用于多晶硅还原炉的底盘组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，包括：底盘本体；二十四对电极，所述二十四对电极设在所述底盘本体上且分别分布在第一至第四圈上，所述第一至第四圈为以所述底盘本体的中心为中心且由内向外依次增大的四个同心正八边形；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘本体中部的多个进气口；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘本体上且位于所述第四圈与所述底盘本体的外周沿之间。根据本实用新型专利技术的用于多晶硅还原炉的底盘组件，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅生产
，特别是涉及一种用于多晶硅还原炉的底盘组件。
技术介绍
多晶硅还原炉是多晶硅生产中产出最终产品的核心设备，也是决定系统产能、能耗的关键环节。因此，多晶硅还原炉的设计和制造，直接影响到产品的质量、产量和生产成本。随着全球经济危机的影响下，多晶硅的价格持续下降，产业利润不断被压缩，市场竞争日趋激烈。因此，有效地降低多晶硅能耗，提高产品质量，提高生产效率，是目前多晶硅生产企业需要解决的重要问题。目前生产多晶硅主要采用“改良西门子法”，通常将一定配比的三氯氢硅(SiHC13)和氢气(H2)混合气从底部进气口喷入,在还原炉内发生气相还原反应,反应生成的娃(Si)直接沉积在炉内的硅芯表面，随着反应的持续进行，硅棒不断生长最终达到产品要求。由于还原炉内部硅芯需要维持在1050°C -1100°C进行生产，外部用冷却夹套进行冷却，因此，使用12对棒、18对棒等还原炉生产多晶硅还原能耗大，生产成本高，已经不适应目前激烈市场竞争的要求，迫切需求一种能够节能降耗的新型还原炉的出现。
技术实现思路
本技术旨在至少解决上述技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种可以降低能耗并且可以提高产量的用于多晶硅还原炉的底盘组件根据本技术实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，包括:底盘本体；二十四对电极，所述二十四对电极设在所述底盘本体上且分别分布在第一至第四圈上，所述第一至第四圈为以所述底盘本体的中心为中心且由内向外依次增大的四个同心正八边形；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘本体中部的多个进气口 ；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘本体上且位于所述第四圈与所述底盘本体的外周沿之间。根据本技术实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，二十四对电极设在底盘本体上且分别分布在第一至第四圈上，由此，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。另外，根据本技术上述实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，还可以具有如下附加的技术特征:在所述第一圈的每条边上分布有一个电极，在所述第二圈的每条边上分布有一个电极，所述第一圈上的八个电极与所述第二圈上的八个电极 对应以构成八对电极。在所述第三圈的每条边上分布有二个电极，在所述第四圈的每条边上分布有二个电极，所述第三圈上的十六个电极与所述第四圈上的十六个电极一一对应以构成十六对电极。 所述第一至第四圈的对应边彼此平行。所述多个进气口分别分布在所述底盘本体的中心处以及第五和第六圈上，所述第五和第六圈为以所述底盘本体的中心为中心且由内向外依次增大的二个同心正八边形，其中所述第五圈位于第一和第二圈之间，所述第六圈位于所述第三和第四圈之间。所述第一至第六圈的对应边彼此平行。所述多个进气口的数量为二十五个，其中在所述第五圈上分布有八个进气口，在所述第六圈上分布有十六个进气口，其中第五和第六圈中的任一圈上的进气口与和其相邻的圈上的电极沿周向交错布置。所述进气系统还包括:进气环管，所述进气环管位于所述底盘本体下方且与外部气源相连通；二十五个进气管，所述二十五个进气管分别与所述二十五个进气口 一一对应且所述二十五个进气口通过所述二十五个进气管与所述进气环管相连接。所述多个排气口的数量为三至十二个且分布在以所述底盘本体的中心为圆心的一个圆周上。所述底盘内形成有第一冷却腔，且所述第一冷却腔具有第一冷却介质进口和多个第一冷却介质出口，所述第一冷却介质进口位于所述底盘的中央，而所述多个第一冷却介质出口与所述多个排气口一一对应设置，每个所述第一冷却介质出口连接有第一冷却管且每个所述排气口连接有尾气管，所述第一冷却管套设在所述尾气管上。