本发明专利技术公开了一种画素结构，其包括一闸极、一电容电极、一电容透明电极、一闸绝缘层、一半导体层、一源极、一汲极、一保护层以及一画素电极。闸极与电容电极配置于一基板上。电容透明电极覆盖电容电极与部分基板。闸绝缘层覆盖闸极与电容透明电极。闸绝缘层具有一暴露出部分电容透明电极的开口。源极与汲极暴露出部分半导体层。保护层覆盖源极、汲极、闸绝缘层以及开口所暴露出的电容透明电极。保护层具有一暴露出部分汲极的接触窗，且画素电极穿过接触窗与汲极电性连接。画素电极与开口所暴露出的电容透明电极之间具有一重迭区域以构成一储存电容。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种具有储存电容的。
技术介绍
由于显示器的需求与日俱增，加上近年来绿色环保概念的兴起，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(thin filmtransistor liquid crystal display, TFT-1XD)已逐渐成为显示器市场的主流。为了满足使用者的需求，薄膜晶体管液晶显示器的性能不断朝向高对比度(high contrast ratio) >无灰阶反转(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、高亮度(highluminance)、高色彩丰富度、高色饱和度、快速反应、显示画面稳定与广视角等特性发展。一般而言，薄膜晶体管液晶显示器主要由分别配置有画素数组与彩色滤光数组的两基板以及配置于此两基板间的液晶层所组成。现有技术中的画素结构包括薄膜晶体管、画素电极以及储存电容下电极。画素电极电性连接薄膜晶体管。储存电容下电极与画素电极构成一储存电容，以维持画素结构显示影像的稳定。由于储存电容的电容值与TFT-LCD画素的充放电特性息息相关，储存电容过大可能会有充电不足的问题；太小则易造成显示画面的闪烁。然而，TFT-LCD的薄膜晶体管数组基板所使用的扫描配线、数据配线及储存电容下电极配线一般是采遮光的金属材质，而金属材质的配线将遮蔽光线透过，其大大的限制了产品的光利用效率，并使得背光模块的消耗功率增加。若是通过减少扫描配线、数据配线的幅宽来提升TFT-1XD光利用效率，将使得TFT-1XD配线的RC负载增加，造成讯号传递的失真；而通过减少储存电容电极的幅宽来提升TFT-LCD光利用效率，则可能因储存电容不符需求，而造成显示画面闪烁，影响显示质量。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种可增加储存电容值。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案:一种画素结构，配置于一基板上，该画素结构包括: 一闸极，配置于所述基板上； 一电容电极，配置于所述的基板上； 一电容透明电极，配置于所述的基板上，且覆盖所述电容电极与部分的基板； 一闸绝缘层，配置于所述基板上，且覆盖闸极与电容透明电极，该闸绝缘层具 有一开口，且该开口暴露出部分电容透明电极； 一半导体层，配置于所述闸绝缘层上，且位于所述闸极的上方； 一源极，配置于所述闸绝缘层上； 一汲极，配置于所述闸绝缘层上，其中源极与该汲极暴露出部分半导体层； 一保护层，配置于所述闸绝缘层上，且覆盖源极、汲极、闸绝缘层以及所述开口所暴露出的电容透明电极，其中该保护层具有一接触窗，且该接触窗暴露出部分汲极； 以及一画素电极，配置于该保护层上，该画素电极透过所述接触窗与汲极电性连接，其中该画素电极与所述开口所暴露出的电容透明电极之间具有一重迭区域构成的一储存电容。所述闸极与电容电极为同一膜层。所述电容透明电极的材质是铟锡氧化物或铟锌氧化物。所述闸极、源极以及汲极构成一底闸型薄膜晶体管。为了实现前述目的，本专利技术还提供一种画素结构的制作方法，其包括: 形成一闸极与一电容电极于一基板上； 形成电容透明电极于所述基板上，其中该电容透明电极覆盖所述电容电极与部分该基板； 形成一闸绝缘层于所述基板上，其中该闸绝缘层覆盖所述闸极与电容透明电极，该闸绝缘层具有一开口，且该开口暴露出部分该电容透明电极； 形成一半导体层于闸绝缘层上，且半导体层位于闸极的上方； 形成一源极与一汲极于所述闸绝缘层上，且源极与该汲极暴露出部分半导体层；形成一保护层于所述闸绝缘层上，且该保护层覆盖源极、汲极、闸绝缘层以及所述开口所暴露出的电容透明电极，该保护层具有一接触窗，且该接触窗暴露出部分汲极； 形成一画素电极于该保护层上，且该画素电极穿过所述接触窗与所述汲极电性连接，且该画素电极与所述开口所暴露出的电容透明电极之间形成具有一重迭区域构成的一储存电容。