单晶炉及其下保温筒制造技术

本实用新型专利技术提供了一种单晶炉的下保温筒，包括本体、排气口和具有排气通孔的碳毡，其还包括连接在所述本体上，且位于所述排气口和排气通孔内的排气导管。本实用新型专利技术提供的单晶炉的下保温筒中，与现有技术相比增设了排气导管，使其将高温气流与碳毡进行隔离，避免其相互接触，减少甚至避免了碳毡被腐蚀的几率，使碳毡在排气口处的保温效果更好，节省了电能，保证了排气效果，并进一步保证单晶炉拉制单晶硅的过程能够顺利的进行。本实用新型专利技术还提供了一种具有上述下保温筒的单晶炉。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

单晶炉及其下保温筒
本技术涉及单晶炉
，更具体地说，涉及一种单晶炉的下保温筒，本实 用新型还涉及一种具有上述下保温筒的单晶炉。
技术介绍
单晶炉上是采用直拉法生产单晶硅的主要设备。在单晶炉中设置有保温筒，其 为单晶炉内部热场的重要组成部分，为石墨材质，一般在保温筒外侧面裹有一定厚度的碳 毡用于对单晶炉内的热场进行保温，依据其所处热场的位置不同而分为上、中、下三种保温筒。其中，下保温筒设置在靠近单晶炉炉底的部位，位于热场的下部，其侧壁上设置有 两个排气口 01，缠绕在下保温筒外壁上的碳毡02在与排气口对应的部位开有通孔03，一定 厚度的碳毡02上的通孔03和排气口 01组成了导出热场中高温气流的通道，如图1所示。 在单晶炉进行生产的过程中，需要不断的将热场中的高温气流从排气口和通孔形成的通道 中输出单晶炉，长时间运行后形成通道的碳毡会与高温气流中的硅蒸汽发生化学反应，导 致碳毡被腐蚀，通孔的直径将越来越大，直接影响了保温筒保温的效果，使单晶炉运行的功 率升高，增加了单晶炉消耗的电能，同时也使下保温桶的排气口与炉体的出气口之间产生 了较大的距离，影响了单晶炉的排气效果，严重时将会导致单晶炉无法正常拉制单晶硅。综上所述，如何提供一种单晶炉的下保温筒，以实现减少碳毡被腐蚀的几率，进一 步保证单晶炉拉制单晶硅的顺利进行，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种单晶炉的下保温筒，其减少了碳毡被腐蚀的几 率，进一步保证了单晶炉拉制单晶硅能够顺利的进行。为了达到上述目的，本技术提供如下技术方案:—种单晶炉的下保温筒，包括本体、排气口和具有排气通孔的碳毡，其还包括连接 在所述本体上，且位于所述排气口和排气通孔内的排气导管。优选的，上述单晶炉的下保温筒中，所述排气导管远离所述本体的一端伸出所述 排气通孔。优选的，上述单晶炉的下保温筒中，所述排气导管远离所述本体的一端与所述碳 毡的外侧面齐平。优选的，上述单晶炉的下保温筒中，所述碳毡包括固定部和与所述固定部可拆卸 连接的拆卸部，所述排气通孔设置在所述拆卸部上。优选的，上述单晶炉的下保温筒中，所述排气导管通过丝扣与所述本体连接。优选的，上述单晶炉的下保温筒中，所述排气导管为石墨导管。基于上述提供的下保温筒，本技术还提供了一种单晶炉，所述单晶炉具有上 述任意一项所述的下保温筒。本技术提供的单晶炉的下保温筒中，在排气口和排气通孔中设置了排气导管，使得单晶炉中的高温气流在通过排气口和排气通孔的过程中，高温气流处于排气导管中，从而使高温气流不再与碳毡接触，避免了硅蒸汽对碳毡的腐蚀。本技术提供的单晶炉的下保温筒中，与现有技术相比增设了排气导管，使其将高温气流与碳毡进行隔离，避免其相互接触，减少甚至避免了碳毡被腐蚀的几率，使碳毡在排气口处的保温效果更好，节省了电能，保证了排气效果，并进一步保证单晶炉拉制单晶硅的过程能够顺利的进行。本技术还提供了一种具有上述下保温筒的单晶炉。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的单晶炉的下保温筒的剖视图；图2为本技术实施例提供的排气导管的结构示意图；图3为本技术实施例提供的单晶炉的下保温筒的剖视图；图4为本技术实施例提供的单晶炉的下保温筒的结构示意图；图5为本技术实施例提供的单晶炉的结构示意图。以上图1-图5中:排气口 O1、碳毡02、通孔03 ；本体1、排气口 2、碳毡3、排气导管4、固定部31、拆卸部32。