片式差分复合管制造技术

技术编号:8789668 阅读:238 留言:0更新日期:2013-06-10 02:09
本实用新型专利技术为片式差分复合管,包括三极管晶片Y、三极管晶片Z和五个金属引出脚封装而成,五个金属引出脚分别是脚一为三级管晶片Y的集电极,所述脚二为三极管晶片Y的发射极与三极管晶片Z的发射极的共同极,所述脚三为三极管晶片Z的基极,所述脚四为三极管晶片Z的集电极,所述脚五为三极管晶片Y的基极,所述三极管晶片Y的基极和发射极分别通过导线与脚一和脚二连接,所述三极管晶片Z的基极和发射极分别通过导线与脚三和脚二连接;本实用新型专利技术的有益效果是,缩小线路板的使用面积、原材料大幅减少、简化操作、降低成本、提高生产率。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

片式差分复合管
本技术涉及一种复合管,具体地说,是片式差分复合管。
技术介绍
目前作为片式差分其结构往往比较复杂,且其线路板占用的空间比价大,不仅浪费了资源而且不适合做为小电器内部的差分的使用。特别是不适合蜂鸣器使用。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足,本技术开发了片式差分复合管,包括三极管晶片Y、三极管晶片Z和五个金属引出脚封装而成,五个金属引出脚分别是脚一为三级管晶片Y的集电极,所述脚二为三极管晶片Y的发射极与三极管晶片Z的发射极的共同极,所述脚三为三极管晶片Z的基极,所述脚四为三极管晶片Z的集电极,所述脚五为三极管晶片Y的基极,所述三极管晶片Y的基极和发射极分别通过导线与脚一和脚二连接,所述三极管晶片Z的基极和发射极分别通过导线与脚三和脚二连接。作为本技术的进一步改进,所述三极管晶片Y与脚一设置在同一块线路板A上,所述线路板A上部为脚五所在的线路板B,所述线路板A和线路板B的旁边为脚二所在的线路板C,所述线路板C的另一侧为脚三和脚四所在的线路板D和线路板E,所述线路板D在下部,所述线路板E在上部。本技术的有益效果是,缩小线路板的使用面积、原材料大幅减少、简化操作、降低成本、提高生产率的优点。附图说明图1是本技术的结构示意图。其中:1_三极管晶片Y,2-三极管晶片Z,3-脚一,4-脚二,5-脚三,6-脚四,7-脚五,8-线路板A, 9-线路板B, 10-线路板C, 11-线路板D, 12-线路板E。具体实施方式如图1所示,本技术涉及片式差分复合管,包括三极管晶片Y1、三极管晶片Z2和五个金属引出脚封装而成,五个金属引出脚分别是脚一 3为三级管晶片Yl的集电极,所述脚二 4为三极管晶片Yl的发射极与三极管晶片Z2的发射极的共同极,所述脚三5为三极管晶片Z2的基极,所述脚四6为三极管晶片Z2的集电极,所述脚五7为三极管晶片Yl的基极,所述三极管晶片Yl的基极和发射极分别通过导线与脚一 3和脚二 4连接,所述三极管晶片Z2的基极和发射极分别通过导线与脚三5和脚二 4连接。所述三极管晶片Yl与脚一 3设置在同一块线路板AS上,所述线路板AS上部为脚五7所在的线路板B9,所述线路板AS和线路板B9的旁边为脚二 4所在的线路板C10,所述线路板ClO的另一侧为脚三5和脚四6所在的线路板Dll和线路板E12,所述线路板Dll在下部,所述线路板E12在上部。本实施例的有益效果在于;缩小线路板的使用面积、原材料大幅减少、简化操作、降低成本、提高生产率的优点。本文档来自技高网...

【技术保护点】
片式差分复合管,其特征在于:包括三极管晶片Y(1)、三极管晶片Z(2)和五个金属引出脚封装而成,所述五个金属引出脚分别是脚一(3)为三级管晶片Y(1)的集电极,所述脚二(4)为三极管晶片Y(1)的发射极与三极管晶片Z(2)的发射极的共同极,所述脚三(5)为三极管晶片Z(2)的基极,所述脚四(6)为三极管晶片Z(2)的集电极,所述脚五(7)为三极管晶片Y(1)的基极,所述三极管晶片Y(1)的基极和发射极分别通过导线与脚一(3)和脚二(4)连接,所述三极管晶片Z的基极和发射极分别通过导线与脚三(5)和脚二(4)连接。

【技术特征摘要】
1.片式差分复合管,其特征在于:包括三极管晶片Y(I)、三极管晶片Z (2)和五个金属引出脚封装而成,所述五个金属引出脚分别是脚一(3)为三级管晶片Y (I)的集电极,所述脚二(4)为三极管晶片Y (I)的发射极与三极管晶片Z (2)的发射极的共同极,所述脚三(5)为三极管晶片Z (2)的基极,所述脚四(6)为三极管晶片Z (2)的集电极,所述脚五(7)为三极管晶片Y (I)的基极,所述三极管晶片Y (I)的基极和发射极分别通过导线与脚一(3)和脚二(4)连接,所述三极管...

【专利技术属性】
技术研发人员:张长华钱宝龙
申请(专利权)人:兴化市华宇电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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