所述闸极与该电容电极为同一膜层。所述电容透明电极的材质为铟锡氧化物或铟锌氧化物。所述形成闸极与电容电极的步骤，包括: 形成一第一金属层于该基板上；以及 图案化该第一金属层，以形成该闸极与该电容电极。所述形成源极与汲极的步骤，包括: 形成一第二金属层于所述半导体层与所述闸绝缘层上；以及 图案化该第二金属层，以形成该源极以及汲极。所述闸极、源极以及汲极构成一底闸型薄膜晶体管。采用以上的技术方案，由于本专利技术的闸绝缘层并未完全覆盖电容透明电极，而是具有一暴露出部分电容透明电极的开口，因此画素电极与部分电容透明电极之间的距离可通过开口的设计而缩短。再者，由于储存电容值的大小是与画素电极以及电容透明电极之间的距离成反比，因此本专利技术的画素结构的设计可有效提升整体储存电容值。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明: 图1为本专利技术画素结构实施例之一的的俯视透视示意 图2为沿图1的线1-1以及线I1-1I的剖面示意图； 图3至图11依次为本专利技术的画素结构的制作方法的逐步骤制作出的画素结构的剖面示意图。具体实施方式图1绘示为本专利技术的一实施例的画素结构的俯视透视示意图。图2绘示为沿图1的线1-1以及线I1-1I的剖面示意图。请同时参考图1与图2，在本实施例中，画素结构100配置于一基板10上，其中基板10可以为玻璃基板、塑料基板或是其他材质的基板。画素结构100与扫描线20以及数据线30电性连接，且画素结构100包括一闸极110、一电容电极120、一电容透明电极130、一闸绝缘层140、一半导体层150、一源极160、一汲极165、一保护层170以及一画素电极182。详细来说，闸极110配置于基板10上。电容电极120配置于基板10上。电容透明电极130配置于基板10上，且覆盖电容电极120与部分基板10。闸绝缘层140配置于基板10上，且覆盖闸极110与电容透明电极130。特别是，闸绝缘层140具有一开口 142，且开口 142暴露出部分电容透明电极130。半导体层150配置于闸绝缘层140上，且位于闸极110的上方。源极160配置于闸绝缘层140上。汲极165配置于闸绝缘层140上，其中源极160与汲极165暴露出部分半导体层150。保护层170配置于闸绝缘层140上，且覆盖源极160、汲极165、闸绝缘层140以及开口 142所暴露出的电容透明电极130。保护层170具有一接触窗172，且接触窗172暴露出部分汲极165。画素电极180配置于保护层170上。画素电极180穿过接触窗172与汲极165电性连接。画素电极180与闸绝缘层140的开口142所暴露出的电容透明电极130之间具有一重迭区域P以构成一储存电容Cst。更具体来说，在本实施例中，闸极110与电容电极120属于同一膜层,其中闸极110的材质与电容电极120的材质可以是金属或合金，于此并不加以限制。特别是，本实施例的电容透明电极130并未覆盖闸极110，且电容透明电极130的材质可以是铟锡氧化物或铟锌氧化物。此外，本实施例的闸极110、源极160以及汲极165构成一底闸型薄膜晶体管。由于本实施例的闸绝缘层140并未完全覆盖电容透明电极130，而是具有一暴露出部分电容透明电极1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种画素结构，配置于一基板上，其特征在于：该画素结构包括：一闸极，配置于该基板上；一电容电极，配置于该基板上；一电容透明电极，配置于该基板上，且覆盖该电容电极与部分的基板；一闸绝缘层，配置于所述基板上，且覆盖闸极与电容透明电极，该闸绝缘层具有一开口，且该开口暴露出部分电容透明电极；一半导体层，配置于该闸绝缘层上，且位于所述闸极的上方；一源极，配置于该闸绝缘层上；一汲极，配置于该闸绝缘层上，其中该源极与该汲极暴露出部分该半导体层；一保护层，配置于该闸绝缘层上，且覆盖该源极、汲极、闸绝缘层以及所述开口所暴露出的电容透明电极，其中该保护层具有一接触窗，且该接触窗暴露出部分汲极；以及一画素电极，配置于该保护层上，该画素电极穿过所述接触窗与汲极电性连接，其中该画素电极与所述开口所暴露出的电容透明电极之间具有一重迭区域构成的一储存电容。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩家荣，欧李启维，陈柏玮，许宇禅，黄隽尧，
申请(专利权)人：华映光电股份有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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