电子元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种可降低对形成于半导体晶圆侧的粘合剂半硬化层的污染，且对于引线框架等具有优异粘结性的电子元件的制造方法，其包含：在晶圆背面全面涂布糊状粘合剂，对糊状粘合剂照射放射线或加热，使其半硬化成片状的粘合剂半硬化层形成步骤；将形成于晶圆之粘合剂半硬化层与环形架贴附于粘合片的粘合层而固定的贴附步骤；用切割刀将晶圆连同粘合剂半硬化层一起切割而制成半导体芯片的切割步骤；以及在照射放射线之后自粘合层拾取附有粘合剂半硬化层的芯片的拾取步骤，并于粘合片的粘合层中使用具有特定性状的光聚合引发剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，其包含使用粘合片切割晶圆。
技术介绍
在中，已知一种制造方法，其具有下述步骤:将在晶圆或绝缘基板上形成有多个电路图案的电子元件集合体贴附于粘合片的贴合步骤；用切割刀切割电子元件集合体而制成半导体芯片的切割步骤；在自粘合片侧照射紫外线以降低粘合片与电子元件集合体的粘着力之后，自粘合片拾取切断的芯片的拾取步骤；以及在拾取的芯片底面涂布粘合剂，然后利用该粘合剂将芯片固定于引线框架等的固定步骤。在上述制造方法中，提出一种使用多层粘合片(粘合层或芯片贴膜(die attachfilm)—体化片)的方法，该多层粘合片通过在粘合片上进一步层合粘合层或芯片贴膜并进行一体化，能够兼具作为切割用的粘合片的功能和作为将芯片固定于引线框架等的粘合剂的功能(专利文献I及专利文献2)。另一方面，还已知一种方法，其是预先在半导体晶圆侧涂布糊状粘合剂，并对该糊状粘合剂照射放射线或加热，使其半硬化成片状，从而形成粘合剂半硬化层，将其贴合于粘合片上并进行切割步骤，得到附有粘合剂半硬化层的芯片。通过使用多层粘合片或预先形成粘合剂半硬化层的半导体晶圆，而具有以下优点，即，可省略切割后涂布粘合剂的步骤，同时容易进行粘合剂部分的厚度控制、溢出的抑制。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2006-049509号公报专利文献2:日本特开2007-246633号公报
技术实现思路
然而，在半导体晶圆侧设置粘合剂半硬化层并将其贴附于粘合片的粘合层加以固定的方法中，存在以下情况:构成粘合层的粘合剂所含的低分子量成分、即光聚合引发剂迁移至粘合剂半硬化层侧，引起芯片对引线框架等的粘结不良。具体而言，在切割步骤及拾取步骤之后，将所得到的附有粘合剂半硬化层的芯片粘合于引线框架，并利用密封树脂进行模塑(moulding)，在以260°C左右的温度进行加热，此种情况下，有时在引线框架与粘合剂半硬化层之间会发生剥离，其结果将导致在半导体制造步骤中合格率降低。本专利技术鉴于上述状况而完成，专利技术人发现，通过将构成粘合片的粘合层的粘合剂设定为特定的组成，可降低对形成于半导体晶圆侧的粘合剂半硬化层的污染，由此即可改善芯片对引线框架等的粘结性，从而完成本专利技术。S卩，本专利技术涉及下述。(I).一种，该制造方法包括下述步骤:在晶圆背面(即、非电路形成面)全面涂布糊状粘合剂，并进行放射线照射或加热，以使糊状粘合剂半硬化成片状的粘合剂半硬化层形成步骤；将形成于晶圆的粘合剂半硬化层与环形架贴附于粘合片的粘合层加以固定的贴附步骤；用切割刀将晶圆连同粘合剂半硬化层一起进行切割，制成半导体芯片的切割步骤；在照射放射线之后自粘合层拾取附有粘合剂半硬化层的芯片的拾取步骤，粘合片具有基材膜、层合于基材膜的一个面上的粘合层，构成粘合层的粘合剂具有:(甲基)丙烯酸酯共聚物、紫外线聚合性化合物、多官能异氰酸酯硬化剂和光聚合引发剂，光聚合引发剂通过下式所计算出的质量减少率达到10%时的温度为250°C以上，质量减少率={(升温前质量一升温后质量)/ (升温前质量)} X 100 (%)(式中，升温前质量表不在25°C时光聚合引发剂的质量,升温后质量表不以10°C/分钟的升温速度由23°C升温至500°C时，在各温度下光聚合引发剂的质量)。(2).如(I)所记载的，其中，光聚合引发剂是乙酮、1-[9_乙基-6- (2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]-，1- (O-乙酰基肟)、2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦、及2-羟基-1-{4-[4- (2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]-苯基}-2_甲基-丙烷-1-酮。(3).如(I)或(2)所记载的，其中，粘合剂具有:100质量份的(甲基)丙烯酸酯聚合物、5质量份以上200质量份以下的紫外线聚合性化合物、0.5质量份以上20质量份以下的多官能异氰酸酯硬化剂和0.1质量份以上20质量份以下的光聚合引发剂。(4).如(I)至(3)中任一项所记载的，其中，粘合剂半硬化层形成步骤中的糊状粘合剂至少具有环氧树脂及/或(甲基)丙烯酸酯。