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:图1是根据本技术的一个实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的示意图；和图2是根据本技术的另一实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的示意图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，一体地连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。下面参考附图详细描述根据本技术的用于多晶硅还原炉的底盘组件。如图1至图2所示，根据本技术的用于多晶硅还原炉的底盘组件，包括:底盘本体10，二十四对电极20，进气系统和排气系统。具体地说，二十四对电极20设在底盘本体10上且分别分布在第一圈Cl、第二圈C2、第三圈C3以及第四圈C4上。第一至第四圈为以底盘本体10中心为中心且由内向外依次增大的四个同心正八边形。所述进气系统包括设在底盘本体10中部的多个进气口 31。所述排气系统包括多个排气口 41，排气口 41设在底盘本体10上且位于第四圈C4与底盘本体10的外周沿之间。根据本技术的用于多晶硅还原炉的底盘组件，二十四对电极20设在底盘本体10上且分别分布在第一圈Cl、第二圈C2、第三圈C3以及第四圈C4上，由此，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。如图2所示，根据本技术一个实施例，在第一圈Cl的每条边上分布有一个电极20，在第二圈C2的每条边上分布有一个电极20。第一圈Cl上的八个电极20与第二圈C2上的八个电极20 对应以构成八对电极。相邻的两对电极之间可以通过电极板(未不出)连接。在第三圈C3的每条边上分布有二个电极20，在第四圈C4的每条边上分布有二个电极20。第三圈C3上的十六个电极20与第四圈C4上的十六个电极20—一对应以构成十六对电极。相邻的两对电极之间可以通过电极板(未示出)连接。由此，可以简化对电极20的控制，并可以最大程度的合理利用热能。使电极20的分布合理，最大程度地提高底盘本体10的使用效率。当然，上述实施例仅是本技术的一个最佳实施例，本技术第一圈至第四圈上的电极30还可以具有其他的分布形式。例如，在第一圈Cl的每条边上分布有一个电极30,且第一圈Cl上的每相邻两个电极30构成一对电极,用于在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，包括：底盘本体；二十四对电极，所述二十四对电极设在所述底盘本体上且分别分布在第一至第四圈上，所述第一至第四圈为以所述底盘本体的中心为中心且由内向外依次增大的四个同心正八边形；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘本体中部的多个进气口；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘本体上且位于所述第四圈与所述底盘本体的外周沿之间。

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，包括: 底盘本体； 二十四对电极，所述二十四对电极设在所述底盘本体上且分别分布在第一至第四圈上，所述第一至第四圈为以所述底盘本体的中心为中心且由内向外依次增大的四个同心正八边形； 进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘本体中部的多个进气口 ；和 排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘本体上且位于所述第四圈与所述底盘本体的外周沿之间。2.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，在所述第一圈的每条边上分布有一个电极，在所述第二圈的每条边上分布有一个电极，所述第一圈上的八个电极与所述第二圈上的八个电极对应以构成八对电极。3.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，在所述第三圈的每条边上分布有二个电极，在所述第四圈的每条边上分布有二个电极，所述第三圈上的十六个电极与所述第四圈上的十六个电极--对应以构成十六对电极。4.根据权利要求1-3中任一项所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，所述第一至第四圈的对应边彼此平行。5.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，所述多个进气口分别分布在所述底盘本体的中心处以及第五和第六圈上，所述第五和第六圈为以所述底盘本体的中心为中心且由内向外依次增大的二个同心正八边形，其中所述第五圈位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：严大洲，肖荣晖，毋克力，汤传斌，汪绍芬，姚心，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：