧体基片固定在底座上,所述尖晶石铁氧体基片的厚度为0.28-0.32mm;本实用新型专利技术所述的高频微带基片式隔离器,其结构简单、体积小、重量轻,适用于表面贴装和微电路集成,并且频率范围较高。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种隔离器,尤其涉及一种高频微带基片式隔离器,属于微波通信领域。
技术介绍
随着微波通讯的迅速发展,微波电子设备的应用日趋广泛,整机性能也有很大的提高,对其中的铁氧体隔离器指标也提出了更高的要求,嵌入式隔离器已经基本不能满足许多系统贴片的需求,而现有的贴片式隔离器由于工作频率范围较低,不能满足高频范围的需要。
技术实现思路
技术目的:本技术的目的在于针对现有技术的不足,提供一种高频微带基片式隔离器,其结构简单,适用于表面贴装和微电路集成,并且满足较高频率范围的工作要求。技术方案:本技术所述的一种高频微带基片式隔离器,包括底座、饱和磁矩为5000Gs的尖晶石铁氧体基片、电阻I旲层、微带电路和永磁体,所述尖晶石铁氧体基片的上表面设置有电阻膜层和微带电路,所述微带电路的一只引脚与电阻膜层连接,电阻膜层用来吸收微波信号,所述微带电路上设置有永磁体,所述尖晶石铁氧体基片固定在底座上,所述尖晶石铁氧体基片的厚度为0.28-0.32mm。进一步地,所述微带电路通过光刻技术电镀在所述微波铁氧体基片上表面。进一步地,所述电阻膜层采用薄膜工艺设置在所述尖晶石铁氧体基片上,使其能更好的吸收微波信号。进一步地,所述永磁体为钐钴永磁体,所述底座由磁性金属材料加工制成,优选为铁或铁的合金。进一步地,所述尖晶石铁氧体基片的厚度优选为为0.3mm。上述技术方案保证永磁体纵向磁化尖晶石铁氧体基片,尖晶石铁氧体基片边缘磁化均匀,接地良好,并且由于底座与尖晶石铁氧体基片的热膨胀系数相当,能够在焊接时保护尖晶石铁氧体基片,降低了由于焊接而导致尖晶石铁氧体基片开裂的风险,提高了产品的可靠性。同时,所述尖晶石铁氧体基片上表面采取抛光处理,利用化学方法去油污以及杂质粒子,物理方法对表面进行活化、去除吸附,保证电路膜层的附着力。上述高频微带基片式隔离器适用于表面贴装技术,并通过金丝键合技术与微波电路相连接。本技术与现有技术相比,其有益效果是:本技术所述的高频微带基片式隔离器,其结构简单、体积小、重量轻,适用于表面贴装和微电路集成,并且频率范围较高。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为本技术组装后的示意图。具体实施方式下面对本技术技术方案进行详细说明,但是本技术的保护范围不局限于所述实施例。如图1和2所示,一种高频微带基片式隔离器,包括铁镍合金底座1、饱和磁矩为5000GS的尖晶石铁氧体基片4、电阻膜层2、微带电路3和钐钴永磁体5,所述微带电路3通过光刻技术电镀在所述尖晶石铁氧体基片4上表面,所述电阻膜层2采用薄膜工艺设置在所述尖晶石铁氧体基片4上表面,所述微带电路3的一只引脚与电阻膜层2连接,所述钐钴永磁体5通过环氧树脂胶合在微带电路3上,所述钐钴永磁体5的中心轴线与微带电路3的圆盘的中心轴线相重叠,所述尖晶石铁氧体基片4通过焊锡膏焊接在铁镍合金底座I上,所述尖晶石铁氧体基片4的厚度为0.28-0.32_。所述饱和磁矩为5000GS的尖晶石铁氧体基片4居里温度高,温度稳定性好,同时减薄基片的厚度能够使隔离器在高频范围内工作。所述高频微带基片式隔离器适用于表面贴装技术,并通过金丝键合技术与微波电路相连接。上述隔离器的主要技术指标如下表:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频微带基片式隔离器,其特征在于,包括底座、饱和磁矩为5000Gs的尖晶石铁氧体基片、电阻膜层、微带电路和永磁体,所述尖晶石铁氧体基片的上表面设置有电阻膜层和微带电路,所述微带电路的一只引脚与电阻膜层连接,所述微带电路上设置有永磁体,所述尖晶石铁氧体基片固定在底座上,所述尖晶石铁氧体基片的厚度为0.28?0.32mm。

【技术特征摘要】
1.一种高频微带基片式隔离器,其特征在于,包括底座、饱和磁矩为5000GS的尖晶石铁氧体基片、电阻膜层、微带电路和永磁体,所述尖晶石铁氧体基片的上表面设置有电阻膜层和微带电路,所述微带电路的一只引脚与电阻膜层连接,所述微带电路上设置有永磁体,所述尖晶石铁氧体基片固定在底座上,所述尖晶石铁氧体基片的厚度为0.28-0.32mm。2.根据权利要求1所述的高频微带基片式隔离器,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘旷希唐正龙
申请(专利权)人:南京广顺电子技术研究所
类型:实用新型
国别省市:

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