一种单晶硅片清洁方法技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅片清洁方法，包括步骤：1)对硅片进行烘烧处理；2)将烘烧处理后的硅片进行超声波清洗；3)对硅片进行去损伤处理。在上述单晶硅片清洁方法中，首先对硅片进行烘烧处理，该步骤能够通过高温烘烧作用将单晶硅片表面上贴覆的贴纸或者有机物燃烧掉。然后对烘烧处理后的硅片进行超声波清洗，在对硅片进行了烘烧处理后再采用超声波清洗，能够将硅片表面的小固体颗粒清除。最后对清洗洁净的硅片进行去损伤处理，进一步提高单晶硅片表面的平整程度，提高硅片与碱液的反应质量。本发明专利技术提供的一种单晶硅片清洁方法结合烘烧与超声波清洗共同对单晶硅片表面进行处理，能够有效清除硅片表面的杂质，从而提高了单晶硅片的制绒质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片制造
，特别涉及。
技术介绍
硅片是光伏行业中至关重要的组成部件，主要用于对光能进行转化，通过光辐射产生电能。为了增加硅片的吸光能力，一般会对硅片采取制绒工艺，通过化学腐蚀或者激光刻蚀等工艺将硅片进行非平面处理。如对单晶硅片进行制绒:首先，对需要进行制绒的单晶硅片清洗，将单晶硅片放置于清洗液中，然后采用超声波进行清洗；然后，将清洗干燥后的单晶硅片放置于碱液中进行腐蚀到达制绒效果。需要对制绒原理做出解释，制绒原理为:单晶硅片中晶粒为各向异性，因此当单晶硅片放置于碱液中进行腐蚀时，晶粒不同方向上的腐蚀程度是不一样的，因此，当采用碱液对单晶硅片表面进行腐蚀后，单晶硅片的表面会呈现出倒金字塔状的形状，这种非平面结构将增加硅片的受光面积，提高硅片对光能的转化率。然而，现有技术中由于单晶硅片尺寸较小，为了方便工作人员对硅片进行操作，一般会采用贴纸方法将一定数量的硅片割开。贴纸将不可避免地带来硅片污染，即使是硅片进行清洗，超声波清洗也不能够将全部的贴纸清除干净。这些残留的贴纸将阻止硅片在制绒过程中硅晶粒与碱溶液的反应，如此制备出的制绒单晶硅片表面会出现大量的未反应泛白区，导致单晶硅片的制绒失败。综上所述，如何提供，使用该方法能够有效地对单晶硅片表面进行处理，提高单晶硅片的制绒质量，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题为提供，使用该方法能够有效地对单晶娃片表面进行处理，提闻单晶娃片的制续质量。为解决上述技术问题，本专利技术提供了，包括步骤:1)对硅片进行烘烧处理；2)将烘烧处理后的硅片进行超声波清洗；3)对硅片进行去损伤处理。优选地，所述步骤1)中采用的是硅片丝网印刷工序中使用的烧结炉对硅片进行烘烧处理。在上述单晶硅片清洁方法中，首先对硅片进行烘烧处理，该步骤能够通过高温烘烧作用将单晶硅片表面上贴覆的贴纸或者有机物燃烧掉。由于单晶硅片的性质稳定，所以这种烘烧处理在不对硅片本身产生影响的情况下将硅片表面的贴纸或者有机物有效处理。然后对烘烧处理后的硅片进行超声波清洗，在对硅片进行了烘烧处理后再采用超声波清洗，能够将硅片表面的小固体颗粒清除。最后对清洗洁净的硅片进行去损伤处理，进一步提闻单晶娃片表面的平整程度，提闻娃片与喊液的反应质量。本专利技术提供的一种单晶娃片清洁方法结合烘烧与超声波清洗共同对单晶硅片表面进行处理，能够有效清除硅片表面的杂质，从而提闻了单晶娃片的制续质量。附图说明图1为本专利技术第一种实施例中单晶硅片清洁方法的流程图。具体实施例方式本专利技术的核心为提供，使用该方法能够有效地对单晶硅片表面进行处理，提高单晶硅片的制绒质量。为了使本领 域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的详细说明。请参考图1，图1为本专利技术第一种实施例中单晶硅片清洁方法的流程图。本专利技术提供了，包括步骤:SI)对硅片进行烘烧处理；S2)将烘烧处理后的硅片进行超声波清洗；S3)对硅片进行去损伤处理。在上述单晶硅片清洁方法中，首先对硅片进行烘烧处理，该步骤能够通过高温烘烧作用将单晶硅片表面上贴覆的贴纸或者有机物燃烧掉。由于单晶硅片的性质稳定，所以这种烘烧处理在不对硅片本身产生影响的情况下将硅片表面的贴纸或者有机物有效处理。然后对烘烧处理后的硅片进行超声波清洗，在对硅片进行了烘烧处理后再采用超声波清洗，能够将硅片表面的小固体颗粒清除。最后对清洗洁净的硅片进行去损伤处理，进一步提闻单晶娃片表面的平整程度，提闻娃片与喊液的反应质量。本专利技术提供的一种单晶娃片清洁方法结合烘烧与超声波清洗共同对单晶硅片表面进行处理，能够有效清除硅片表面的杂质，从而提闻了单晶娃片的制续质量。具体地，步骤SI)中采用的是硅片丝网印刷工序中使用的烧结炉对硅片进行烘烧处理。如此设计能够避免引进新设备对单晶硅片进行烘烧处理，降低硅片处理的运行成本，并且使用丝网印刷工序中使用的烧结炉进行对硅片的烘烧，能够提高烧结炉的使用率，避免了烧结炉的闲置。一般情况下，对单晶硅片进行烘烧的设备还可以选用其他装置，本领域技术人员可知，硅片本身的稳定性较高，并且其耐热程度也较高，一般可达到1200°C，因此常规加热设备都可用于对单晶硅片的烘烧。即使硅片由于高温氧化，其氧化物Si02也能够在制绒碱性溶液中与碱溶液发生反应，之后溶解于碱液中不对硅片表面的制绒反应产生任何影响。以上对本专利技术所提供的进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本专利技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本专利技术的方法及其核心思想。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以对本专利技术进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本专利技术权利要求的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅片清洁方法，其特征在于，包括步骤：1)对硅片进行烘烧处理；2)将烘烧处理后的硅片进行超声波清洗；3)对硅片进行去损伤处理。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片清洁方法，其特征在于，包括步骤: 1)对硅片进行烘烧处理； 2)将烘烧处理后的硅片进行超声波清洗； 3)对硅片进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：王竞争，
申请(专利权)人：浚鑫科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：