具体实施方式为了进一步理解本技术，下面结合实施例对本技术优选实施方式进行描述，但是应当理解，这些描述只是为了进一步说明本技术的特征和优点，而不是对本技术权利要求的限制。本技术提供了一种单晶炉的下保温筒，其减少了碳毡被腐蚀的几率，进一步保证了单晶炉拉制单晶硅能够顺利的进行。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图2-图5所示，本技术实施例提供的单晶炉的下保温筒，包括本体1、排气口 2和具有排气通孔的碳毡3，其还包括连接在本体I上，且位于排气口 2和排气通孔内的排气导管4。本实施例提供的单晶炉的下保温筒中，在排气口 2和排气通孔中设置了排气导管4，使得单晶炉中的高温气流在通过排气口 2和排气通孔的过程中，高温气流处于排气导管4中，使得高温气流不再与碳毡3接触，避免了硅蒸汽对碳毡3的腐蚀。本实施例提供的单晶炉的下保温筒中，与现有技术相比增设了排气导管4，使其将高温气流与碳毡3进行隔离，避免其相互接触，减少甚至避免了碳毡3被腐蚀的几率，使碳毡3在排气口 2处的保温效果更好，节省了电能，保证了排气效果，并进一步保证单晶炉拉制单晶硅的过程能够顺利的进行。为了进一步优化上述技术方案，本实施例提供的单晶炉的下保温筒中，排气导管4远离本体I的一端伸出排气通孔。在本实施例中，将排气导管4远离本体I的一端设置为伸出排气通孔的结构，使得排气导管4的长度大于碳毡3的厚度，这样就可以完全避免从排气导管4内通过的高温气流与碳毡3接触，最大程度的避免了高温气流中硅蒸汽对碳毡3的腐蚀，使得碳毡3的保温效果不会降低，完全避免了因排气口 2处碳毡3腐蚀对单晶炉拉制单晶硅的影响，此为优选实施方式。与上述设置方式相对应的，本实施例提供的单晶炉的下保温筒中，排气导管4远离本体I的一端还可以与碳毡3的外侧面齐平，当然排气导管4的长度也可以小于碳毡3的厚度。进一步的，本实施例提供的单晶炉的下保温筒中，碳毡3包括固定部31和与固定部31可拆卸连接的拆卸部32，排气通孔设置在拆卸部32上，如图4所示。为了进一步完善方案，在排气口 2处设置排气导管4的基础上，还将原有的缠绕在下保温筒外壁上的一整块碳毡3分割为了固定部31和拆卸部32两部分，其中拆卸部32将排气导管4完全包围，即排气通孔设置在拆卸部32上，这样即使排气导管4周围的碳毡3受到腐蚀后，也只需更换面积较小的拆卸部32即可，无需更换固定部31，避免了现有技术中排气口 2处碳毡被腐蚀后需要更换整块碳毡3的情况发生，节约了碳毡，降低了生产成本。具体的，排气导管4通过丝扣与本体I连接。采用丝扣连接排气导管4和本体1，因丝扣自身的结构特点，可以最大程度的减小对原有下保温筒的改造，降低改造成本，同时也可以提高排气导管4的通用性。当然，在不影响排气导管4和本体I连接效果的前提下，还可以采用其他的方式对排气导管4和本体I进行连接，例如插接、卡接等。优选的，排气导管4为石墨导管。排气导管4的制造材料选择与单晶炉热场内部其他部件材料一致的石墨材料，可以最大程度的降低因新材料的应用对热场造成的影响，进一步保证单晶炉拉制单晶硅的顺利进行。基于上述实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶炉的下保温筒，包括本体（1）、排气口（2）和具有排气通孔的碳毡（3），其特征在于，还包括连接在所述本体（1）上，且位于所述排气口（2）和排气通孔内的排气导管（4）。

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉的下保温筒，包括本体(I)、排气口(2)和具有排气通孔的碳毡(3)，其特征在于，还包括连接在所述本体(I)上，且位于所述排气口(2)和排气通孔内的排气导管(4)。2.根据权利要求1所述的单晶炉的下保温筒，其特征在于，所述排气导管(4)远离所述本体(I)的一端伸出所述排气通孔。3.根据权利要求1所述的单晶炉的下保温筒，其特征在于，所述排气导管(4)远离所述本体(I)的一端与所述碳毡(3)的外侧面齐平。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：白剑铭，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：实用新型
国别省市：