根据本专利技术的，将构成粘合片的粘合层的粘合剂设定为特定的组成，可提高对形成于半导体晶圆侧的粘合剂半硬化层的污染防止性，由此即可抑制芯片与引线框架等的粘结不良。另外，根据本专利技术的，在得到污染防止性之外，还能够减少切割造成的芯片飞离，而且在拾取时粘合片与粘合剂半硬化层之间容易剥离。具体实施例方式<用语的说明>所谓单体单元，是指来自单体的结构单元。“份”及“％”是以质量为基准。所谓(甲基)丙烯酸酯，是指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯的总称。(甲基)丙烯酸等含有(甲基)的化合物等，也同样是指在名称中具有“甲基”的化合物和不具有“甲基”的化合物的总称。<>本专利技术的包括以下步骤(I) (4)。(I)粘合剂半硬化层形成步骤，S卩，在晶圆背面的整个面涂布糊状粘合剂，并进行放射线照射或加热，使糊状粘合剂半硬化成片状；(2)将形成于晶圆的粘合剂半硬化层与环形架贴附于粘合片的粘合层加以固定的贴附步骤；(3)用切割刀将晶圆连同粘合剂半硬化层一起切割，制成半导体芯片的切割步骤；(4)拾取步骤，即，在照射放射线之后自粘合片的粘合层拾取附有粘合剂半硬化层的芯片。以下针对各步骤进行说明。< ( I)粘合剂半硬化层形成步骤>通常而言，可以如下形成粘合剂半硬化层:在晶圆背面，即在用于与引线框架或电路基板粘合的电路非形成面，全面涂布糊状粘合剂，并对其进行放射线照射或加热，使其半硬化成片状。构成粘合剂半硬化层的糊状粘合剂有:(甲基)丙烯酸酯、聚酰胺、聚乙烯、聚砜、环氧树脂、聚酰亚胺、聚酰胺酸、有机硅树脂、酚树脂、橡胶、氟橡胶及氟树脂的单体或上述物质的混合物、共聚物。从与芯片的粘结可靠性的层面考虑，优选含有环氧树脂及/或(甲基)丙烯酸酯。可以在糊状粘合剂中添加光聚合引发剂、热聚合引发剂、抗静电剂、交联剂、交联促进剂、填料等。对在晶圆背面全面涂布糊状粘合剂的方法没有特别限定，可使用例如凹版涂布机、逗号形刮刀涂布机(comma coater)、棒式涂布机、刀片式涂布机(knife coater)、棍式涂布机、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、柔性版印刷(flexography)、胶版印刷、丝网印刷、喷雾、旋转涂布等。在涂布糊状粘合剂之后，使其半硬化而形成粘合剂半硬化层的方法为放射线照射或加热。对放射线的种类没有特别限定，可使用公知的放射线。在利用紫外线形成粘合剂半硬化层时，对紫外线的光源没有特别限定，可使用公知的光源。紫外线光源可列举黑光灯、低压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯、金属卤化物灯、准分子灯等。对紫外线的照射光量没有特别限定，可根据糊状粘合剂的设计适当地选择，一般而言，紫外线的照射光量优选IOOmJ/cm2以上且小于5000mJ/cm2。若照射光量少，则会有糊状粘合剂的硬化不充分，导致拾取性差的倾向，若照射光量多，则会因为UV照射时间的长期化而使作业性降低。在通过加热形成粘合剂半硬化层时，对加热温度没有特别限定，可根据糊状粘合剂的设计适当地选择，一般而言，加热温度优选为60°C以上且小于250°C。若加热温度过低，则会有糊状粘合剂的硬化不充分，导致拾取性差的倾向，若加热温度过高，则糊状粘合剂的硬化过度进行，导致粘着力降低。对加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.14 JP 2010-2311361.一种电子元件的制造方法，该制造方法包括:粘合剂半硬化层形成步骤，在晶圆背面的整个面涂布糊状粘合剂，并进行放射线照射或加热，以使糊状粘合剂半硬化成片状；贴附步骤，将形成于晶圆的粘合剂半硬化层与环形架贴附于粘合片的粘合层，进行固定；切割步骤，用切割刀将晶圆连同粘合剂半硬化层一起进行切割，制成半导体芯片；以及拾取步骤，在照射放射线之后，自粘合层拾取附有粘合剂半硬化层的芯片， 粘合片具有基材膜、层合于基材膜的一个面上的粘合层， 构成粘合层的粘合剂具有(甲基)丙烯酸酯共聚物、紫外线聚合性化合物、多官能异氰酸酯硬化剂和光聚合引发剂， 光聚合引发剂通过下式所计算出的质量减少率达到10%时的温度为250°C以上， 质量减少率={(升温前质量一升温后质量)/ (升温前质量)} X 100 (%) 式中，升温前质量表示在25°C时光聚合引发剂的质量，升温后质量表示以10°C /分钟的升温速度由23°C升温至500°C时，在各温度下光聚合引发剂的质量。2.如权利要求1所述的电子元件的制造方法，其中，光聚合引发剂是乙酮、1-[9_乙基-6- (2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]-，1- (O-乙酰基...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤岳史，高津知道，
申请(专利权)人：电气化学工业株式会社，
类型：
国别省市：